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公开(公告)号：TW202027126A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108139333
申请日：2019-10-30
发明人： 楊榮展 , YANG, JUNG CHAN , 江庭瑋 , CHIANG, TING WEI , 莊惠中 , ZHUANG, HUI ZHONG , 盧麒友 , LU, CHI YU
摘要： 一種用於設計積體電路的方法，包括以下步驟：選擇單元的電源軌；確定與電源軌或在電源軌周圍的電連接的間隙距離不足以適合電連接；選擇電源軌中要修改的電源軌部分，並修改電源軌部分的形狀以提供足以適合電連接的間隙距離。隨著積體電路的互連結構中的特徵之間的間隙距離變小，製造變得更加困難並且容易出錯。增加間隙距離改善了積體電路的可製造性。修改積體電路電源軌的形狀可增加與電源軌和/或在電源軌周圍的間隙距離。
简体摘要： 一种用于设计集成电路的方法，包括以下步骤：选择单元的电源轨；确定与电源轨或在电源轨周围的电连接的间隙距离不足以适合电连接；选择电源轨中要修改的电源轨部分，并修改电源轨部分的形状以提供足以适合电连接的间隙距离。随着集成电路的互链接构中的特征之间的间隙距离变小，制造变得更加困难并且容易出错。增加间隙距离改善了集成电路的可制造性。修改集成电路电源轨的形状可增加与电源轨和/或在电源轨周围的间隙距离。
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公开(公告)号：TW201824042A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106134959
申请日：2017-10-12
发明人： 楊榮展 , YANG, JUNG CHAN , 莊惠中 , ZHUANG, HUI ZHONG , 江庭瑋 , CHIANG, TING WEI , 林運翔 , LIN, YUN XIANG , 郭天鈺 , KUO, TIEN YU , 英書溢 , YING, SHU YI
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 一種佈局方法，其包含：將多個功能單元放置於積體電路之佈局中，其中所述佈局對應於至少一設計檔案；以及插入經配置為無切割圖案之至少一填充單元，以填充在上述多個功能單元之間的至少一空區域，其中上述多個功能單元的每一者在鄰接該至少一空區域之至少一邊緣上包含至少一切割圖案。
简体摘要： 一种布局方法，其包含：将多个功能单元放置于集成电路之布局中，其中所述布局对应于至少一设计文档；以及插入经配置为无切割图案之至少一填充单元，以填充在上述多个功能单元之间的至少一空区域，其中上述多个功能单元的每一者在邻接该至少一空区域之至少一边缘上包含至少一切割图案。
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公开(公告)号：TW202027228A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108135321
申请日：2019-09-27
发明人： 黃湘琪 , HUANG, SANG CHI , 莊惠中 , ZHUANG, HUI ZHONG , 楊榮展 , YANG, JUNG CHAN , 王柏鈞 , WANG, POCHUN
摘要： 一種形成積體電路的方法包括產生第一及第二標準單元佈局設計、產生在第一方向上延伸的第一切割特徵佈局圖案集合、以及基於第一或第二標準單元佈局設計製造積體電路。產生第一標準單元佈局設計包括產生在第一方向上延伸並且與在第一方向上延伸的第一柵格線集合重疊的第一導電特徵佈局圖案集合。產生第二標準單元佈局設計包括產生在第一方向上延伸並且與在第一方向上延伸的第二柵格線集合重疊的第二導電特徵佈局圖案集合。在第一方向上延伸的第一切割特徵佈局圖案的側面與第一或第二柵格線集合的第一柵格線對準。
简体摘要： 一种形成集成电路的方法包括产生第一及第二标准单元布局设计、产生在第一方向上延伸的第一切割特征布局图案集合、以及基于第一或第二标准单元布局设计制造集成电路。产生第一标准单元布局设计包括产生在第一方向上延伸并且与在第一方向上延伸的第一栅格线集合重叠的第一导电特征布局图案集合。产生第二标准单元布局设计包括产生在第一方向上延伸并且与在第一方向上延伸的第二栅格线集合重叠的第二导电特征布局图案集合。在第一方向上延伸的第一切割特征布局图案的侧面与第一或第二栅格线集合的第一栅格线对准。
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公开(公告)号：TW202026919A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108135322
申请日：2019-09-27
发明人： 楊榮展 , YANG, JUNG CHAN , 張豐願 , CHANG, FONG YUAN , 田麗鈞 , TIEN, LI CHUN , 陳庭榆 , CHEN, TING YU
IPC分类号： G06F17/50 , H01L23/528
摘要： 一種產生積體電路佈局圖的方法包括以下步驟。在積體電路佈局圖中定位一或多個單元。基於第一金屬層切削區域對準圖案，使一或多個單元與第一金屬層切削區域重疊。第一金屬層切削區域對準圖案包括等於一或多個單元之高度的第一金屬層切削間距。
简体摘要： 一种产生集成电路布局图的方法包括以下步骤。在集成电路布局图中定位一或多个单元。基于第一金属层切削区域对准图案，使一或多个单元与第一金属层切削区域重叠。第一金属层切削区域对准图案包括等于一或多个单元之高度的第一金属层切削间距。
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公开(公告)号：TW202022486A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108131405
申请日：2019-08-30
发明人： 張光慶 , CHANG, KUANG CHING , 江庭瑋 , CHIANG, TING WEI , 莊惠中 , ZHUANG, HUI ZHONG , 楊榮展 , YANG, JUNG CHAN
摘要： 本揭露提供一種積體電路元件設計的製備方法，此方法包括以下步驟：分析初步元件佈局以識別第一單元與第二單元之間的垂直鄰接、第一單元與第二單元內的內部金屬切口的位置、及內部金屬切口之間的間隔；藉由N個接觸多晶矽間隙相對於第一單元定位第二單元以定義一或多個中間元件佈局以定義具有改善的內部金屬切割間隔的更改的元件佈局，以抑制密度梯度效應及著陸效應。
