公开(公告)号：TW201724278A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105133566

申请日：2016-10-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUO CHENG ,  黃靖方 ,  HUANG, CHING FANG ,  卡羅司 迪亞茲 ,  DIAZ, CARLOS H. ,  王志豪 ,  WANG, CHIH HAO ,  謝文興 ,  HSIEH, WEN HSING ,  梁英強 ,  LEUNG, YING-KEUNG

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/42392 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/845 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785

Abstract: 半導體元件包含設置於基板上之源極/汲極特徵。源極/汲極特徵包含第一奈米線、設置於第一奈米線上之第二奈米線、設置於第一奈米線及第二奈米線上之包覆層以及自第一奈米線延伸至第二奈米線之間隔層。元件亦包含直接設置於源極/汲極特徵上之導電特徵，以使得導電特徵實體接觸包覆層及間隔層。

Abstract in simplified Chinese: 半导体组件包含设置于基板上之源极/汲极特征。源极/汲极特征包含第一奈米线、设置于第一奈米在线之第二奈米线、设置于第一奈米线及第二奈米在线之包覆层以及自第一奈米线延伸至第二奈米线之间隔层。组件亦包含直接设置于源极/汲极特征上之导电特征，以使得导电特征实体接触包覆层及间隔层。

公开(公告)号：TWI496291B

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：TW101114866

申请日：2012-04-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳志強 ,  WU, ZHIQIANG ,  後藤賢一 ,  GOTO, KEN-ICHI ,  謝文興 ,  HSIEH, WEN HSING ,  何炯煦 ,  HO, JON HSU ,  王志慶 ,  WANG, CHIH CHING ,  黃靖方 ,  HUANG, CHING FANG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02362 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02293 ,  H01L21/0234 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TW201312751A

公开(公告)日：2013-03-16

申请号：TW101114866

申请日：2012-04-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳志強 ,  WU, ZHIQIANG ,  後藤賢一 ,  GOTO, KEN-ICHI ,  謝文興 ,  HSIEH, WEN HSING ,  何炯煦 ,  HO, JON HSU ,  王志慶 ,  WANG, CHIH CHING ,  黃靖方 ,  HUANG, CHING FANG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02362 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02293 ,  H01L21/0234 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本發明之實施例提供控制通道厚度的系統與方法，並避免因為形成較小的特徵而變異。本發明之實施例包含升高於基底之上的鰭片結構，以及形成在鰭片結構之上的覆蓋層，通道載子被重摻雜的鰭片結構排斥，並局限在覆蓋層內，其形成薄的通道，使得閘極具有較大的靜電控制。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之实施例提供控制信道厚度的系统与方法，并避免因为形成较小的特征而变异。本发明之实施例包含升高于基底之上的鳍片结构，以及形成在鳍片结构之上的覆盖层，信道载子被重掺杂的鳍片结构排斥，并局限在覆盖层内，其形成薄的信道，使得闸极具有较大的静电控制。

公开(公告)号：TW201729340A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105135763

申请日：2016-11-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUO CHENG ,  吳忠政 ,  WU, CHUNG CHENG ,  黃靖方 ,  HUANG, CHING FANG ,  謝文興 ,  HSIEH, WEN HSING ,  梁英強 ,  LEUNG, YING-KEUNG ,  鍾政庭 ,  CHUNG, CHENG TING

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66545

Abstract: 一種半導體，包含第一電晶體和第二電晶體。第一電晶體包含第一和第二磊晶層，由第一半導體材料組成。第二磊晶層配置於第一磊晶層上方。第一電晶體也包含第一閘極介電層和第一金屬閘極層，第一閘極介電層環繞第一和第二磊晶層且從第一磊晶層的頂面延伸至第二磊晶層的底面，第一金屬閘極層環繞第一閘極介電層。第二電晶體包含由第一半導體材料組成的第三磊晶層及由第二半導體組成的第四磊晶層，第四磊晶層直接配置於第三磊晶層上。第二電晶體也包含第二閘極介電層，且配置於第三和第四磊晶層上方且第二金屬閘極層配置於第二閘極介電層上方。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体，包含第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包含第一和第二磊晶层，由第一半导体材料组成。第二磊晶层配置于第一磊晶层上方。第一晶体管也包含第一闸极介电层和第一金属闸极层，第一闸极介电层环绕第一和第二磊晶层且从第一磊晶层的顶面延伸至第二磊晶层的底面，第一金属闸极层环绕第一闸极介电层。第二晶体管包含由第一半导体材料组成的第三磊晶层及由第二半导体组成的第四磊晶层，第四磊晶层直接配置于第三磊晶层上。第二晶体管也包含第二闸极介电层，且配置于第三和第四磊晶层上方且第二金属闸极层配置于第二闸极介电层上方。

公开(公告)号：TWI515905B

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW102145802

申请日：2013-12-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 范學實 ,  FAN, HSUEH SHIH ,  張勝傑 ,  CHANG, SUN JAY ,  胡嘉欣 ,  HU, CHIA HSIN ,  梁銘彰 ,  LIANG, MIN CHANG ,  吳顯揚 ,  WU, SHIEN YANG ,  謝文興 ,  HSIEH, WEN HSING ,  黃靖方 ,  HUANG, CHING FANG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861

公开(公告)号：TW201428975A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：TW102145802

申请日：2013-12-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 范學實 ,  FAN, HSUEH SHIH ,  張勝傑 ,  CHANG, SUN JAY ,  胡嘉欣 ,  HU, CHIA HSIN ,  梁銘彰 ,  LIANG, MIN CHANG ,  吳顯揚 ,  WU, SHIEN YANG ,  謝文興 ,  HSIEH, WEN HSING ,  黃靖方 ,  HUANG, CHING FANG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861

Abstract: 本發明揭露高效率的FinFET二極體及其形成方法，而解決減少的主動面積造成傳統FinFET二極體品級下降的問題。FinFET二極體具有：摻雜基底；分成彼此隔開的二群實質上平行、等間隔、細長的半導體鰭狀構造；介電層，形成於二群且於鰭狀構造之間用以絕緣；複數個實質上等間隔且平行、細長的閘極構造，垂直橫越二群鰭狀構造；及二群半導體條，分別縱長地形成在二群鰭狀構造上。二群半導體條被摻雜成具有n型、p型的相反的導電形式。FinFET二極體更包含形成於半導體條上的金屬接點。在一實施例中，半導體條可藉由磊晶成長整合於與鰭狀構造一起形成並被就地摻雜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露高效率的FinFET二极管及其形成方法，而解决减少的主动面积造成传统FinFET二极管品级下降的问题。FinFET二极管具有：掺杂基底；分成彼此隔开的二群实质上平行、等间隔、细长的半导体鳍状构造；介电层，形成于二群且于鳍状构造之间用以绝缘；复数个实质上等间隔且平行、细长的闸极构造，垂直横越二群鳍状构造；及二群半导体条，分别纵长地形成在二群鳍状构造上。二群半导体条被掺杂成具有n型、p型的相反的导电形式。FinFET二极管更包含形成于半导体条上的金属接点。在一实施例中，半导体条可借由磊晶成长集成于与鳍状构造一起形成并被就地掺杂。