公开(公告)号：TWI440162B

公开(公告)日：2014-06-01

申请号：TW098122521

申请日：2009-07-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 莊學理 ,  CHUANG, HARRY ,  李宗吉 ,  LEE, TZUNG CHI ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  鍾昇鎮 ,  CHUNG, SHENG CHEN ,  梁孟松 ,  LIANG, MONG SONG

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/11 ,  H01L29/94

公开(公告)号：TWI668745B

公开(公告)日：2019-08-11

申请号：TW106134235

申请日：2017-10-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李宗吉 ,  LEE, TZUNG CHI ,  謝東衡 ,  HSIEH, TUNG HENG ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  范家聲 ,  FAN, CHIA SHENG

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/033 ,  H01L21/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201839817A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：TW106134235

申请日：2017-10-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李宗吉 ,  LEE, TZUNG CHI ,  謝東衡 ,  HSIEH, TUNG HENG ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  范家聲 ,  FAN, CHIA SHENG

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/033 ,  H01L21/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 本揭露提供一種金屬閘極結構和包含形成第一鰭片與第二鰭片於基材上之相關方法。在各種實施例中，第一鰭片具有第一閘極區域，且第二鰭片具有第二閘極區域。作為一例子，金屬閘極線係形成於第一閘極區域和第二閘極區域上。在一些實施例中，金屬閘極線從第一鰭片延伸至第二鰭片，且金屬閘極線包含犧牲金屬部分。在各種例子中，進行線切割製程，以將金屬閘極線分割為第一金屬閘極線和第二金屬閘極線。在一些實施例中，於線切割製程中，犧牲金屬部分避免了介電層之橫向蝕刻。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种金属闸极结构和包含形成第一鳍片与第二鳍片于基材上之相关方法。在各种实施例中，第一鳍片具有第一闸极区域，且第二鳍片具有第二闸极区域。作为一例子，金属闸极线系形成于第一闸极区域和第二闸极区域上。在一些实施例中，金属闸极线从第一鳍片延伸至第二鳍片，且金属闸极线包含牺牲金属部分。在各种例子中，进行线切割制程，以将金属闸极线分割为第一金属闸极线和第二金属闸极线。在一些实施例中，于线切割制程中，牺牲金属部分避免了介电层之横向蚀刻。

公开(公告)号：TW201818548A

公开(公告)日：2018-05-16

申请号：TW106112644

申请日：2017-04-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李宗吉 ,  LEE, TZUNG CHI ,  謝東衡 ,  HSIEH, TUNG HENG ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  張永豐 ,  CHANG, YUNG FENG

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/60 ,  H01L21/335

Abstract: 一種半導體裝置及其製造方法。一芯軸被形成在包括一第一區域和一第二區域的一主動區域上。第一區域與第二區域分別被保留用於一鰭狀場效電晶體的一源極與一汲極的形成。形成於第二區域上方的芯軸的一部分被分解成一第一區段以及藉由一間隙而與第一區段分開的一第二區段。間隔物被形成在芯軸的相對側上。使用間隔物定義鰭片。鰭片自主動區域向上突出。對應於間隙的第二區域的一部分沒有鰭片形成在其上。源極被磊晶成長在第一區域中的鰭片上。汲極的至少一部分磊晶成長在第二區域不具鰭片的部分上。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备及其制造方法。一芯轴被形成在包括一第一区域和一第二区域的一主动区域上。第一区域与第二区域分别被保留用于一鳍状场效应管的一源极与一汲极的形成。形成于第二区域上方的芯轴的一部分被分解成一第一区段以及借由一间隙而与第一区段分开的一第二区段。间隔物被形成在芯轴的相对侧上。使用间隔物定义鳍片。鳍片自主动区域向上突出。对应于间隙的第二区域的一部分没有鳍片形成在其上。源极被磊晶成长在第一区域中的鳍片上。汲极的至少一部分磊晶成长在第二区域不具鳍片的部分上。

公开(公告)号：TWI393244B

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：TW098127817

申请日：2009-08-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 賴素貞 ,  LAI, SU CHEN ,  吳明園 ,  WU, MING YUAN ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAK-LAY ,  葉炅翰 ,  YEH, CHIUNG HAN ,  張宏迪 ,  CHANG, HONG DYI ,  郭正誠 ,  KUO, CHENG CHENG ,  吳建宏 ,  WU, CHIEN HUNG ,  李宗吉 ,  LEE, TZUNG CHI

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/823437 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/08