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公开(公告)号：TW201727860A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105141744
申请日：2016-12-16
Inventor： 鄭凱方 , CHENG, KAI FANG , 鄧志霖 , TENG, CHI LIN , 陳海清 , CHEN, HAI CHING , 黃心巖 , HUANG, HSIN YEN , 包天一 , BAO, TIEN I , 蔡榮訓 , TSAI, JUNG HSUN
IPC: H01L23/532
CPC classification number: H01L23/5283 , H01L21/7681 , H01L21/76831 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53295
Abstract: 根據一些實施例，本發明提供一種半導體裝置結構。半導體裝置結構包括基底。半導體裝置結構包括位於基底上方之第一導電結構。半導體裝置結構包括位於基底上方之第一介電層。第一介電層具有暴露第一導電結構的第一開口。半導體裝置結構包括覆蓋第一開口的第一內壁之覆蓋層，且覆蓋層具有暴露第一導電結構的第二開口。覆蓋層包括金屬氧化物。半導體裝置結構包括第二導電結構，其填入第一開口且被覆蓋層所圍繞。第二導電結構電性連接至第一導電結構。
Abstract in simplified Chinese: 根据一些实施例，本发明提供一种半导体设备结构。半导体设备结构包括基底。半导体设备结构包括位于基底上方之第一导电结构。半导体设备结构包括位于基底上方之第一介电层。第一介电层具有暴露第一导电结构的第一开口。半导体设备结构包括覆盖第一开口的第一内壁之覆盖层，且覆盖层具有暴露第一导电结构的第二开口。覆盖层包括金属氧化物。半导体设备结构包括第二导电结构，其填入第一开口且被覆盖层所围绕。第二导电结构电性连接至第一导电结构。
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公开(公告)号：TW201727745A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105135086
申请日：2016-10-28
Inventor： 蔡榮訓 , TSAI, JUNG HSUN , 鄧志霖 , TENG, CHI LIN , 鄭凱方 , CHENG, KAI FANG , 黃心巖 , HUANG, HSIN YEN , 陳海清 , CHEN, HAI CHING , 包天一 , BAO, TIEN I , 黃建樺 , HUANG, CHIEN HUA
IPC: H01L21/311 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/0206 , H01L21/02071 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/0228 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/76807 , H01L21/76834 , H01L21/7684 , H01L21/76877 , H01L21/76897 , H01L23/528 , H01L23/53228 , H01L23/53238 , H01L23/53295
Abstract: 本揭露提供一種方法，包括提供具有第一介電材料層及藉由第一介電材料層之區段彼此橫向分離之第一導電特徵之基板。在第一介電材料層及第一導電特徵上沉積第一蝕刻終止層，從而形成具有與第一介電材料層之區段自對準之富氧部分及與第一導電特徵自對準之缺氧部分的第一蝕刻終止層。執行選擇性移除製程以選擇性移除第一蝕刻終止層之缺氧部分。在第一導電特徵及第一蝕刻終止層之富氧部分上形成第二蝕刻終止層。在第二蝕刻終止層上形成第二介電材料層。在第二介電材料層中形成導電結構。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种方法，包括提供具有第一介电材料层及借由第一介电材料层之区段彼此横向分离之第一导电特征之基板。在第一介电材料层及第一导电特征上沉积第一蚀刻终止层，从而形成具有与第一介电材料层之区段自对准之富氧部分及与第一导电特征自对准之缺氧部分的第一蚀刻终止层。运行选择性移除制程以选择性移除第一蚀刻终止层之缺氧部分。在第一导电特征及第一蚀刻终止层之富氧部分上形成第二蚀刻终止层。在第二蚀刻终止层上形成第二介电材料层。在第二介电材料层中形成导电结构。
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公开(公告)号：TWI505359B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW102129154
申请日：2013-08-14
Inventor： 黃心巖 , HUANG, HSINYEN , 鄧志霖 , TENG, CHILIN , 陳海清 , CHEN, HAICHING , 包天一 , BAO, TIENI
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L21/76885 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201735253A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105138811
申请日：2016-11-25
Inventor： 黃心巖 , HUANG, HSIN YEN , 鄭凱方 , CHENG, KAI FANG , 鄧志霖 , TENG, CHI LIN , 李劭寬 , LEE, SHAO KUAN , 陳海清 , CHEN, HAI CHING
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/76865 , H01L21/76846 , H01L21/7685 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295
Abstract: 一種半導體裝置，包括一第一金屬導線層；一層間介電層，形成於第一金屬導線層上方；一第二金屬導線結構，埋置於該層間介電層中並連接至第一金屬導線層；以及一蝕刻停止層，設置於第一金屬導線層與層間介電層之間。蝕刻停止層包括一或多個子層。蝕刻停止層包括一第一子層，其係由鋁基絕緣材料、氧化鉿、氧化鋯或氧化鈦所製成。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，包括一第一金属导线层；一层间介电层，形成于第一金属导线层上方；一第二金属导线结构，埋置于该层间介电层中并连接至第一金属导线层；以及一蚀刻停止层，设置于第一金属导线层与层间介电层之间。蚀刻停止层包括一或多个子层。蚀刻停止层包括一第一子层，其系由铝基绝缘材料、氧化铪、氧化锆或氧化钛所制成。
