公开(公告)号：TW201539553A

公开(公告)日：2015-10-16

申请号：TW103146196

申请日：2014-12-30

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 徐曉秋 ,  HSU, HSIAO CHIU ,  楊復凱 ,  YANG, FU KAI ,  王美勻 ,  WANG, MEI YUN ,  王憲程 ,  WANG, HSIEN CHENG ,  劉仕文 ,  LIU, SHIH WEN ,  林欣穎 ,  LIN, HSIN YING

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/535 ,  H01L27/088 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一種閘極結構的接觸窗結構形成方法被提供。在此方法中，設置於第一金屬閘極及第二金屬閘極之間的氧化層及第一側壁層被蝕刻，以暴露下方的矽基底。由接觸窗輪廓所定義之矽化物部分被沉積於矽基底暴露之部分中。在沉積矽化物部分之後，實質上覆蓋第一側壁層及至少部分地覆蓋矽化物部分之第二側壁層被形成。金屬黏著層被沉積以圍繞定義溝槽於矽化物部分之上的第一金屬閘極及第二金屬閘極。金屬插塞被沉積於溝槽內。

简体摘要： 一种闸极结构的接触窗结构形成方法被提供。在此方法中，设置于第一金属闸极及第二金属闸极之间的氧化层及第一侧壁层被蚀刻，以暴露下方的硅基底。由接触窗轮廓所定义之硅化物部分被沉积于硅基底暴露之部分中。在沉积硅化物部分之后，实质上覆盖第一侧壁层及至少部分地覆盖硅化物部分之第二侧壁层被形成。金属黏着层被沉积以围绕定义沟槽于硅化物部分之上的第一金属闸极及第二金属闸极。金属插塞被沉积于沟槽内。

公开(公告)号：TWI574369B

公开(公告)日：2017-03-11

申请号：TW103144916

申请日：2014-12-23

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 徐曉秋 ,  HSU, HSIAO CHIU ,  楊復凱 ,  YANG, FU KAI ,  王美勻 ,  WANG, MEI YUN ,  王憲程 ,  WANG, HSIEN CHENG ,  劉仕文 ,  LIU, SHIH WEN ,  林欣穎 ,  LIN, HSIN YING

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/02 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5228 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53257 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201543612A

公开(公告)日：2015-11-16

申请号：TW103146026

申请日：2014-12-29

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 吳以雯 ,  WU, I WEN ,  王美勻 ,  WANG, MEI YUN ,  王憲程 ,  WANG, HSIEN CHENG ,  劉仕文 ,  LIU, SHIH WEN ,  徐曉秋 ,  HSU, HSIAO CHIU ,  林欣穎 ,  LIN, HSIN YING

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/823821 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： 此處提供一種半導體裝置及形成方法。一種半導體裝置包括一第一主動區域鄰近一淺溝槽隔離(shallow trench isolation；STI)區域的第一側。第一主動區域包括一第一近端(proximal)鰭片具有一第一近端鰭片高度並鄰近淺溝槽隔離(STI)區域，及一第一遠端(distal)鰭片具有一第一遠端鰭片高度並鄰近第一近端鰭片，第一近端鰭片高度小於第一遠端鰭片高度。淺溝槽隔離(STI)區域包括氧化物，該氧化物具有一氧化物體積，其中氧化物體積與第一近端鰭片高度成反比。一種形成方法包括形成一第一近端鰭片，其具有一第一近端鰭片高度小於第一遠端鰭片的第一遠端鰭片高度，而使得第一近端鰭片位於第一遠端鰭片和一淺溝槽隔離(STI)區域之間。

简体摘要： 此处提供一种半导体设备及形成方法。一种半导体设备包括一第一主动区域邻近一浅沟槽隔离(shallow trench isolation；STI)区域的第一侧。第一主动区域包括一第一近端(proximal)鳍片具有一第一近端鳍片高度并邻近浅沟槽隔离(STI)区域，及一第一远程(distal)鳍片具有一第一远程鳍片高度并邻近第一近端鳍片，第一近端鳍片高度小于第一远程鳍片高度。浅沟槽隔离(STI)区域包括氧化物，该氧化物具有一氧化物体积，其中氧化物体积与第一近端鳍片高度成反比。一种形成方法包括形成一第一近端鳍片，其具有一第一近端鳍片高度小于第一远程鳍片的第一远程鳍片高度，而使得第一近端鳍片位于第一远程鳍片和一浅沟槽隔离(STI)区域之间。

公开(公告)号：TWI559383B

公开(公告)日：2016-11-21

申请号：TW103146196

申请日：2014-12-30

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 徐曉秋 ,  HSU, HSIAO CHIU ,  楊復凱 ,  YANG, FU KAI ,  王美勻 ,  WANG, MEI YUN ,  王憲程 ,  WANG, HSIEN CHENG ,  劉仕文 ,  LIU, SHIH WEN ,  林欣穎 ,  LIN, HSIN YING

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/535 ,  H01L27/088 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI546892B

公开(公告)日：2016-08-21

申请号：TW103146026

申请日：2014-12-29

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 吳以雯 ,  WU, I WEN ,  王美勻 ,  WANG, MEI YUN ,  王憲程 ,  WANG, HSIEN CHENG ,  劉仕文 ,  LIU, SHIH WEN ,  徐曉秋 ,  HSU, HSIAO CHIU ,  林欣穎 ,  LIN, HSIN YING

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/823821 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TW201543637A

公开(公告)日：2015-11-16

申请号：TW103144916

申请日：2014-12-23

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 徐曉秋 ,  HSU, HSIAO CHIU ,  楊復凱 ,  YANG, FU KAI ,  王美勻 ,  WANG, MEI YUN ,  王憲程 ,  WANG, HSIEN CHENG ,  劉仕文 ,  LIU, SHIH WEN ,  林欣穎 ,  LIN, HSIN YING

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/02 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5228 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53257 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一種用以製造半導體裝置的方法。此方法包含以下操作：於基底之上提供第一導電部分、第二導電部分以及第三導電部分；形成介電層於第一導電部分、第二導電部分以及第三導電部分之上；形成高電阻層於第一導電部分之上；形成氧化層於高電阻層及介電層之上；藉由使用高電阻層作為阻擋層，圖案化介電層及氧化層，以形成第一凹槽以暴露第二導電部分及第三導電部分，以及防止第一導電部分暴露；以及形成插塞層於第一凹槽中，以連接第二導電部分及第三導電部分。

简体摘要： 提供一种用以制造半导体设备的方法。此方法包含以下操作：于基底之上提供第一导电部分、第二导电部分以及第三导电部分；形成介电层于第一导电部分、第二导电部分以及第三导电部分之上；形成高电阻层于第一导电部分之上；形成氧化层于高电阻层及介电层之上；借由使用高电阻层作为阻挡层，图案化介电层及氧化层，以形成第一凹槽以暴露第二导电部分及第三导电部分，以及防止第一导电部分暴露；以及形成插塞层于第一凹槽中，以连接第二导电部分及第三导电部分。