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    鈦酸鋇粉體的製造方法
    3.
    发明专利
    鈦酸鋇粉體的製造方法 审中-公开
    钛酸钡粉体的制造方法

    公开(公告)号：TW201520186A

    公开(公告)日：2015-06-01

    申请号：TW103128933

    申请日：2014-08-22

    Applicant: 堺化學工業股份有限公司 ,  SAKAI CHEMICAL INDUSTRY CO., LTD.

    Inventor： 山中和美 ,  YAMANAKA, KAZUMI ,  馬場勇志 ,  BABA, YUJI ,  米田稔 ,  YONEDA, MINORU ,  国吉幸浩 ,  KUNIYOSHI, YUKIHIRO ,  大釜信治 ,  OGAMA, SHINJI

    IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/65 ,  H01G4/12

    CPC classification number: C01G23/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

    Abstract: 根據本發明，提供一種鈦酸鋇粉體的製造方法，其特徵係包含：於常壓下將氫氧化鋇水溶液保持在80℃至沸點為止的溫度，並將BET比表面積在200至400m2/g的範圍且藉由X射線繞射所測得之(101)面之繞射峰值的半值寬在2.3°至5.0°的範圍之銳鈦礦(Anatase)型含水氧化鈦的水漿液加入於上述氫氧化鋇水溶液，使上述氫氧化鋇與上述含水氧化鈦反應而得到鈦酸鋇前驅物的水漿液之步驟；以及接著對如此得到之鈦酸鋇前驅物進行24小時以上的水熱處理，而得到鈦酸鋇粒子之步驟。

    Abstract in simplified Chinese: 根据本发明，提供一种钛酸钡粉体的制造方法，其特征系包含：于常压下将氢氧化钡水溶液保持在80℃至沸点为止的温度，并将BET比表面积在200至400m2/g的范围且借由X射线绕射所测得之(101)面之绕射峰值的半值宽在2.3°至5.0°的范围之锐钛矿(Anatase)型含水氧化钛的水浆液加入于上述氢氧化钡水溶液，使上述氢氧化钡与上述含水氧化钛反应而得到钛酸钡前驱物的水浆液之步骤；以及接着对如此得到之钛酸钡前驱物进行24小时以上的水热处理，而得到钛酸钡粒子之步骤。

    積層陶瓷電容器及積層陶瓷電容器之製造方法
    5.
    发明专利
    積層陶瓷電容器及積層陶瓷電容器之製造方法 审中-公开
    积层陶瓷电容器及积层陶瓷电容器之制造方法

    公开(公告)号：TW201513149A

    公开(公告)日：2015-04-01

    申请号：TW103122722

    申请日：2014-07-01

    Applicant: 村田製作所股份有限公司 ,  MURATA MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 土井章孝 ,  DOI, AKITAKA ,  山口晉一 ,  YAMAGUCHI, SHINICHI

    IPC: H01G4/008 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

    CPC classification number: H01G4/1227 ,  H01G4/008 ,  H01G4/012 ,  H01G4/12 ,  H01G4/232 ,  H01G4/30 ,  H01G4/385

    Abstract: 本發明提供一種具有充分之高溫負載壽命之積層陶瓷電容器、及可確實地製造該積層陶瓷電容器之積層陶瓷電容器之製造方法。 使內部電極(3、4)為Sn固溶於Ni之構成者，並且將內部電極之距與陶瓷介電層對向之表面2nm之深度之區域中的Sn/(Ni+Sn)比(原子數比)之偏差之CV值設為32%以下。 作為內部電極形成用之導電膏，使用包含Ni粉末及藉由BET求出之比表面積為10m2/g以上之以SnO或SnO2表示之氧化錫粉末之導電膏。 又，作為導電膏，使用包含Ni-Sn合金粉末之導電膏。或者，使用包含Ni-Sn合金粉末及比表面積為10m2/g以上之以SnO或SnO2表示之氧化錫粉末之導電膏。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种具有充分之高温负载寿命之积层陶瓷电容器、及可确实地制造该积层陶瓷电容器之积层陶瓷电容器之制造方法。 使内部电极(3、4)为Sn固溶于Ni之构成者，并且将内部电极之距与陶瓷介电层对向之表面2nm之深度之区域中的Sn/(Ni+Sn)比(原子数比)之偏差之CV值设为32%以下。 作为内部电极形成用之导电膏，使用包含Ni粉末及借由BET求出之比表面积为10m2/g以上之以SnO或SnO2表示之氧化锡粉末之导电膏。 又，作为导电膏，使用包含Ni-Sn合金粉末之导电膏。或者，使用包含Ni-Sn合金粉末及比表面积为10m2/g以上之以SnO或SnO2表示之氧化锡粉末之导电膏。