简体摘要： 本揭露提供一种集成电路组件设计的制备方法，此方法包括以下步骤：分析初步组件布局以识别第一单元与第二单元之间的垂直邻接、第一单元与第二单元内的内部金属切口的位置、及内部金属切口之间的间隔；借由N个接触多晶硅间隙相对于第一单元定位第二单元以定义一或多个中间组件布局以定义具有改善的内部金属切割间隔的更改的组件布局，以抑制密度梯度效应及着陆效应。
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公开(公告)号：TW202018787A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108139126
申请日：2019-10-29
发明人： 邱上軒 , CIOU, SHANG SYUAN , 莊惠中 , ZHUANG, HUI ZHONG , 楊榮展 , YANG, JUNG CHAN , 田麗鈞 , TIEN, LI CHUN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L27/105
摘要： 一種具有不同寬度之源極與汲極觸點的半導體裝置包括基板中的主動區域。主動區域在第一方向上延伸。半導體裝置進一步包括閘極結構，該閘極結構在與第一方向不同的第二方向上延伸。閘極結構跨主動區域延伸。半導體裝置進一步包括複數個源極/汲極觸點，该複數個源極/汲極觸點在第二方向上延伸並且在閘極結構的相對側上重疊主動區域中的複數個源極/汲極區域。複數個源極/汲極觸點的第一源極/汲極觸點具有第一寬度，並且複數個源極/汲極觸點的第二源極/汲極觸點具有小於第一寬度的第二寬度。
简体摘要： 一种具有不同宽度之源极与汲极触点的半导体设备包括基板中的主动区域。主动区域在第一方向上延伸。半导体设备进一步包括闸极结构，该闸极结构在与第一方向不同的第二方向上延伸。闸极结构跨主动区域延伸。半导体设备进一步包括复数个源极/汲极触点，该复数个源极/汲极触点在第二方向上延伸并且在闸极结构的相对侧上重叠主动区域中的复数个源极/汲极区域。复数个源极/汲极触点的第一源极/汲极触点具有第一宽度，并且复数个源极/汲极触点的第二源极/汲极触点具有小于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：TW201733018A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105141258
申请日：2016-12-13
发明人： 黃正儀 , HUANG, CHENG I , 江庭瑋 , CHIANG, TING WEI , 傅士奇 , FU, SHIH CHI , 鄭勝方 , CHENG, SHENG FANG , 楊榮展 , YANG, JUNG CHAN
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/02 , H01L27/088 , H01L29/66
CPC分类号： H01L27/0207 , G06F17/5068 , H01L21/823431 , H01L27/0886 , H01L29/66545
摘要： 一種半導體裝置，包含基板與多個鰭部。其中該些鰭部於基板的第一區域以及第二區域上形成，其中第一區域包含第一凹部，且第二區域是相對於第一區域設置。第一凹部布置在第一區域之一側，並面向第二區域。第一凹部於第二區域之一側上之投影區域是基本上平坦的。
简体摘要： 一种半导体设备，包含基板与多个鳍部。其中该些鳍部于基板的第一区域以及第二区域上形成，其中第一区域包含第一凹部，且第二区域是相对于第一区域设置。第一凹部布置在第一区域之一侧，并面向第二区域。第一凹部于第二区域之一侧上之投影区域是基本上平坦的。
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公开(公告)号：TWI700631B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW106134959
申请日：2017-10-12
发明人： 楊榮展 , YANG, JUNG CHAN , 莊惠中 , ZHUANG, HUI ZHONG , 江庭瑋 , CHIANG, TING WEI , 林運翔 , LIN, YUN XIANG , 郭天鈺 , KUO, TIEN YU , 英書溢 , YING, SHU YI
IPC分类号： G06F30/00
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公开(公告)号：TWI636525B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW105141258
申请日：2016-12-13
发明人： 黃正儀 , HUANG, CHENG I , 江庭瑋 , CHIANG, TING WEI , 傅士奇 , FU, SHIH CHI , 鄭勝方 , CHENG, SHENG FANG , 楊榮展 , YANG, JUNG CHAN
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/02 , H01L27/088 , H01L29/66
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公开(公告)号：TWI462273B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW100118303
申请日：2011-05-25
发明人： 凱沙瓦爾茲 阿里 , KESHAVARZI, ALI , 郭大鵬 , GUO, TA PEN , 宋淑惠 , CHANG, HELEN SHU HUI , 曾祥仁 , TSENG, HSIANG JEN , 林學仕 , LIN, SHYUE SHYH , 魯立忠 , LU, LEE CHUNG , 吳忠政 , WU, CHUNG CHENG , 田麗鈞 , TIEN, LI CHUN , 楊榮展 , YANG, JUNG CHAN , 陳淑敏 , CHEN, SHU MIN , 曹敏 , CAO, MIN , 侯永清 , HOU, YUNG CHIN
IPC分类号： H01L27/092 , H01L23/52
CPC分类号： H01L27/092 , H01L21/823871 , H01L23/485 , H01L27/0207 , H01L29/0649 , H01L29/4238 , H01L29/495 , H01L29/66545 , H01L29/7833 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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