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公开(公告)号：TWI433265B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW098127357
申请日：2009-08-14
发明人： 鍾昇鎮 , CHUNG, SHENG CHEN , 鄭光茗 , THEI, KONG BENG , 莊學理 , CHUANG, HARRY
IPC分类号： H01L21/762 , H01L23/60
CPC分类号： H01L23/5256 , H01L21/823878 , H01L27/0629 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI408735B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：TW098115789
申请日：2009-05-13
发明人： 廖舜章 , LIAO, SHUN JANG , 鍾昇鎮 , CHUNG, SHENG CHEN , 鄭光茗 , THEI, KONG BENG , 莊學理 , CHUANG, HARRY
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/823412 , H01L21/823418 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L29/4966 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/66628 , H01L29/7834 , H01L29/7848
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公开(公告)号：TW201320166A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101150030
申请日：2009-05-13
发明人： 廖舜章 , LIAO, SHUN JANG , 鍾昇鎮 , CHUNG, SHENG CHEN , 鄭光茗 , THEI, KONG BENG , 莊學理 , CHUANG, HARRY
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/823412 , H01L21/823418 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L29/4966 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/66628 , H01L29/7834 , H01L29/7848
摘要： 本發明提供一種含高介電常數金屬閘極結構之半導體元件的製造方法。提供一包含虛置閘極結構(例如犧牲多晶矽閘極)的基材，一第一及第二硬罩幕層位於此虛置閘極結構上方。在一實施例中，一應變區形成在此基材上。在形成此應變區之後，移除此第二硬罩幕層。形成一源/汲極區，接著在此基材上形成一層間介電層(ILD)。在進行一化學機械研磨(CMP)製程平坦化此層間介電層時，可用此第一硬罩幕層作為停止層。此化學機械研磨製程可持續進行以移除此第一硬罩幕層。移除此虛置閘極結構並形成一金屬閘極。
简体摘要： 本发明提供一种含高介电常数金属闸极结构之半导体组件的制造方法。提供一包含虚置闸极结构(例如牺牲多晶硅闸极)的基材，一第一及第二硬罩幕层位于此虚置闸极结构上方。在一实施例中，一应变区形成在此基材上。在形成此应变区之后，移除此第二硬罩幕层。形成一源/汲极区，接着在此基材上形成一层间介电层(ILD)。在进行一化学机械研磨(CMP)制程平坦化此层间介电层时，可用此第一硬罩幕层作为停止层。此化学机械研磨制程可持续进行以移除此第一硬罩幕层。移除此虚置闸极结构并形成一金属闸极。
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公开(公告)号：TWI382498B
公开(公告)日：2013-01-11
申请号：TW098129694
申请日：2009-09-03
发明人： 鍾昇鎮 , CHUNG, SHENG CHEN , 鄭光茗 , THEI, KONG BENG , 莊學理 , CHUANG, HARRY
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/027 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L21/28052 , H01L21/28088 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66545
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公开(公告)号：TWI478247B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW101128181
申请日：2012-08-06
发明人： 莊學理 , CHUANG, HARRY HAK-LAY , 鍾昇鎮 , CHUNG, SHENG CHEN , 吳偉成 , WU, WEI CHENG , 楊寶如 , YOUNG, BAO RU , 林煥哲 , LIN, HUAN JUST , 李再春 , LI, TSAI CHUN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/04
CPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28114 , H01L21/76805 , H01L21/76816 , H01L21/823842 , H01L29/41775 , H01L29/42376 , H01L29/4966 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI412070B
公开(公告)日：2013-10-11
申请号：TW098128776
申请日：2009-08-27
发明人： 鍾昇鎮 , CHUNG, SHENG CHEN , 鄭光茗 , THEI, KONG BENG , 莊學理 , CHUANG, HARRY
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L21/28088 , H01L29/66545
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公开(公告)号：TWI396254B
公开(公告)日：2013-05-11
申请号：TW098131332
申请日：2009-09-17
发明人： 莊學理 , CHUANG, HARRY , 鄭光茗 , THEI, KONG BENG , 鍾昇鎮 , CHUNG, SHENG CHEN , 梁孟松 , LIANG, MONG SONG
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76895 , H01L21/823475 , H01L27/088 , H01L29/4238
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公开(公告)号：TWI393220B
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：TW098130696
申请日：2009-09-11
发明人： 葉炅翰 , YEH, CHIUNG HAN , 鍾昇鎮 , CHUNG, SHENG CHEN , 鄭光茗 , THEI, KONG BENG , 莊學理 , CHUANG, HARRY HAK-LAY
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L21/28088 , H01L29/517 , H01L29/66545
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公开(公告)号：TWI390708B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW098129005
申请日：2009-08-28
发明人： 迪雅茲 卡羅斯H , DIAZ, CARLOS H. , 許義明 , HSU, YI MING , 王志慶 , WANG, ANSON , 莊學理 , CHUANG, HARRY , 鄭光茗 , THEI, KONG BENG , 鍾昇鎮 , CHUNG, SHENG CHEN , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI , 鄭心圃 , JENG, SHIN PUU
IPC分类号： H01L27/088
CPC分类号： H01L21/823807 , H01L21/823828 , H01L27/0207 , H01L29/165 , H01L29/66628 , H01L29/7848
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公开(公告)号：TW201327724A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101148608
申请日：2012-12-20
发明人： 鍾昇鎮 , CHUNG, SHENG CHEN , 朱鳴 , ZHU, MING , 莊學理 , CHUANG, HARRY HAK-LAY , 楊寶如 , YOUNG, BAO RU , 吳偉成 , WU, WEI CHENG , 梁家銘 , LIANG, CHIA MING , 吳欣樺 , WU, SIN HUA
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/28088 , H01L21/823807 , H01L21/823842 , H01L21/823857 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L29/7843 , H01L29/7848
摘要： 一種金氧半導體裝置的製作方法，包括形成一p型金氧半導體裝置。此方法包括形成一閘極介電層於一半導體基板上之p型金氧半導體裝置區域內、形成一第一含金屬層於p型金氧半導體裝置區域內之上述閘極介電層上、使用一含氧製程氣體實施一處理於此p型金氧半導體裝置區域內之第一含金屬層、及形成一第二含金屬層於此p型金氧半導體裝置區域內之第一含金屬層上。上述第二含金屬層的功函數小於矽之中間能隙功函數。上述第一含金屬層及第二含金屬層形成上述p型金氧半導體裝置之閘極。
简体摘要： 一种金属氧化物半导体设备的制作方法，包括形成一p型金属氧化物半导体设备。此方法包括形成一闸极介电层于一半导体基板上之p型金属氧化物半导体设备区域内、形成一第一含金属层于p型金属氧化物半导体设备区域内之上述闸极介电层上、使用一含氧制程气体实施一处理于此p型金属氧化物半导体设备区域内之第一含金属层、及形成一第二含金属层于此p型金属氧化物半导体设备区域内之第一含金属层上。上述第二含金属层的功函数小于硅之中间能隙功函数。上述第一含金属层及第二含金属层形成上述p型金属氧化物半导体设备之闸极。
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