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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI645555B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW106135467
申请日：2017-10-17
Inventor： 張朝欽 , CHANG, CHAO CHING , 李昇展 , LI, SHENG CHAN , 周正賢 , CHOU, CHENG HSIEN , 黃琮偉 , HUANG, TSUNG WEI , 林明輝 , LIN, MIN HUI , 林藝民 , LIN, YI MING
IPC: H01L27/146
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公开(公告)号：TW201731085A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105139890
申请日：2016-12-02
Inventor： 張朝欽 , CHANG, CHAO CHING , 周佳興 , CHOU, CHIA HSING , 吳正一 , WU, CHENG YI , 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 蔡建欣 , TSAI, JIAN SHIN , 林明輝 , LIN, MIN HUI , 林藝民 , LIN, YI MING , 李錦思 , LEE, CHIN SZU , 李昇展 , LI, SHENG CHAN
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/76224 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14683
Abstract: 本發明實施例揭露半導體影像感測裝置及其製造方法。所述半導體影像感測裝置包含基底、第一畫素及第二畫素以及隔離結構。所述第一畫素及所述第二畫素安置於所述基底中，其中所述第一畫素及所述第二畫素為相鄰畫素。所述隔離結構安置於所述基底中且在所述第一畫素與所述第二畫素之間，其中所述隔離結構包含介電層，且所述介電層包含氧碳氮化矽（SiOCN）。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例揭露半导体影像传感设备及其制造方法。所述半导体影像传感设备包含基底、第一像素及第二像素以及隔离结构。所述第一像素及所述第二像素安置于所述基底中，其中所述第一像素及所述第二像素为相邻像素。所述隔离结构安置于所述基底中且在所述第一像素与所述第二像素之间，其中所述隔离结构包含介电层，且所述介电层包含氧碳氮化硅（SiOCN）。
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公开(公告)号：TW201911551A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW106135467
申请日：2017-10-17
Inventor： 張朝欽 , CHANG, CHAO CHING , 李昇展 , LI, SHENG CHAN , 周正賢 , CHOU, CHENG HSIEN , 黃琮偉 , HUANG, TSUNG WEI , 林明輝 , LIN, MIN HUI , 林藝民 , LIN, YI MING
IPC: H01L27/146
Abstract: 一種影像感測裝置之製造方法，包括提供具有前表面及背表面的一基底。上述方法包括去除基底的一第一部分，以形成一第一溝槽。上述方法包括形成一第一隔離結構於第一溝槽內，第一隔離結構具有上表面。上述方法包括去除第一隔離溝槽的一第二部分及基底的一第三部分，以形成穿過第一隔離結構並延伸於基底內的一第二溝槽。上述方法包括形成一第二隔離結構於第二溝槽內。上述方法包括形成一光感測區於基底內。上述方法包括去除基底的一第四部分，以露出第二隔離結構的一第一底部及光感測區的背側。
Abstract in simplified Chinese: 一种影像传感设备之制造方法，包括提供具有前表面及背表面的一基底。上述方法包括去除基底的一第一部分，以形成一第一沟槽。上述方法包括形成一第一隔离结构于第一沟槽内，第一隔离结构具有上表面。上述方法包括去除第一隔离沟槽的一第二部分及基底的一第三部分，以形成穿过第一隔离结构并延伸于基底内的一第二沟槽。上述方法包括形成一第二隔离结构于第二沟槽内。上述方法包括形成一光传感区于基底内。上述方法包括去除基底的一第四部分，以露出第二隔离结构的一第一底部及光传感区的背侧。
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公开(公告)号：TWI638408B
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW106112965
申请日：2017-04-18
Inventor： 盧祈鳴 , LU, CHI MING , 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 李昇展 , LI, SHENG CHAN , 曹榮志 , TSAO, JUNG CHIH , 梁耀祥 , LIANG, YAO HSIANG
IPC: H01L21/3205 , H01L27/146
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公开(公告)号：TW201806032A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106112965
申请日：2017-04-18
Inventor： 盧祈鳴 , LU, CHI MING , 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 李昇展 , LI, SHENG CHAN , 曹榮志 , TSAO, JUNG CHIH , 梁耀祥 , LIANG, YAO HSIANG
IPC: H01L21/3205 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/32051 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636
Abstract: 一種半導體裝置的製造方法包括形成具有一第一應力型態以及一第一應力強度的一第一薄膜於一基板之上，以及形成具有一第二應力型態以及一第二應力強度的一第二薄膜於第一薄膜之上。第一應力型態與第二應力型態不同。第一應力強度的值與第二應力強度的值大致相同。第二薄膜藉由第一薄膜補償不平坦的基板的一應力誘導效應。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备的制造方法包括形成具有一第一应力型态以及一第一应力强度的一第一薄膜于一基板之上，以及形成具有一第二应力型态以及一第二应力强度的一第二薄膜于第一薄膜之上。第一应力型态与第二应力型态不同。第一应力强度的值与第二应力强度的值大致相同。第二薄膜借由第一薄膜补偿不平坦的基板的一应力诱导效应。
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