公开(公告)号：TWI478314B

公开(公告)日：2015-03-21

申请号：TW100141202

申请日：2011-11-11

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 余俊輝 ,  YU, CHUN HUI ,  董志航 ,  TUNG, CHIH-HANG ,  邵棟樑 ,  SHAO, TUNG LIANG ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  史達元 ,  SHIH, DA YUAN

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/83005

公开(公告)号：TW201830595A

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：TW106117848

申请日：2017-05-31

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  余俊輝 ,  YU, CHUN HUI ,  余國寵 ,  YEE, KUO CHUNG

IPC分类号： H01L23/28

摘要： 提供晶片封裝結構及其製造方法。此晶片封裝結構包含第一保護層及設置於第一保護層上的第一晶片。此晶片封裝結構亦包含圍繞第一晶片且覆蓋第一晶片的第一感光層。此晶片封裝結構更包含形成於該第一感光層上的重佈層。

简体摘要： 提供芯片封装结构及其制造方法。此芯片封装结构包含第一保护层及设置于第一保护层上的第一芯片。此芯片封装结构亦包含围绕第一芯片且覆盖第一芯片的第一感光层。此芯片封装结构更包含形成于该第一感光层上的重布层。

公开(公告)号：TW201349446A

公开(公告)日：2013-12-01

申请号：TW102114131

申请日：2013-04-22

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 余俊輝 ,  YU, CHUN HUI ,  余國寵 ,  YEE, KUO CHUNG ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  林勇志 ,  LIN, YEONG JYH ,  林嘉祥 ,  LIN, CHIA HSIANG ,  顏良儒 ,  YEN, LIANG JU ,  許呈鏗 ,  SHEU, LAWRENCE CHIANG

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/486 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014

摘要： 本發明提供三維積體電路內連結的製造方法。該三維積體電路內連結的製造方法，包含：形成一金屬層於一第一承載基板；將一封裝單元與該金屬層接合，其中該封裝單元的一第一側係與該金屬層接觸，且該封裝單元包含複數貫孔；藉由電化學電鍍製程將一金屬材料填入該複數貫孔中，其中在該電化學電鍍製程中該金屬層係作為一電極；將一第二承載基板與該封裝單元接合，其中該封裝單元的一第一側係與該第二承載基板接觸；將該第一承載基板由該封裝單元上移除；以及，移除該金屬層露出的部份，以形成一重佈線層於該封裝單元的該第一側。

简体摘要： 本发明提供三维集成电路内链接的制造方法。该三维集成电路内链接的制造方法，包含：形成一金属层于一第一承载基板；将一封装单元与该金属层接合，其中该封装单元的一第一侧系与该金属层接触，且该封装单元包含复数贯孔；借由电化学电镀制程将一金属材料填入该复数贯孔中，其中在该电化学电镀制程中该金属层系作为一电极；将一第二承载基板与该封装单元接合，其中该封装单元的一第一侧系与该第二承载基板接触；将该第一承载基板由该封装单元上移除；以及，移除该金属层露出的部份，以形成一重布线层于该封装单元的该第一侧。

公开(公告)号：TWI501327B

公开(公告)日：2015-09-21

申请号：TW101140247

申请日：2012-10-31

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 余國寵 ,  YEE, KUO CHUNG ,  余俊輝 ,  YU, CHUN HUI

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L25/04

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/10 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/10 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI489612B

公开(公告)日：2015-06-21

申请号：TW102114131

申请日：2013-04-22

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 余俊輝 ,  YU, CHUN HUI ,  余國寵 ,  YEE, KUO CHUNG ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  林勇志 ,  LIN, YEONG JYH ,  林嘉祥 ,  LIN, CHIA HSIANG ,  顏良儒 ,  YEN, LIANG JU ,  許呈鏗 ,  SHEU, LAWRENCE CHIANG

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/486 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TW201344814A

公开(公告)日：2013-11-01

申请号：TW101140247

申请日：2012-10-31

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 余國寵 ,  YEE, KUO CHUNG ,  余俊輝 ,  YU, CHUN HUI

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L25/04

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/10 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/10 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

摘要： 三維積體電路的製造方法包括在封裝元件的第一側上形成重分佈層，在重分佈層內形成容納腔室，將積體電路晶片附著至封裝元件的第一側上，其中積體電路晶片的互連凸塊嵌入容納腔室內，對積體電路晶片和封裝元件施加回焊製程，以及在封裝元件上形成封裝層。

简体摘要： 三维集成电路的制造方法包括在封装组件的第一侧上形成重分布层，在重分布层内形成容纳腔室，将集成电路芯片附着至封装组件的第一侧上，其中集成电路芯片的互连凸块嵌入容纳腔室内，对集成电路芯片和封装组件施加回焊制程，以及在封装组件上形成封装层。

公开(公告)号：TW201308568A

公开(公告)日：2013-02-16

申请号：TW100141202

申请日：2011-11-11

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 余俊輝 ,  YU, CHUN HUI ,  董志航 ,  TUNG, CHIH-HANG ,  邵棟樑 ,  SHAO, TUNG LIANG ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  史達元 ,  SHIH, DA YUAN

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/83005

摘要： 多晶片晶圓級封裝(multi-chip wafer package)包括三個堆疊之半導體晶粒。一第一半導體晶粒為埋入一第一感光性材料層中。一第二半導體晶粒為堆疊於該第一半導體晶粒的頂部上，其中該第二半導體晶粒為與該第一半導體晶粒面對面耦接。一第三半導體晶粒為背對背附著至該第二半導體晶粒。該第二半導體晶粒與該第三半導體晶粒兩者為埋入一第二感光性材料層中。多晶片晶圓級封裝更包括複數個通孔形成於該第一感光性材料層與該第二感光性材料層中。

简体摘要： 多芯片晶圆级封装(multi-chip wafer package)包括三个堆栈之半导体晶粒。一第一半导体晶粒为埋入一第一感光性材料层中。一第二半导体晶粒为堆栈于该第一半导体晶粒的顶部上，其中该第二半导体晶粒为与该第一半导体晶粒面对面耦接。一第三半导体晶粒为背对背附着至该第二半导体晶粒。该第二半导体晶粒与该第三半导体晶粒两者为埋入一第二感光性材料层中。多芯片晶圆级封装更包括复数个通孔形成于该第一感光性材料层与该第二感光性材料层中。