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公开(公告)号：TWI653710B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW106135767
申请日：2017-10-18
Inventor： 范家聲 , FAN, CHIA SHENG , 林俊言 , LIN, CHUN YEN , 謝東衡 , HSIEH, TUNG HENG , 楊寶如 , YOUNG, BAO RU
IPC: H01L21/76
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公开(公告)号：TWI642195B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW106135541
申请日：2017-10-17
Inventor： 王勝雄 , WANG, SHENG HSIUNG , 張永豐 , CHANG, YUNG FENG , 謝東衡 , HSIEH, TUNG HENG
IPC: H01L29/78 , H01L29/772 , H01L21/28 , H01L21/335
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公开(公告)号：TW201421692A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102140430
申请日：2013-11-07
Inventor： 吳宗霖 , WU, TSUNG LIN , 謝東衡 , HSIEH, TUNG HENG , 郭俊銘 , KUO, JIUN MING , 蔣敏雄 , CHIANG, MIN HSIUNG , 許哲源 , HSU, CHE YUAN
CPC classification number: H01L23/585 , H01L21/76895 , H01L21/823437 , H01L21/823475 , H01L23/5386 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L29/0649 , H01L29/4238 , H01L29/66477 , H01L29/78 , H01L29/7833
Abstract: 本發明揭露一種半導體裝置，包括一主動區，位於一半導體基板內。一帶狀閘極橫跨主動區上方。一階差結構(jog)位於主動區上且連接至帶狀閘極，以形成一連續區域，其中階差結構位於帶狀閘極的一側上。一第一接觸插塞與帶狀閘極位於一相同層位，其中第一接觸插塞，位於帶狀閘極的該側上。一第二接觸插塞位於階差結構及第一接觸插塞上，其中第二接觸插塞電性內連接至第一接觸插塞及階差結構。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种半导体设备，包括一主动区，位于一半导体基板内。一带状闸极横跨主动区上方。一阶差结构(jog)位于主动区上且连接至带状闸极，以形成一连续区域，其中阶差结构位于带状闸极的一侧上。一第一接触插塞与带状闸极位于一相同层位，其中第一接触插塞，位于带状闸极的该侧上。一第二接触插塞位于阶差结构及第一接触插塞上，其中第二接触插塞电性内连接至第一接触插塞及阶差结构。
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公开(公告)号：TWI663521B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW106135771
申请日：2017-10-18
Inventor： 廖顯煌 , LIAO, HSIEN HUANG , 謝東衡 , HSIEH, TUNG HENG , 楊寶如 , YOUNG, BAO RU , 張永豐 , CHANG, YUNG FENG
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公开(公告)号：TW201731023A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105134960
申请日：2016-10-28
Inventor： 黃意君 , HUANG, YI JYUN , 謝東衡 , HSIEH, TUNG HENG , 楊寶如 , YOUNG, BAO RU
IPC: H01L21/768 , H01L21/8232 , H01L27/088
CPC classification number: H01L29/41791 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/28247 , H01L21/31105 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L21/823431 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/401 , H01L29/41783 , H01L29/66545 , H01L29/66795
Abstract: 本發明實施例提供一種半導體裝置，包括鰭結構、第一閘極結構、第二閘極結構、源極/汲極區、源極/汲極接觸、分隔物和接觸源極/汲極接觸之介層孔插塞和接觸介層孔插塞之導線。鰭結構突出於隔絕絕緣層且以第一方向延伸。第一閘極結構和第二閘極結構，形成於鰭結構上方且以交叉於第一方向的第二方向延伸。源/汲極區設置於第一閘極結構和第二閘極結構之間。層間絕緣層設置於鰭結構、第一閘極結構、第二閘極結構和源/汲極區上方。源極/汲極接觸層，設置於源/汲極區上。分隔物設置相鄰於源極/汲極接觸。第一閘極結構的末端、第二閘極結構的末端和源極/汲極接觸的末端接觸分隔物的相同面。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种半导体设备，包括鳍结构、第一闸极结构、第二闸极结构、源极/汲极区、源极/汲极接触、分隔物和接触源极/汲极接触之介层孔插塞和接触介层孔插塞之导线。鳍结构突出于隔绝绝缘层且以第一方向延伸。第一闸极结构和第二闸极结构，形成于鳍结构上方且以交叉于第一方向的第二方向延伸。源/汲极区设置于第一闸极结构和第二闸极结构之间。层间绝缘层设置于鳍结构、第一闸极结构、第二闸极结构和源/汲极区上方。源极/汲极接触层，设置于源/汲极区上。分隔物设置相邻于源极/汲极接触。第一闸极结构的末端、第二闸极结构的末端和源极/汲极接触的末端接触分隔物的相同面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI573225B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104133640
申请日：2015-10-14
Inventor： 謝東衡 , HSIEH, TUNG HENG , 莊惠中 , ZHUANG, HUI ZHONG , 林仲德 , LIN, CHUNG TE , 江庭瑋 , CHIANG, TING WEI , 王勝雄 , WANG, SHENG HSIUNG , 田麗鈞 , TIEN, LI CHUN
IPC: H01L21/768 , H01L27/088 , H01L29/40 , H01L23/535
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L21/823475 , H01L23/485 , H01L23/535 , H01L27/088 , H01L29/401 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI559509B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW104131729
申请日：2015-09-25
Inventor： 謝東衡 , HSIEH, TUNG HENG , 莊惠中 , ZHUANG, HUI ZHONG , 林仲德 , LIN, CHUNG TE , 江庭瑋 , CHIANG, TING WEI , 王勝雄 , WANG, SHENG HSIUNG , 田麗鈞 , TIEN, LI CHUN
IPC: H01L27/118
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/5286 , H01L23/53271 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI672751B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW106135539
申请日：2017-10-17
Inventor： 王勝雄 , WANG, SHENG HSIUNG , 謝東衡 , HSIEH, TUNG HENG , 楊寶如 , YOUNG, BAO RU
IPC: H01L21/60
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公开(公告)号：TWI668745B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW106134235
申请日：2017-10-03
Inventor： 李宗吉 , LEE, TZUNG CHI , 謝東衡 , HSIEH, TUNG HENG , 楊寶如 , YOUNG, BAO RU , 范家聲 , FAN, CHIA SHENG
IPC: H01L21/28 , H01L21/033 , H01L21/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/78
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公开(公告)号：TWI628692B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105134961
申请日：2016-10-28
Inventor： 黃意君 , HUANG, YI JYUN , 謝東衡 , HSIEH, TUNG HENG , 楊寶如 , YOUNG, BAO RU
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/311 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/66
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