Patent search ap:("台灣積體電路製造股份有限公司" OR "TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO. Page LTD.") AND inv:"黃志輝"

1.

发明专利
鍵合方法及裝置有权
Simplified title: 键合方法及设备

公开(公告)号：TWI523121B

公开(公告)日：2016-02-21

申请号：TW102149205

申请日：2013-12-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 劉丙寅 , LIU, PING YIN , 黃信華 , HUANG, XIN HUA , 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 趙蘭璘 , CHAO, LAN LIN , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN , 盧彥池 , LU, YAN CHIH , 施俊吉 , SZE, JHY JYI , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG

IPC: H01L21/50 , H01L21/324

CPC classification number: H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/74 , H01L24/80 , H01L24/94 , H01L2224/08145 , H01L2224/74 , H01L2224/7501 , H01L2224/7525 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/753 , H01L2224/757 , H01L2224/7598 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80065 , H01L2224/80075 , H01L2224/80121 , H01L2224/80204 , H01L2224/80209 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80907 , H01L2224/80948 , H01L2224/94 , H01L2924/01322 , H01L2924/00012 , H01L2224/80 , H01L2924/00

2.

发明专利
背照式影像偵測元件與其形成方法有权
Simplified title: 背照式影像侦测组件与其形成方法

公开(公告)号：TWI456747B

公开(公告)日：2014-10-11

申请号：TW100106616

申请日：2011-03-01

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 蔡正原 , TSAI, CHENG YUAN , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14625 , H01L27/14685

3.

发明专利
多個被接合的半導體晶圓及其接合方法有权
Simplified title: 多个被接合的半导体晶圆及其接合方法

公开(公告)号：TWI692818B

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：TW108102517

申请日：2019-01-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李昇展 , LI, SHENG-CHAN , 周正賢 , CHOU, CHENG-HSIEN , 蔡正原 , TSAI, CHENG-YUAN , 黃志輝 , HUANG, CHIH-HUI , 吳國銘 , WU, KUO-MING

IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/00 , H01L23/538

4.

发明专利
半導體基板、混成接合結構及混成接合基板的形成方法审中-公开
Simplified title: 半导体基板、混成接合结构及混成接合基板的形成方法

公开(公告)号：TW201417227A

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：TW102134695

申请日：2013-09-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 劉丙寅 , LIU, PING YIN , 陳思瑩 , CHEN, SZU YING , 王銓中 , WANG, CHEN JONG , 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 黃信華 , HUANG, XIN HUA , 趙蘭璘 , CHAO, LAN LIN , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 陳曉萌 , CHEN, XIAOMENG

IPC: H01L23/48 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/03 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/05026 , H01L2224/0508 , H01L2224/05147 , H01L2224/05187 , H01L2224/05547 , H01L2224/05553 , H01L2224/05564 , H01L2224/05571 , H01L2224/05576 , H01L2224/05578 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/08121 , H01L2224/08147 , H01L2224/80121 , H01L2224/80203 , H01L2225/06513 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05032 , H01L2924/0504 , H01L2924/05442 , H01L2924/00012 , H01L2924/05042 , H01L2924/059 , H01L2224/05552

Abstract: 本發明實施例之擴散阻障層係提供形成一銅擴散阻障層的機制，以避免因晶圓混成接合造成元件衰退。擴散阻障層係包圍用於混成接合製程的含銅導電墊。擴散阻障層可位於兩個接合晶片的其中之一上或位於兩個接合晶片上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例之扩散阻障层系提供形成一铜扩散阻障层的机制，以避免因晶圆混成接合造成组件衰退。扩散阻障层系包围用于混成接合制程的含铜导电垫。扩散阻障层可位于两个接合芯片的其中之一上或位于两个接合芯片上。

5.

发明专利
半導體影像感測裝置审中-公开
Simplified title: 半导体影像传感设备

公开(公告)号：TW201731085A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105139890

申请日：2016-12-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張朝欽 , CHANG, CHAO CHING , 周佳興 , CHOU, CHIA HSING , 吳正一 , WU, CHENG YI , 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 蔡建欣 , TSAI, JIAN SHIN , 林明輝 , LIN, MIN HUI , 林藝民 , LIN, YI MING , 李錦思 , LEE, CHIN SZU , 李昇展 , LI, SHENG CHAN

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/76224 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14683

Abstract: 本發明實施例揭露半導體影像感測裝置及其製造方法。所述半導體影像感測裝置包含基底、第一畫素及第二畫素以及隔離結構。所述第一畫素及所述第二畫素安置於所述基底中，其中所述第一畫素及所述第二畫素為相鄰畫素。所述隔離結構安置於所述基底中且在所述第一畫素與所述第二畫素之間，其中所述隔離結構包含介電層，且所述介電層包含氧碳氮化矽（SiOCN）。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例揭露半导体影像传感设备及其制造方法。所述半导体影像传感设备包含基底、第一像素及第二像素以及隔离结构。所述第一像素及所述第二像素安置于所述基底中，其中所述第一像素及所述第二像素为相邻像素。所述隔离结构安置于所述基底中且在所述第一像素与所述第二像素之间，其中所述隔离结构包含介电层，且所述介电层包含氧碳氮化硅（SiOCN）。

6.

发明专利
半導體裝置的製造方法有权
Simplified title: 半导体设备的制造方法

公开(公告)号：TWI638408B

公开(公告)日：2018-10-11

申请号：TW106112965

申请日：2017-04-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 盧祈鳴 , LU, CHI MING , 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 李昇展 , LI, SHENG CHAN , 曹榮志 , TSAO, JUNG CHIH , 梁耀祥 , LIANG, YAO HSIANG

IPC: H01L21/3205 , H01L27/146

7.

发明专利
半導體裝置的製造方法审中-公开
Simplified title: 半导体设备的制造方法

公开(公告)号：TW201806032A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106112965

申请日：2017-04-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 盧祈鳴 , LU, CHI MING , 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 李昇展 , LI, SHENG CHAN , 曹榮志 , TSAO, JUNG CHIH , 梁耀祥 , LIANG, YAO HSIANG

IPC: H01L21/3205 , H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14685 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/32051 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636

Abstract: 一種半導體裝置的製造方法包括形成具有一第一應力型態以及一第一應力強度的一第一薄膜於一基板之上，以及形成具有一第二應力型態以及一第二應力強度的一第二薄膜於第一薄膜之上。第一應力型態與第二應力型態不同。第一應力強度的值與第二應力強度的值大致相同。第二薄膜藉由第一薄膜補償不平坦的基板的一應力誘導效應。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备的制造方法包括形成具有一第一应力型态以及一第一应力强度的一第一薄膜于一基板之上，以及形成具有一第二应力型态以及一第二应力强度的一第二薄膜于第一薄膜之上。第一应力型态与第二应力型态不同。第一应力强度的值与第二应力强度的值大致相同。第二薄膜借由第一薄膜补偿不平坦的基板的一应力诱导效应。