公开(公告)号：TW201703122A

公开(公告)日：2017-01-16

申请号：TW105102314

申请日：2016-01-26

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 陳建穎 ,  CHEN, CHANG YIN ,  張家瑋 ,  CHANG, CHAI WEI ,  廖家陽 ,  LIAO, CHIA YANG ,  楊柏峰 ,  YOUNG, BO FENG

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/8232 ,  H01L29/41 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7856

摘要： 本揭露提供一種鰭式場效電晶體元件結構(FinFET device structure)，包括：一鰭式結構，形成於一基板之上；以及一閘極結構，橫跨於該鰭式結構之上，其中該閘極結構包括一閘極電極層，其中該閘極電極層包括一上部份高於該鰭式結構與一下部份低於該鰭式結構，該上部份具有一頂表面，該下部份具有一底表面，該頂表面具有一第一寬度，該底表面具有一第二寬度，且該第一寬度大於該第二寬度。

简体摘要： 本揭露提供一种鳍式场效应管组件结构(FinFET device structure)，包括：一鳍式结构，形成于一基板之上；以及一闸极结构，横跨于该鳍式结构之上，其中该闸极结构包括一闸极电极层，其中该闸极电极层包括一上部份高于该鳍式结构与一下部份低于该鳍式结构，该上部份具有一顶表面，该下部份具有一底表面，该顶表面具有一第一宽度，该底表面具有一第二宽度，且该第一宽度大于该第二宽度。

公开(公告)号：TWI647748B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：TW105102314

申请日：2016-01-26

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 陳建穎 ,  CHEN, CHANG YIN ,  張家瑋 ,  CHANG, CHAI WEI ,  廖家陽 ,  LIAO, CHIA YANG ,  楊柏峰 ,  YOUNG, BO FENG

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/8232 ,  H01L29/41 ,  H01L29/772