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公开(公告)号：TWI524446B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW102140983
申请日：2013-11-12
Inventor： 萬幸仁 , WANN, CLEMENT HSINGJEN , 奧野泰利 , OKUNO, YASUTOSHI , 葉凌彥 , YEH, LING YEN , 施啓元 , SHIH, CHI YUAN , 邵元輔 , SHAO, YUAN FU , 蔡偉駿 , TSAI, WEI CHUN
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/14 , H01L21/30625 , H01L22/34 , H01L29/0642 , H01L29/0649 , H01L29/161 , H01L29/66795
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公开(公告)号：TWI477765B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW101138028
申请日：2012-10-16
Inventor： 吳志仁 , WU, CHIH JEN , 黃振銘 , HUANG, CHEN MING , 黃冠傑 , HUANG, KUAN CHIEH , 施啟元 , SHIH, CHI YUAN , 林進祥 , LIN, CHIN HSIANG
IPC: G01N21/88
CPC classification number: G01N21/9501 , G01N21/278 , G01N21/94 , G01N2021/8822 , G01N2021/8825
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公开(公告)号：TW201421597A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102140983
申请日：2013-11-12
Inventor： 萬幸仁 , WANN, CLEMENT HSINGJEN , 奧野泰利 , OKUNO, YASUTOSHI , 葉凌彥 , YEH, LING YEN , 施啓元 , SHIH, CHI YUAN , 邵元輔 , SHAO, YUAN FU , 蔡偉駿 , TSAI, WEI CHUN
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/14 , H01L21/30625 , H01L22/34 , H01L29/0642 , H01L29/0649 , H01L29/161 , H01L29/66795
Abstract: 一種半導體鰭部內載子濃度之測定方法，包括：使用一四點探針頭探測至少一半導體鰭部，使該四點探針之四個探針接觸該至少一半導體鰭部；量測該至少一半導體鰭部之一電阻；以及由該電阻計算出該半導體鰭部之一載子濃度。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体鳍部内载子浓度之测定方法，包括：使用一四点探针头探测至少一半导体鳍部，使该四点探针之四个探针接触该至少一半导体鳍部；量测该至少一半导体鳍部之一电阻；以及由该电阻计算出该半导体鳍部之一载子浓度。
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公开(公告)号：TW201320340A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101111996
申请日：2012-04-05
Inventor： 萬幸仁 , WANN, CLEMENT HSINGJEN , 葉凌彥 , YEH, LING YEN , 施啟元 , SHIH, CHI YUAN , 林以唐 , LIN, YI TANG , 張智勝 , CHANG, CHIH SHENG
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66818 , H01L21/2236 , H01L21/823431 , H01L21/823462 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823857 , H01L21/823878 , H01L21/845 , H01L27/0924 , H01L27/1211
Abstract: 本發明提供一種鰭式場效電晶體及其製造方法。上述鰭式場效電晶體包括一基板，包括一頂面；一第一鰭和一第二鰭，延伸於基板的頂面的上方，其中第一鰭和第二鰭各自具有一頂面和側邊；一絕緣層，介於第一鰭和第二鰭之間，且從基板的頂面延伸至部分的第一鰭和第二鰭上；一第一閘極介電質，覆蓋第一鰭的頂面和側邊且具有一第一厚度，以及一第二閘極介電質，覆蓋第二鰭的頂面和側邊且具有小於第一厚度的一第二厚度；一導電閘極條狀物，穿過第一閘極介電質和第二閘極介電質兩者。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种鳍式场效应管及其制造方法。上述鳍式场效应管包括一基板，包括一顶面；一第一鳍和一第二鳍，延伸于基板的顶面的上方，其中第一鳍和第二鳍各自具有一顶面和侧边；一绝缘层，介于第一鳍和第二鳍之间，且从基板的顶面延伸至部分的第一鳍和第二鳍上；一第一闸极介电质，覆盖第一鳍的顶面和侧边且具有一第一厚度，以及一第二闸极介电质，覆盖第二鳍的顶面和侧边且具有小于第一厚度的一第二厚度；一导电闸极条状物，穿过第一闸极介电质和第二闸极介电质两者。
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公开(公告)号：TWI520266B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW103110612
申请日：2014-03-21
Inventor： 萬幸仁 , WANN, CLEMENT HSINGJEN , 葉凌彥 , YEH, LING YEN , 施啓元 , SHIH, CHI YUAN , 蔡偉駿 , TSAI, WEI CHUN
IPC: H01L21/762 , H01L23/544
CPC classification number: H01L22/32 , H01L21/76224 , H01L22/34 , H01L23/544 , H01L27/0886 , H01L29/0649 , H01L2223/54453
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201407786A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102125494
申请日：2013-07-17
Inventor： 萬幸仁 , WANN, CLEMENT HSINGJEN , 葉凌彥 , YEH, LING YEN , 施啓元 , SHIH, CHI YUAN , 陳彥友 , CHEN, YEN YU
