公开(公告)号：TW201919189A

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：TW107132240

申请日：2018-09-13

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 郭錫瑜 ,  KUO, HSI-YU ,  李可益 ,  LEE, KO-YI ,  朱又麟 ,  CHU, YU-LIN

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L23/52 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/351

摘要： 一種封裝結構包括至少一個半導體晶片、絕緣包封體及重佈線路結構。半導體晶片具有主動表面及分佈在主動表面上的多個連接墊。絕緣包封體包封半導體晶片。重佈線路結構設置在半導體晶片上且具有至少一個金屬化層，所述至少一個金屬化層具有多個金屬段，其中重佈線路結構透過所述至少一個金屬化層及與所述至少一個金屬化層電連接的多個連接墊電連接到半導體晶片。在半導體晶片的主動表面上的垂直投影中，多個連接墊中任意兩個最鄰近的連接墊之間的第一間隙的投影位置與所述至少一個金屬化層的多個金屬段中任意兩個最鄰近的金屬段之間的第二間隙的投影位置局部地重疊。

简体摘要： 一种封装结构包括至少一个半导体芯片、绝缘包封体及重布线路结构。半导体芯片具有主动表面及分布在主动表面上的多个连接垫。绝缘包封体包封半导体芯片。重布线路结构设置在半导体芯片上且具有至少一个金属化层，所述至少一个金属化层具有多个金属段，其中重布线路结构透过所述至少一个金属化层及与所述至少一个金属化层电连接的多个连接垫电连接到半导体芯片。在半导体芯片的主动表面上的垂直投影中，多个连接垫中任意两个最邻近的连接垫之间的第一间隙的投影位置与所述至少一个金属化层的多个金属段中任意两个最邻近的金属段之间的第二间隙的投影位置局部地重叠。

公开(公告)号：TW201724366A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105138987

申请日：2016-11-25

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 朱又麟 ,  CHU, YU-LIN ,  郭錫瑜 ,  KUO, HSI-YU ,  柯錦源 ,  KO, CHIN-YUAN

IPC分类号： H01L21/82

CPC分类号： H01L27/0292 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/092 ,  H01L29/1079

摘要： 本發明實施例提供一種積體電路(IC)結構。該IC結構包括一深n型井(DNW)、一第一電路、一第二電路、一第一電力線及一第二電力線。該第一電路位於該DNW中。該第二電路位於該DNW外部且與該第一電路電連接。該第一電力線經組態以提供電力給該第一電路。該第二電力線經組態以提供電力給該第二電路。該第二電力線與該第一電力線電連接。該第一電力線與該第二電力線位於不同導電層中。

简体摘要： 本发明实施例提供一种集成电路(IC)结构。该IC结构包括一深n型井(DNW)、一第一电路、一第二电路、一第一电力线及一第二电力线。该第一电路位于该DNW中。该第二电路位于该DNW外部且与该第一电路电连接。该第一电力线经组态以提供电力给该第一电路。该第二电力线经组态以提供电力给该第二电路。该第二电力线与该第一电力线电连接。该第一电力线与该第二电力线位于不同导电层中。