公开(公告)号：TW201810602A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106114931

申请日：2017-05-05

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 傑雅拉曼 賽庫瑪 ,  JAYARAMAN, SAIKUMAR ,  古札克 約翰 S. ,  GUZEK, JOHN S. ,  梅康寧 衣德尼卡喬 S. ,  MEKONNEN, YIDNEKACHEW S.

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/85815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/18161

摘要： 與積體電路 (IC)封裝體設計關聯的設備、方法與系統是被揭露於此中。一IC封裝堆疊可以包括一第一IC封裝體和一第二IC封裝體。該第一IC封裝體可以包括一第一晶粒和一使位於該第一IC封裝體之第一側之接點連通地耦合到該第一晶粒及到位於該第一IC封裝體之第二側之接點的第一重新分佈層，該第二側是與該第一側相對。該第二IC封裝體可以被安裝到該第一IC封裝體的第二側。該第二IC封裝體可以包括一第二晶粒和一使位於該第二IC封裝體之一側之接點連通地耦合到該第二晶粒，該第二IC封裝體的接點是被連通地耦合到位於該第一IC封裝體之第二側的接點。

简体摘要： 与集成电路 (IC)封装体设计关联的设备、方法与系统是被揭露于此中。一IC封装堆栈可以包括一第一IC封装体和一第二IC封装体。该第一IC封装体可以包括一第一晶粒和一使位于该第一IC封装体之第一侧之接点连通地耦合到该第一晶粒及到位于该第一IC封装体之第二侧之接点的第一重新分布层，该第二侧是与该第一侧相对。该第二IC封装体可以被安装到该第一IC封装体的第二侧。该第二IC封装体可以包括一第二晶粒和一使位于该第二IC封装体之一侧之接点连通地耦合到该第二晶粒，该第二IC封装体的接点是被连通地耦合到位于该第一IC封装体之第二侧的接点。

公开(公告)号：TWI618129B

公开(公告)日：2018-03-11

申请号：TW105125250

申请日：2016-08-09

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  符策忠 ,  FU, TSEI CHUNG

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/50 ,  H01L29/43

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83005

公开(公告)号：TW201802969A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106122734

申请日：2017-07-06

申请人： 精材科技股份有限公司 ,  XINTEC INC.

发明人： 林錫堅 ,  LIN, HSI CHIEN ,  陳智偉 ,  CHEN, JYH WEI ,  謝俊池 ,  HSIEH, JUN CHI ,  陳岳廷 ,  CHEN, YUE TING

IPC分类号： H01L21/56

CPC分类号： H01L24/02 ,  G06K9/00013 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/82 ,  H01L24/94 ,  H01L24/96 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14685 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/08221 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/19

摘要： 一種晶片封裝體包含晶片、第一絕緣層、重佈線層與鈍化層。晶片具有感應器、至少一焊墊、相對的頂面與底面、及鄰接頂面與底面的側壁。感應器位於頂面。焊墊位於頂面的邊緣。第一絕緣層位於晶片的底面與側壁上。重佈線層位於第一絕緣層上，且重佈線層電性接觸焊墊的側面。重佈線層至少部分凸出於焊墊而裸露。鈍化層位於第一絕緣層與重佈線層上，使未凸出焊墊的重佈線層位於鈍化層與第一絕緣層之間，而凸出焊墊的重佈線層位於鈍化層上。

简体摘要： 一种芯片封装体包含芯片、第一绝缘层、重布线层与钝化层。芯片具有感应器、至少一焊垫、相对的顶面与底面、及邻接顶面与底面的侧壁。感应器位于顶面。焊垫位于顶面的边缘。第一绝缘层位于芯片的底面与侧壁上。重布线层位于第一绝缘层上，且重布线层电性接触焊垫的侧面。重布线层至少部分凸出于焊垫而裸露。钝化层位于第一绝缘层与重布线层上，使未凸出焊垫的重布线层位于钝化层与第一绝缘层之间，而凸出焊垫的重布线层位于钝化层上。

公开(公告)号：TW201740511A

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：TW106115766

申请日：2017-05-12

申请人： NEPES 股份有限公司 ,  NEPES CO., LTD.

发明人： 金一煥 ,  KIM, IL-HWAN ,  李俊奎 ,  LEE, JUN-KYU ,  尹慜妸 ,  YOON, MIN-A ,  吳東勳 ,  OH, DONG-HOON ,  金台源 ,  KIM, TAE-WON

IPC分类号： H01L23/06 ,  H01L23/10

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/04 ,  H01L23/06 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13616 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/3025

摘要： 本發明公開一種半導體封裝及其製造方法。根據本發明的實施例的半導體封裝包括：佈線部，其包括複數個層，該複數個層包括絕緣層和佈線層；半導體晶片，封裝在佈線部上，並藉由接合墊與佈線層電連接；蓋部件，覆蓋半導體晶片和佈線部的側面，並與至少一個佈線層接觸；以及包封材，密封蓋部件。因此，蓋部件覆蓋半導體晶片，並與形成在半導體晶片下方的佈線部接觸，從而能夠減少電磁波干擾現象，能夠使半導體封裝的操作間噪音最小化，並提高訊號速度。

简体摘要： 本发明公开一种半导体封装及其制造方法。根据本发明的实施例的半导体封装包括：布线部，其包括复数个层，该复数个层包括绝缘层和布线层；半导体芯片，封装在布线部上，并借由接合垫与布线层电连接；盖部件，覆盖半导体芯片和布线部的侧面，并与至少一个布线层接触；以及包封材，密封盖部件。因此，盖部件覆盖半导体芯片，并与形成在半导体芯片下方的布线部接触，从而能够减少电磁波干扰现象，能够使半导体封装的操作间噪音最小化，并提高信号速度。

