公开(公告)号：TWI619185B

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：TW105123223

申请日：2016-07-22

申请人： 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

发明人： 蘆原洋司 ,  ASHIHARA, HIROSHI ,  大橋直史 ,  OHASHI, NAOFUMI ,  竹田剛 ,  TAKEDA, TSUYOSHI ,  菊池俊之 ,  KIKUCHI, TOSHIYUKI

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/31 ,  H01L21/322 ,  H01L21/67 ,  G06F19/00

CPC分类号： H01L21/76879 ,  C23C16/045 ,  C23C16/14 ,  C23C16/24 ,  C23F1/12 ,  C23F3/04 ,  H01J37/32 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295

公开(公告)号：TW201802957A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106102982

申请日：2017-01-25

申请人： 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

发明人： 竹田剛 ,  TAKEDA, TSUYOSHI ,  芦原洋司 ,  ASHIHARA, HIROSHI ,  大橋直史 ,  OHASHI, NAOFUMI ,  菊池俊之 ,  KIKUCHI, TOSHIYUKI

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/4857 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7685 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295

摘要： 在形成氣隙的半導體裝置方面，提供可實現良好的特性的技術。為了解決上述課題，提供一種技術，包含：將具有第一配線層與第一防擴散膜的基板搬入至處理室的程序，該第一配線層係具有第一層間絕緣膜、形成於前述第一層間絕緣膜上並被用作為配線的複數個含銅膜、將前述含銅膜間進行絕緣的配線間絕緣膜、設於前述複數個含銅膜之間的空隙，該第一防擴散膜係被構成為被形成於前述含銅膜上表面的一部分的面上，並抑制前述含銅膜的成分的擴散；和對前述處理室供應含矽氣體，而在前述含銅膜之中未形成前述第一防擴散膜的其他部分的面上、在構成前述空隙的壁，形成含矽膜的程序。

简体摘要： 在形成气隙的半导体设备方面，提供可实现良好的特性的技术。为了解决上述课题，提供一种技术，包含：将具有第一配线层与第一防扩散膜的基板搬入至处理室的进程，该第一配线层系具有第一层间绝缘膜、形成于前述第一层间绝缘膜上并被用作为配线的复数个含铜膜、将前述含铜膜间进行绝缘的配线间绝缘膜、设于前述复数个含铜膜之间的空隙，该第一防扩散膜系被构成为被形成于前述含铜膜上表面的一部分的面上，并抑制前述含铜膜的成分的扩散；和对前述处理室供应含硅气体，而在前述含铜膜之中未形成前述第一防扩散膜的其他部分的面上、在构成前述空隙的壁，形成含硅膜的进程。

公开(公告)号：TW201725679A

公开(公告)日：2017-07-16

申请号：TW105133467

申请日：2016-10-17

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 鄭志楷 ,  CHENG, CHIH-KAI ,  謝政傑 ,  HSIEH, CHENG-CHIEH ,  黃詩雯 ,  HUANG, SHIH-WEN

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L24/32 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0221 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/08054 ,  H01L2224/08059 ,  H01L2224/32113 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 本揭露揭示一種具有一抗銲墊剝離結構之半導體裝置。該半導體裝置包含：一半導體基板，其包含一貫穿基板通路(TSV)；一介電層，其位於該半導體基板上且其中包含複數個凹槽；及一銲墊，其位於該半導體基板上方以覆蓋該介電層之一部分且延伸至該等凹槽；其中該銲墊延伸至該複數個凹槽，且該銲墊與導電層之間的複數個接觸點侷限於該等凹槽中，且當自一俯視觀點觀看時，該等接觸點中之每一者至少部分地在該TSV之一邊界之外。

简体摘要： 本揭露揭示一种具有一抗焊垫剥离结构之半导体设备。该半导体设备包含：一半导体基板，其包含一贯穿基板通路(TSV)；一介电层，其位于该半导体基板上且其中包含复数个凹槽；及一焊垫，其位于该半导体基板上方以覆盖该介电层之一部分且延伸至该等凹槽；其中该焊垫延伸至该复数个凹槽，且该焊垫与导电层之间的复数个接触点局限于该等凹槽中，且当自一俯视观点观看时，该等接触点中之每一者至少部分地在该TSV之一边界之外。

公开(公告)号：TW201724510A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105115006

申请日：2016-05-13

申请人： 西凱渥資訊處理科技公司 ,  SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： 馬森 傑瑞德F ,  MASON, JEROD F. ,  巴透 狄倫 查爾斯 ,  BARTLE, DYLAN CHARLES ,  懷特菲德 大衛 史考特 ,  WHITEFIELD, DAVID SCOTT

IPC分类号： H01L29/78 ,  H04B1/38 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/84 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/535 ,  H01L23/66 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/16 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/78 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15313 ,  H04B1/40 ,  H04B1/401 ,  H04B10/40 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/45099

摘要： 藉由以下操作來製造射頻(RF)裝置：提供一場效電晶體(FET)，該FET形成於在一基板層上形成之氧化物層上方；及移除該基板層之至少一部分以形成曝露該氧化物層之一背面之至少一部分的一開口，該開口經定位以增強該RF裝置之一或多個組件之RF效能。

简体摘要： 借由以下操作来制造射频(RF)设备：提供一场效应管(FET)，该FET形成于在一基板层上形成之氧化物层上方；及移除该基板层之至少一部分以形成曝露该氧化物层之一背面之至少一部分的一开口，该开口经定位以增强该RF设备之一或多个组件之RF性能。

公开(公告)号：TWI582973B

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：TW102118236

申请日：2013-05-23

申请人： 愛思開海力士有限公司 ,  SK HYNIX INC.