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公开(公告)号：TW201714209A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105132604
申请日：2016-10-07
Inventor： 鄧志霖 , TENG, CHI LIN , 蔡榮訓 , TSAI, JUNG HSUN , 鄭凱方 , CHENG, KAI FANG , 黃心巖 , HUANG, HSIN YEN , 陳海清 , CHEN, HAI CHING , 包天一 , BAO, TIEN I
CPC classification number: H01L23/5329 , H01L21/283 , H01L21/31 , H01L21/31105 , H01L21/32051 , H01L21/32131 , H01L21/32133 , H01L21/76802 , H01L21/76879 , H01L21/76897 , H01L23/485 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L29/41783 , H01L29/45 , H01L29/456 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66477 , H01L29/78
Abstract: 於基板上形成多個高介電係數金屬閘極結構。高介電係數金屬閘極結構被多個間隙所隔開。高介電係數金屬閘極結構各包含第一介電層於高介電係數金屬閘極結構的上表面。以第一導電材料填充間隙。透過回蝕製程來於各間隙中移除部分的第一導電材料。使用旋轉塗佈沉積製程來形成金屬氧化層。於高介電係數金屬閘極結構上且於第一導電材料上形成金屬氧化層。於金屬氧化層上形成第二介電層。在第二介電層中蝕刻開口。開口被蝕刻貫穿第二介電層且貫穿金屬氧化層。以第二導電材料填充開口。
Abstract in simplified Chinese: 于基板上形成多个高介电系数金属闸极结构。高介电系数金属闸极结构被多个间隙所隔开。高介电系数金属闸极结构各包含第一介电层于高介电系数金属闸极结构的上表面。以第一导电材料填充间隙。透过回蚀制程来于各间隙中移除部分的第一导电材料。使用旋转涂布沉积制程来形成金属氧化层。于高介电系数金属闸极结构上且于第一导电材料上形成金属氧化层。于金属氧化层上形成第二介电层。在第二介电层中蚀刻开口。开口被蚀刻贯穿第二介电层且贯穿金属氧化层。以第二导电材料填充开口。
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公开(公告)号：TWI628743B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105138811
申请日：2016-11-25
Inventor： 黃心巖 , HUANG, HSIN YEN , 鄭凱方 , CHENG, KAI FANG , 鄧志霖 , TENG, CHI LIN , 李劭寬 , LEE, SHAO KUAN , 陳海清 , CHEN, HAI CHING
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/532
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公开(公告)号：TWI605518B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW105135086
申请日：2016-10-28
Inventor： 蔡榮訓 , TSAI, JUNG HSUN , 鄧志霖 , TENG, CHI LIN , 鄭凱方 , CHENG, KAI FANG , 黃心巖 , HUANG, HSIN YEN , 陳海清 , CHEN, HAI CHING , 包天一 , BAO, TIEN I , 黃建樺 , HUANG, CHIEN HUA
IPC: H01L21/311 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/0206 , H01L21/02071 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/0228 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/76807 , H01L21/76834 , H01L21/7684 , H01L21/76877 , H01L21/76897 , H01L23/528 , H01L23/53228 , H01L23/53238 , H01L23/53295
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公开(公告)号：TW201436037A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102129154
申请日：2013-08-14
Inventor： 黃心巖 , HUANG, HSINYEN , 鄧志霖 , TENG, CHILIN , 陳海清 , CHEN, HAICHING , 包天一 , BAO, TIENI
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L21/76885 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 揭露一種半導體元件及其製造方法。一實施例為一種半導體元件之製造方法，此方法包含形成第一導線於基板上與共形形成第一介電層於第一導線之上表面與側壁上，第一介電層具有第一孔隙率百分比與第一碳濃度。此方法更包含形成第二介電層於第一介電層上，此第二介電層具有第二孔隙率百分比與第二碳濃度，第二孔隙率百分比與第一孔隙率百分比不同，且第二碳濃度低於第一碳濃度。
Abstract in simplified Chinese: 揭露一种半导体组件及其制造方法。一实施例为一种半导体组件之制造方法，此方法包含形成第一导线于基板上与共形形成第一介电层于第一导线之上表面与侧壁上，第一介电层具有第一孔隙率百分比与第一碳浓度。此方法更包含形成第二介电层于第一介电层上，此第二介电层具有第二孔隙率百分比与第二碳浓度，第二孔隙率百分比与第一孔隙率百分比不同，且第二碳浓度低于第一碳浓度。
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