公开(公告)号：TW201730988A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105108909

申请日：2016-03-23

申请人： 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 施信益 ,  SHIH, SHING-YIH

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/96 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/13099

摘要： 一種製作晶圓級封裝的方法。先提供一載板，再於載板上形成一重佈線層，再於重佈線層上設置半導體晶粒，將半導體晶粒模封在一成型模料中，構成一模封晶圓，接著進行一研磨製程，磨除成型模料一中央部分，形成一凹陷區域及一外圍週邊環形部分，再去除載板，顯露出重佈線層一底面，再於重佈線層的底面上形成凸塊或錫球。

简体摘要： 一种制作晶圆级封装的方法。先提供一载板，再于载板上形成一重布线层，再于重布线层上设置半导体晶粒，将半导体晶粒模封在一成型模料中，构成一模封晶圆，接着进行一研磨制程，磨除成型模料一中央部分，形成一凹陷区域及一外围周边环形部分，再去除载板，显露出重布线层一底面，再于重布线层的底面上形成凸块或锡球。

公开(公告)号：TWI594337B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105108922

申请日：2016-03-23

申请人： MICRON TECHNOLOGY INC

发明人： WU TIEH-CHIANG ,  SHIH SHING-YIH

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2224/81

公开(公告)号：TW201727774A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105108922

申请日：2016-03-23

申请人： 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 吳鐵將 ,  WU, TIEH-CHIANG ,  施信益 ,  SHIH, SHING-YIH

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2224/81

摘要： 本發明披露一種製作封裝上封裝構件的方法。先提供一載板，其上具有第一鈍化層，然後於第一鈍化層上形成重佈線層，其中重佈線層包含至少一介電層以及至少一金屬層，金屬層包含複數個第一凸塊墊以及第二凸塊墊，從介電層的一上表面顯露出來，其中第一凸塊墊係設於一晶片接合區，而第二凸塊墊係設於晶片接合區周圍的一週邊區，之後於第一凸塊墊上接合至少一晶片，其中晶片係透過設於第一凸塊墊上的複數個凸塊與重佈線層電連結，最後於第二凸塊墊上接合一晶粒封裝，其中晶粒封裝係透過設於第二凸塊墊上的複數個第二凸塊與重佈線層電連接。

简体摘要： 本发明披露一种制作封装上封装构件的方法。先提供一载板，其上具有第一钝化层，然后于第一钝化层上形成重布线层，其中重布线层包含至少一介电层以及至少一金属层，金属层包含复数个第一凸块垫以及第二凸块垫，从介电层的一上表面显露出来，其中第一凸块垫系设于一芯片接合区，而第二凸块垫系设于芯片接合区周围的一周边区，之后于第一凸块垫上接合至少一芯片，其中芯片系透过设于第一凸块垫上的复数个凸块与重布线层电链接，最后于第二凸块垫上接合一晶粒封装，其中晶粒封装系透过设于第二凸块垫上的复数个第二凸块与重布线层电连接。

公开(公告)号：TW201724422A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105137414

申请日：2016-11-16

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 劉子正 ,  LIU, ZI-JHENG ,  郭正錚 ,  KUO, CHEN-CHENG ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG-SHI ,  郭宏瑞 ,  KUO, HUNG-JUI ,  胡毓祥 ,  HU, YU-HSIANG

IPC分类号： H01L23/485

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244

摘要： 本發明實施例提供一種晶片封裝件，其可包括晶粒以及位於所述晶粒之上的重佈線結構。所述晶片封裝件可包括晶粒、位於所述晶粒之上的重佈線結構及位於所述重佈線結構之上的凸塊下金屬結構。所述凸塊下金屬結構可包括中心部分、與所述中心部分的周界在實體上分隔開並環繞所述中心部分的所述周界的周邊部分以及具有第一端和與所述第一端相對的第二端的橋接部分。所述橋接部分的所述第一端可耦接至所述凸塊下金屬結構的所述中心部分，而所述橋接部分的所述第二端可耦接至所述凸塊下金屬結構的所述周邊部分。

简体摘要： 本发明实施例提供一种芯片封装件，其可包括晶粒以及位于所述晶粒之上的重布线结构。所述芯片封装件可包括晶粒、位于所述晶粒之上的重布线结构及位于所述重布线结构之上的凸块下金属结构。所述凸块下金属结构可包括中心部分、与所述中心部分的周界在实体上分隔开并环绕所述中心部分的所述周界的周边部分以及具有第一端和与所述第一端相对的第二端的桥接部分。所述桥接部分的所述第一端可耦接至所述凸块下金属结构的所述中心部分，而所述桥接部分的所述第二端可耦接至所述凸块下金属结构的所述周边部分。

公开(公告)号：TWI581325B

公开(公告)日：2017-05-01

申请号：TW104123721

申请日：2015-07-22

申请人： 精材科技股份有限公司 ,  XINTEC INC.

发明人： 劉建宏 ,  LIU, CHIEN HUNG ,  溫英男 ,  WEN, YING NAN ,  李士儀 ,  LEE, SHIH YI ,  姚皓然 ,  YIU, HO YIN

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06182 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/432 ,  H01L2224/4502 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TWI574312B

公开(公告)日：2017-03-11

申请号：TW104130392

申请日：2015-09-15

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  李建裕 ,  LI, CHIEN YU ,  郭宏瑞 ,  KUO, HUNG JUI ,  黃立賢 ,  HUANG, LI HSIEN ,  陳憲偉 ,  CHEN, HSIEN WEI ,  葉德強 ,  YEH, DER CHYANG ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI ,  鄭心圃 ,  JENG, SHIN PUU

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/14