公开(公告)号：TWI290374B

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：TW094116456

申请日：2005-05-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林國偉 LIN, KUO WEI ,  張小平 CHANG, HSAIO PING

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 本發明提供一種IC晶片之散熱座及其IC晶片散熱之方法，其實施方式可包括：於晶背上沉積晶種層以形成IC晶片之散熱座，其中晶圓上具有複數個積體電路晶片。然後沉積一光阻層於晶種層上並圖案化之以定義複數個光阻開口。電鍍金屬於光阻開口以形成複數個散熱柱於晶種上。最後除去自晶種層上延伸之光阻以定義複數個散熱柱，其中該些散熱柱自晶種層延伸且該些散熱柱間具有網狀散熱通道。晶片運作時可透過散熱座散熱。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种IC芯片之散热座及其IC芯片散热之方法，其实施方式可包括：于晶背上沉积晶种层以形成IC芯片之散热座，其中晶圆上具有复数个集成电路芯片。然后沉积一光阻层于晶种层上并图案化之以定义复数个光阻开口。电镀金属于光阻开口以形成复数个散热柱于晶种上。最后除去自晶种层上延伸之光阻以定义复数个散热柱，其中该些散热柱自晶种层延伸且该些散热柱间具有网状散热信道。芯片运作时可透过散热座散热。

公开(公告)号：TWI247369B

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：TW089116304

申请日：2000-08-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林國偉 LIN, KUO WEI ,  陳燕銘 CHEN, YEN MING ,  范富傑 ,  朱政宇 ,  彭秋憲 PENG, CHIOU SHIAN ,  范揚通 ,  林士禎

IPC: H01L

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本發明包含沈積護層於金屬墊之上，接著，蝕刻護層以暴露出金屬墊，再沈積阻障層與一利於銅材質電鍍的銅種子層於蝕刻後之護層及暴露金屬墊之上，之後，利用微影製程形成具有開口之光阻圖案於銅種子層之上。以電鍍法形成銅於銅種子層之上，再以電鍍法在電鍍銅層表面形成鎳層。塗佈錫膏於光阻圖案之上，接著利用刮刀刮動錫膏將錫膏刮入光阻圖案之開口中，去除光阻圖案形成錫凸塊。以錫凸塊做為蝕刻罩幕，將被暴露出之鎳層及電鍍銅層蝕刻。之後，以熱流將錫凸塊形成球狀結構完成錫球之製作。

Abstract in simplified Chinese: 本发明包含沉积护层于金属垫之上，接着，蚀刻护层以暴露出金属垫，再沉积阻障层与一利于铜材质电镀的铜种子层于蚀刻后之护层及暴露金属垫之上，之后，利用微影制程形成具有开口之光阻图案于铜种子层之上。以电镀法形成铜于铜种子层之上，再以电镀法在电镀铜层表面形成镍层。涂布锡膏于光阻图案之上，接着利用刮刀刮动锡膏将锡膏刮入光阻图案之开口中，去除光阻图案形成锡凸块。以锡凸块做为蚀刻罩幕，将被暴露出之镍层及电镀铜层蚀刻。之后，以热流将锡凸块形成球状结构完成锡球之制作。

公开(公告)号：TWI265554B

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：TW094113074

申请日：2005-04-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蘇竟典 SU, BOE ,  游秀美 YU, H. M. ,  鄭嘉仁 CHENG, CHIA JEN ,  林孜翰 LIN, TZU HAN ,  林國偉 LIN, KUO WEI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/02076 ,  H01L21/78 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11502 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/13099

Abstract: 本發明揭示一種減少鉛析出的方法，包含：將具有複數個軟銲料凸塊的半導體晶圓分離成複數個半導體晶片；以及在分離上述半導體晶圓的過程中，使上述半導體晶圓與冷的去離子水接觸，而降低或避免在上述分離的製程中鉛的析出，而減少上述凸塊的氧化。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种减少铅析出的方法，包含：将具有复数个软焊料凸块的半导体晶圆分离成复数个半导体芯片；以及在分离上述半导体晶圆的过程中，使上述半导体晶圆与冷的去离子水接触，而降低或避免在上述分离的制程中铅的析出，而减少上述凸块的氧化。

公开(公告)号：TWI292597B

公开(公告)日：2008-01-11

申请号：TW094106225

申请日：2005-03-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 邱頌盛 CHIU, SUNG CHENG ,  游秀美 YU, H. M. ,  陳世明 CHEN, SHIH MING ,  林國偉 LIN, KUO WEI ,  曾立鑫 TSENG, LI HSIN

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11502 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/1146

