公开(公告)号：TW201735253A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105138811

申请日：2016-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃心巖 ,  HUANG, HSIN YEN ,  鄭凱方 ,  CHENG, KAI FANG ,  鄧志霖 ,  TENG, CHI LIN ,  李劭寬 ,  LEE, SHAO KUAN ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76865 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295

Abstract: 一種半導體裝置，包括一第一金屬導線層；一層間介電層，形成於第一金屬導線層上方；一第二金屬導線結構，埋置於該層間介電層中並連接至第一金屬導線層；以及一蝕刻停止層，設置於第一金屬導線層與層間介電層之間。蝕刻停止層包括一或多個子層。蝕刻停止層包括一第一子層，其係由鋁基絕緣材料、氧化鉿、氧化鋯或氧化鈦所製成。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，包括一第一金属导线层；一层间介电层，形成于第一金属导线层上方；一第二金属导线结构，埋置于该层间介电层中并连接至第一金属导线层；以及一蚀刻停止层，设置于第一金属导线层与层间介电层之间。蚀刻停止层包括一或多个子层。蚀刻停止层包括一第一子层，其系由铝基绝缘材料、氧化铪、氧化锆或氧化钛所制成。

公开(公告)号：TWI628743B

公开(公告)日：2018-07-01

申请号：TW105138811

申请日：2016-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃心巖 ,  HUANG, HSIN YEN ,  鄭凱方 ,  CHENG, KAI FANG ,  鄧志霖 ,  TENG, CHI LIN ,  李劭寬 ,  LEE, SHAO KUAN ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

公开(公告)号：TW201733069A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105139647

申请日：2016-12-01

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李劭寬 ,  LEE, SHAO KUAN ,  黃心巖 ,  HUANG, HSIN YEN ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295

Abstract: 本揭露提供了一種半導體元件結構及其形成方法。半導體元件結構包括半導體基底及位於半導體基底上之介電層。介電層具有保護區域及較下部分，較下部分介於保護區域與半導體基底之間。保護區域較介電層之較下部分包含更多的碳。半導體元件結構還包括導電部件。導電部件穿過保護區域，且導電部件之較低部分由介電層之較下部分所圍繞。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供了一种半导体组件结构及其形成方法。半导体组件结构包括半导体基底及位于半导体基底上之介电层。介电层具有保护区域及较下部分，较下部分介于保护区域与半导体基底之间。保护区域较介电层之较下部分包含更多的碳。半导体组件结构还包括导电部件。导电部件穿过保护区域，且导电部件之较低部分由介电层之较下部分所围绕。