发明人： 李起洪 ,  LEE, KI HONG ,  皮昇浩 ,  PYI, SEUNG HO ,  田錫旼 ,  JEON, SEOK MIN

IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/7685 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/2481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI556291B

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW101148336

申请日：2012-12-19

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 費契爾 凱文 ,  FISCHER, KEVIN J.

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76852 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201618313A

公开(公告)日：2016-05-16

申请号：TW104125574

申请日：2015-08-06

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 西德爾 羅柏特 ,  SEIDEL, ROBERT ,  哈斯卡 托斯特 ,  HUISINGA, TORSTEN

IPC分类号： H01L29/92

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/7685 ,  H01L28/75

摘要： 本發明提供一種製造包括電容器結構的半導體裝置的方法，包括步驟：在半導體基板上方形成包括第一介電層以及充當該電容器結構的下電極的第一導電層的第一金屬化層，在該第一金屬化層上形成充當該電容器結構的電容器絕緣體的阻擋層，在該阻擋層上形成金屬層，以及蝕刻該金屬層以形成該電容器結構的上電極。

简体摘要： 本发明提供一种制造包括电容器结构的半导体设备的方法，包括步骤：在半导体基板上方形成包括第一介电层以及充当该电容器结构的下电极的第一导电层的第一金属化层，在该第一金属化层上形成充当该电容器结构的电容器绝缘体的阻挡层，在该阻挡层上形成金属层，以及蚀刻该金属层以形成该电容器结构的上电极。

公开(公告)号：TWI529808B

公开(公告)日：2016-04-11

申请号：TW104127959

申请日：2011-06-09

申请人： ASM國際股份有限公司 ,  ASM INTERNATIONAL N.V.

发明人： 賀加蘇維P‧ ,  HAUKKA,SUVI P. ,  尼森卡恩 安堤 ,  NISKANEN, ANTTI

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/7685 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02697 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883

公开(公告)号：TW201602423A

公开(公告)日：2016-01-16

申请号：TW104114757

申请日：2015-05-08

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 帕貝里可克里斯 ,  PABELICO, CHRIS ,  夏維羅伊 ,  SHAVIV, ROEY ,  克羅克約翰L ,  KLOCKE, JOHN L. ,  艾密許伊斯梅爾T ,  EMESH, ISMAIL T.

IPC分类号： C25D3/38 ,  C25D5/00 ,  C25D5/50 ,  C25D7/12 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76882 ,  C25D3/32 ,  C25D3/38 ,  C25D5/10 ,  C25D5/12 ,  C25D5/50 ,  C25D5/505 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76883 ,  H01L2221/1089

摘要： 一種用於至少部分地填充工件上之特徵的方法，該方法包括使用鍍覆電解液在工件上形成的晶種層上電化學沉積金屬化層，該鍍覆電解液具有至少一種鍍覆金屬離子，約6至約13之pH範圍，有機添加劑，及第一金屬錯合劑與第二金屬錯合劑。

简体摘要： 一种用于至少部分地填充工件上之特征的方法，该方法包括使用镀复电解液在工件上形成的晶种层上电化学沉积金属化层，该镀复电解液具有至少一种镀覆金属离子，约6至约13之pH范围，有机添加剂，及第一金属错合剂与第二金属错合剂。

公开(公告)号：TW201428952A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：TW102118236

申请日：2013-05-23

申请人： 愛思開海力士有限公司 ,  SK HYNIX INC.

发明人： 李起洪 ,  LEE, KI HONG ,  皮昇浩 ,  PYI, SEUNG HO ,  田錫旼 ,  JEON, SEOK MIN

IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/7685 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/2481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一種半導體裝置，包括：基板，所述基板中限定了單元區和接觸區；焊盤結構，前述焊盤結構包括在基板的接觸區中彼此交替地形成的多個第一導電層和多個第一絕緣層，其中，前述焊盤結構的端部被圖案化為臺階狀，前述第一導電層的在前述焊盤結構的端部暴露的部分被定義為多個焊盤部分，並且前述多個焊盤部分具有比前述多個第一導電層的未暴露的部分大的厚度。

简体摘要： 一种半导体设备，包括：基板，所述基板中限定了单元区和接触区；焊盘结构，前述焊盘结构包括在基板的接触区中彼此交替地形成的多个第一导电层和多个第一绝缘层，其中，前述焊盘结构的端部被图案化为台阶状，前述第一导电层的在前述焊盘结构的端部暴露的部分被定义为多个焊盘部分，并且前述多个焊盘部分具有比前述多个第一导电层的未暴露的部分大的厚度。