公开(公告)号：TWI298531B

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：TW094114389

申请日：2005-05-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林孜翰 LIN, TZU HAN ,  游秀美 YU, HUEI MEI ,  鄭嘉仁 CHENG, CHIA JEN ,  羅俊彥 LO, CHUN YEN ,  曾立鑫 TSENG, LI HSIN ,  蘇竟典 SU, BOE ,  路光明 LU, SIMON

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本發明乃提供半導體元件封裝之銲料凸塊結構。一實施例中,銲料凸塊結構乃包含一半導體基底,此基底具有至少一接觸焊墊以及一上方之護層,此護層中乃具有至少一開口,並且露出部分上述接觸焊墊。至少一已經圖案化及蝕刻之聚合物層位於部分接觸焊墊之上,且至少一已經圖案化及蝕刻之導電金屬層位於上述聚合物層之上方並與其對位排列。至少一焊料層,具有一焊料高度,且位於導電金屬層之上方並與其對位排列,而此焊料層乃於之後進行迴焊以形成一焊球。

Abstract in simplified Chinese: 本发明乃提供半导体组件封装之焊料凸块结构。一实施例中,焊料凸块结构乃包含一半导体基底,此基底具有至少一接触焊垫以及一上方之护层,此护层中乃具有至少一开口,并且露出部分上述接触焊垫。至少一已经图案化及蚀刻之聚合物层位于部分接触焊垫之上,且至少一已经图案化及蚀刻之导电金属层位于上述聚合物层之上方并与其对位排列。至少一焊料层,具有一焊料高度,且位于导电金属层之上方并与其对位排列,而此焊料层乃于之后进行回焊以形成一焊球。

公开(公告)号：TWI265554B

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：TW094113074

申请日：2005-04-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蘇竟典 SU, BOE ,  游秀美 YU, H. M. ,  鄭嘉仁 CHENG, CHIA JEN ,  林孜翰 LIN, TZU HAN ,  林國偉 LIN, KUO WEI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/02076 ,  H01L21/78 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11502 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/13099

Abstract: 本發明揭示一種減少鉛析出的方法，包含：將具有複數個軟銲料凸塊的半導體晶圓分離成複數個半導體晶片；以及在分離上述半導體晶圓的過程中，使上述半導體晶圓與冷的去離子水接觸，而降低或避免在上述分離的製程中鉛的析出，而減少上述凸塊的氧化。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种减少铅析出的方法，包含：将具有复数个软焊料凸块的半导体晶圆分离成复数个半导体芯片；以及在分离上述半导体晶圆的过程中，使上述半导体晶圆与冷的去离子水接触，而降低或避免在上述分离的制程中铅的析出，而减少上述凸块的氧化。

公开(公告)号：TWI243428B

公开(公告)日：2005-11-11

申请号：TW093136714

申请日：2004-11-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鄭嘉仁 CHENG, CHIA JEN ,  游秀美 YU, HUI MEI ,  曾立鑫 TSENG, LI HSIN ,  林孜翰 LIN, TZU HAN ,  吳慶强 WU, CHING CHIANG ,  羅俊彥 LO, CHUN YEN ,  黃立全 HUANG, LI CHUAN ,  蘇竟典 SU, BOE

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本發明係關於一種墊重分佈層之製造方法，包括下列步驟：提供一基底，其上具有為一第一保護層所露出之至少一接墊；順應地形成一擴散阻障層以及一晶種層於該第一保護層與該接墊上；形成一圖案化罩幕層於該晶種層上，以露出電性連結於該接墊之一部份該晶種層；形成一金屬層於為該圖案化罩幕層所露出之該晶種層上；形成一犧牲層於該金屬層與該圖案化罩幕層上；移除該圖案化罩幕層及其上之犧牲層，以露出該圖案化罩幕層下方之該晶種層，並餘留該犧牲層於該金屬層上；以及移除為該金屬層所露出之該晶種層及其下之該擴散阻障層，以及殘留之該犧牲層以形成一墊重分佈層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种垫重分布层之制造方法，包括下列步骤：提供一基底，其上具有为一第一保护层所露出之至少一接垫；顺应地形成一扩散阻障层以及一晶种层于该第一保护层与该接垫上；形成一图案化罩幕层于该晶种层上，以露出电性链接于该接垫之一部份该晶种层；形成一金属层于为该图案化罩幕层所露出之该晶种层上；形成一牺牲层于该金属层与该图案化罩幕层上；移除该图案化罩幕层及其上之牺牲层，以露出该图案化罩幕层下方之该晶种层，并余留该牺牲层于该金属层上；以及移除为该金属层所露出之该晶种层及其下之该扩散阻障层，以及残留之该牺牲层以形成一垫重分布层。