公开(公告)号：TWI540697B

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW104100365

申请日：2015-01-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 廖御傑 ,  LIAO, YU CHIEH ,  莊正吉 ,  CHUANG, CHENG CHI ,  楊岱宜 ,  YANG, TAI I ,  林天祿 ,  LIN, TIEN LU ,  吳永旭 ,  WU, YUNG HSU

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/768 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI575735B

公开(公告)日：2017-03-21

申请号：TW104132971

申请日：2015-10-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊岱宜 ,  YANG, TAI I ,  廖御傑 ,  LIAO, YU CHIEH ,  林天祿 ,  LIN, TIEN LU ,  包天一 ,  BAO, TIEN I

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53257 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201616651A

公开(公告)日：2016-05-01

申请号：TW104132971

申请日：2015-10-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊岱宜 ,  YANG, TAI I ,  廖御傑 ,  LIAO, YU CHIEH ,  林天祿 ,  LIN, TIEN LU ,  包天一 ,  BAO, TIEN I

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53257 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明實施例提供一種半導體裝置結構。上述半導體裝置結構包括一半導體基底。上述半導體裝置結構包括位於半導體基底上方的一第一介電層。上述半導體裝置結構包括嵌入於上述第一介電層中的一第一導線。上述半導體裝置結構包括位於上述第一介電層和上述第一導線上方的一第二介電層。上述半導體裝置結構包括位於上述第二介電層上方的一第二導線。上述第二介電層位於上述第一導線和上述第二導線之間。上述半導體裝置結構包括穿過上述第二介電層以將上述第一導線電連接至上述第二導線的複數個導電柱。上述導電柱彼此間隔開。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种半导体设备结构。上述半导体设备结构包括一半导体基底。上述半导体设备结构包括位于半导体基底上方的一第一介电层。上述半导体设备结构包括嵌入于上述第一介电层中的一第一导线。上述半导体设备结构包括位于上述第一介电层和上述第一导在线方的一第二介电层。上述半导体设备结构包括位于上述第二介电层上方的一第二导线。上述第二介电层位于上述第一导线和上述第二导线之间。上述半导体设备结构包括穿过上述第二介电层以将上述第一导线电连接至上述第二导线的复数个导电柱。上述导电柱彼此间隔开。

公开(公告)号：TW201535656A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：TW104100365

申请日：2015-01-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 廖御傑 ,  LIAO, YU CHIEH ,  莊正吉 ,  CHUANG, CHENG CHI ,  楊岱宜 ,  YANG, TAI I ,  林天祿 ,  LIN, TIEN LU ,  吳永旭 ,  WU, YUNG HSU

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/768 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本揭露提供一種半導體配置及其形成方法。該半導體配置包括一內連線，其包括一內連線金屬栓，為一第二金屬層所包圍。該內連線鄰近一介電層之一側壁，使得該內連線與該介電層之該側壁之間形成一氣隙。一保護阻障層，於該內連線與該氣隙上，並覆蓋該介電層之一上表面，且直接與該介電層之該上表面物理性接觸。被該第二金屬層包圍之該內連線金屬栓較未被一第二金屬層包圍之一內連線金屬栓不易受損。該保護阻障層直接與該介電層物理性接觸之半導體配置較未有一保護阻障層直接與一介電層物理性接觸之一半導體配置具有更低寄生電容，可降低RC延遲。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种半导体配置及其形成方法。该半导体配置包括一内连接，其包括一内连接金属栓，为一第二金属层所包围。该内连接邻近一介电层之一侧壁，使得该内连接与该介电层之该侧壁之间形成一气隙。一保护阻障层，于该内连接与该气隙上，并覆盖该介电层之一上表面，且直接与该介电层之该上表面物理性接触。被该第二金属层包围之该内连接金属栓较未被一第二金属层包围之一内连接金属栓不易受损。该保护阻障层直接与该介电层物理性接触之半导体配置较未有一保护阻障层直接与一介电层物理性接触之一半导体配置具有更低寄生电容，可降低RC延迟。