Abstract: 本發明係提供一種凸塊底層金屬(UBM)結構以提供電性連接。其中凸塊底層金屬結構包括複數層金屬層，沉積於半導體裝置（例如：一半導體晶片）之連接墊上。凸塊底層金屬結構可提供連接墊與沉積於凸塊底層金屬結構上之銲錫凸塊的介面。於一實施例中，凸塊底層金屬結構包括鎳層以及銅層，其中鎳層係上層並與銲錫凸塊接觸，而銅層係下層並與連接墊接觸。而鎳層包括沿週邊之向下延伸部分以覆蓋銅層之下層UBM結構。因此，藉由此種遮蔽可避免銅層於回銲過程中與銲錫材料接觸，進而避免銅與銲錫間的不理想反應。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种凸块底层金属(UBM)结构以提供电性连接。其中凸块底层金属结构包括复数层金属层，沉积于半导体设备（例如：一半导体芯片）之连接垫上。凸块底层金属结构可提供连接垫与沉积于凸块底层金属结构上之焊锡凸块的界面。于一实施例中，凸块底层金属结构包括镍层以及铜层，其中镍层系上层并与焊锡凸块接触，而铜层系下层并与连接垫接触。而镍层包括沿周边之向下延伸部分以覆盖铜层之下层UBM结构。因此，借由此种屏蔽可避免铜层于回焊过程中与焊锡材料接触，进而避免铜与焊锡间的不理想反应。

公开(公告)号：TWI269395B

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：TW094144040

申请日：2005-12-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林國偉 LIN, KUO WEI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本發明主要提供一種形成焊料凸塊的方法，包括提供一基底，在此基底上形成接合墊，在接合墊上形成凸塊底部金屬層，在凸塊底部金屬層上沉積一焊料，其中此焊料包括高鉛組成層與共熔組成層，以及對焊料施以迴焊步驟，而在凸塊底部金屬層上形成焊料凸塊，焊料凸塊包括高鉛組成區域與共熔組成區域，其中共熔組成區域包圍高鉛組成區域。

Abstract in simplified Chinese: 本发明主要提供一种形成焊料凸块的方法，包括提供一基底，在此基底上形成接合垫，在接合垫上形成凸块底部金属层，在凸块底部金属层上沉积一焊料，其中此焊料包括高铅组成层与共熔组成层，以及对焊料施以回焊步骤，而在凸块底部金属层上形成焊料凸块，焊料凸块包括高铅组成区域与共熔组成区域，其中共熔组成区域包围高铅组成区域。

公开(公告)号：TWI267172B

公开(公告)日：2006-11-21

申请号：TW094129279

申请日：2005-08-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡育瑩 TASI, YU YINH ,  陳世明 CHEN, SHIH MING ,  林國偉 LIN, KUO WEI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明係揭示半導體元件上之銲料凸塊(solder bump)的製造方法、基板上之銲料凸塊結構的形成方法、以及中間銲料結構的製造方法。在一實施例中，此方法包括在一半導體基板上形成一銲墊(bonding pad)以及在此基板及此銲墊上配置一罩幕層。此方法亦包括在具有一個主要銲料模仁以及至少一個與主要銲料模仁相連接之次要銲料模仁的罩幕層內形成一開口，此開口曝露此銲墊的一部分。在此實施例中，此方法更包括以銲料填充此主要銲料模仁以及此至少一個次要銲料模仁，以形成一個相對應之主要銲料柱體及至少一個相對應之次要銲料柱體而與此銲墊形成電性接觸。此方法也包括於填充步驟之後移除此罩幕層。此方法更包括一再流動步驟，使得銲料於熔化時相互結合以形成一主要銲料凸塊，其中上述銲料係來自此主要銲料柱體的銲料及至少一部份來自此次要銲料柱體的銲料。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭示半导体组件上之焊料凸块(solder bump)的制造方法、基板上之焊料凸块结构的形成方法、以及中间焊料结构的制造方法。在一实施例中，此方法包括在一半导体基板上形成一焊垫(bonding pad)以及在此基板及此焊垫上配置一罩幕层。此方法亦包括在具有一个主要焊料模仁以及至少一个与主要焊料模仁相连接之次要焊料模仁的罩幕层内形成一开口，此开口曝露此焊垫的一部分。在此实施例中，此方法更包括以焊料填充此主要焊料模仁以及此至少一个次要焊料模仁，以形成一个相对应之主要焊料柱体及至少一个相对应之次要焊料柱体而与此焊垫形成电性接触。此方法也包括于填充步骤之后移除此罩幕层。此方法更包括一再流动步骤，使得焊料于熔化时相互结合以形成一主要焊料凸块，其中上述焊料系来自此主要焊料柱体的焊料及至少一部份来自此次要焊料柱体的焊料。