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公开(公告)号：TW201704187A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104123019
申请日：2015-07-16
申请人： 國立臺北科技大學
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/49 , C04B35/78 , H01G4/12
CPC分类号： C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B35/6261 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/442 , C04B2235/6562 , C04B2235/762 , C04B2235/95 , H01G4/1227 , H01G4/1245
摘要： 一種陶瓷電容介電材料，其組成是以BaTiO3 、BaZrO3 及SrTiO3 為主體，並混合MgCO3 、SiO2 及至少一種或一種以上的化合物，該化合物係選自於過渡元素或稀土元素，其中，BaTiO3 之莫耳百分比介於40至80%、BaZrO3 之莫耳百分比介於20至40%、SrTiO3 之莫耳百分比小於或等於20%，合成為具有立方相結構之順電性陶瓷電容介電材料，而本發明所製成之陶瓷電容介電材料之介電常數係大於350、介電損失低於0.5%，且電阻係數在室溫時能到~1012 [Ω-cm]、且在125℃時能到能達到~1011 [Ω-cm]，除此之外，本發明所製成之陶瓷電容介電材料於直流偏壓下的電容變化率表現優異，故本發明的介電陶瓷混合物可以滿足EIA之X7T介電特性。
简体摘要： 一种陶瓷电容介电材料，其组成是以BaTiO3 、BaZrO3 及SrTiO3 为主体，并混合MgCO3 、SiO2 及至少一种或一种以上的化合物，该化合物系选自于过渡元素或稀土元素，其中，BaTiO3 之莫耳百分比介于40至80%、BaZrO3 之莫耳百分比介于20至40%、SrTiO3 之莫耳百分比小于或等于20%，合成为具有立方相结构之顺电性陶瓷电容介电材料，而本发明所制成之陶瓷电容介电材料之介电常数系大于350、介电损失低于0.5%，且电阻系数在室温时能到~1012 [Ω-cm]、且在125℃时能到能达到~1011 [Ω-cm]，除此之外，本发明所制成之陶瓷电容介电材料于直流偏压下的电容变化率表现优异，故本发明的介电陶瓷混合物可以满足EIA之X7T介电特性。
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公开(公告)号：TWI573775B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW104123019
申请日：2015-07-16
申请人： 國立臺北科技大學
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/49 , C04B35/78 , H01G4/12
CPC分类号： C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B35/6261 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/442 , C04B2235/6562 , C04B2235/762 , C04B2235/95 , H01G4/1227 , H01G4/1245
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