CPC classification number: H01L29/7851 , H01L21/28525 , H01L21/28568 , H01L21/324 , H01L21/76224 , H01L21/823431 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L27/0886 , H01L29/165 , H01L29/41791 , H01L29/45 , H01L29/49 , H01L29/495 , H01L29/4958 , H01L29/518 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L2029/7858 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本發明係關於一種半導體裝置。用於此半導體裝置之一種接觸結構包括：一基板，包括一主表面以及位於該主表面下方之一空室；一應變材料，位於該空室內，其中該應變材料之一晶格常數不同於該基板之一晶格常數；一含鍺介電層，位於該應變材料上；以及一金屬層，位於該含鍺介電層上。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种半导体设备。用于此半导体设备之一种接触结构包括：一基板，包括一主表面以及位于该主表面下方之一空室；一应变材料，位于该空室内，其中该应变材料之一晶格常数不同于该基板之一晶格常数；一含锗介电层，位于该应变材料上；以及一金属层，位于该含锗介电层上。
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公开(公告)号：TWI520340B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW102125494
申请日：2013-07-17
Inventor： 萬幸仁 , WANN, CLEMENT HSINGJEN , 葉凌彥 , YEH, LING YEN , 施啓元 , SHIH, CHI YUAN , 陳彥友 , CHEN, YEN YU
CPC classification number: H01L29/7851 , H01L21/28525 , H01L21/28568 , H01L21/324 , H01L21/76224 , H01L21/823431 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L27/0886 , H01L29/165 , H01L29/41791 , H01L29/45 , H01L29/49 , H01L29/495 , H01L29/4958 , H01L29/518 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L2029/7858 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI495106B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW101111996
申请日：2012-04-05
Inventor： 萬幸仁 , WANN, CLEMENT HSINGJEN , 葉凌彥 , YEH, LING YEN , 施啟元 , SHIH, CHI YUAN , 林以唐 , LIN, YI TANG , 張智勝 , CHANG, CHIH SHENG
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66818 , H01L21/2236 , H01L21/823431 , H01L21/823462 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823857 , H01L21/823878 , H01L21/845 , H01L27/0924 , H01L27/1211
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公开(公告)号：TW201513266A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103110612
申请日：2014-03-21
Inventor： 萬幸仁 , WANN, CLEMENT HSINGJEN , 葉凌彥 , YEH, LING YEN , 施啓元 , SHIH, CHI YUAN , 蔡偉駿 , TSAI, WEI CHUN
IPC: H01L21/762 , H01L23/544
CPC classification number: H01L22/32 , H01L21/76224 , H01L22/34 , H01L23/544 , H01L27/0886 , H01L29/0649 , H01L2223/54453
Abstract: 一種半導體結構之製作方法，包括：形成一半導體裝置於一晶圓上，其中晶圓具有一基底；及形成一測試鍵於晶圓之基底上和切割線中，包括：形成複數個淺溝槽隔離結構於晶圓之基底上和切割線中；形成複數個包括半導體材料之測試墊，上述測試墊形成於基底上，且以上述淺溝槽隔離結構之至少一者分隔，上述測試墊之至少一第一測試墊具有與半導體裝置之一部分相關的物理特性。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体结构之制作方法，包括：形成一半导体设备于一晶圆上，其中晶圆具有一基底；及形成一测试键于晶圆之基底上和切割线中，包括：形成复数个浅沟槽隔离结构于晶圆之基底上和切割线中；形成复数个包括半导体材料之测试垫，上述测试垫形成于基底上，且以上述浅沟槽隔离结构之至少一者分隔，上述测试垫之至少一第一测试垫具有与半导体设备之一部分相关的物理特性。
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公开(公告)号：TW201319553A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101138028
申请日：2012-10-16
Inventor： 吳志仁 , WU, CHIH JEN , 黃振銘 , HUANG, CHEN MING , 黃冠傑 , HUANG, KUAN CHIEH , 施啟元 , SHIH, CHI YUAN , 林進祥 , LIN, CHIN HSIANG
IPC: G01N21/88
CPC classification number: G01N21/9501 , G01N21/278 , G01N21/94 , G01N2021/8822 , G01N2021/8825
Abstract: 本發明之一較廣意形態係關於一種增強型瑕疵檢測之方法。上述方法包括提供具有數個瑕疵微粒之一基板以及提供一液體至該基板以及該些瑕疵粒子之上，該流體具有大於空氣之一折射率。上述方法更包括將該基板與該些瑕疵粒子暴露於穿透該液體之入射射線中以及偵測穿透該液體且經過該些瑕疵粒子所反射或折射之射線。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之一较广意形态系关于一种增强型瑕疵检测之方法。上述方法包括提供具有数个瑕疵微粒之一基板以及提供一液体至该基板以及该些瑕疵粒子之上，该流体具有大于空气之一折射率。上述方法更包括将该基板与该些瑕疵粒子暴露于穿透该液体之入射射线中以及侦测穿透该液体且经过该些瑕疵粒子所反射或折射之射线。
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