    噴墨用墨水、印刷方法及陶瓷電子零件
    8.
    发明专利
    噴墨用墨水、印刷方法及陶瓷電子零件 审中-公开
    喷墨用墨水、印刷方法及陶瓷电子零件

    公开(公告)号：TW201404838A

    公开(公告)日：2014-02-01

    申请号：TW102117081

    申请日：2013-05-14

    Applicant: 村田製作所股份有限公司 ,  MURATA MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 鶴明大 ,  TSURU, AKIHIRO ,  小倉丈承 ,  OGURA, TAKETSUGU ,  緒方直明 ,  OGATA, NAOAKI

    IPC: C09D11/02 ,  H01G4/30

    CPC classification number: C09D11/52 ,  C09D11/00 ,  C09D11/322 ,  C09D11/36 ,  C09D11/38 ,  H01G4/008 ,  H01G4/0085 ,  H01G4/012 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/248 ,  H01G4/30

    Abstract: 本發明提供一種噴墨用墨水，其滿足可噴墨印刷之黏度特性、可穩定印刷之沈澱抑制特性、印刷後不易模糊之特性之全部3個特性。本發明之噴墨用墨水係例如可於藉由噴墨印刷而形成積層陶瓷電容器1之內部電極4、5時較佳地使用者，且包含BET換算粒徑50~1000 nm之功能性粒子、BET換算粒徑4~40 nm之流變調整用粒子、及有機媒劑，剪切速度1000 s-1下之黏度為1~50 mPa．s，且剪切速度0.1 s-1下之黏度為藉由式：η=(D)2×ρ/104/2+80[其中，η為剪切速度0.1 s-1下之黏度(mPa．s)，D為功能性粒子之BET換算粒徑(nm)，ρ為功能性粒子之比重]而算出之黏度η以上。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种喷墨用墨水，其满足可喷墨印刷之黏度特性、可稳定印刷之沈淀抑制特性、印刷后不易模煳之特性之全部3个特性。本发明之喷墨用墨水系例如可于借由喷墨印刷而形成积层陶瓷电容器1之内部电极4、5时较佳地用户，且包含BET换算粒径50~1000 nm之功能性粒子、BET换算粒径4~40 nm之流变调整用粒子、及有机媒剂，剪切速度1000 s-1下之黏度为1~50 mPa．s，且剪切速度0.1 s-1下之黏度为借由式：η=(D)2×ρ/104/2+80[其中，η为剪切速度0.1 s-1下之黏度(mPa．s)，D为功能性粒子之BET换算粒径(nm)，ρ为功能性粒子之比重]而算出之黏度η以上。

    積層陶瓷電容器
    9.
    发明专利
    積層陶瓷電容器 审中-公开
    积层陶瓷电容器

    公开(公告)号：TW201401312A

    公开(公告)日：2014-01-01

    申请号：TW101148122

    申请日：2012-12-18

    Applicant: 太陽誘電股份有限公司 ,  TAIYO YUDEN CO., LTD.

    Inventor： 寺岡秀彌 ,  TERAOKA, HIDEYA ,  森田浩一郎 ,  MORITA, KOICHIRO ,  水野洋一 ,  MIZUNO, YOUICHI

    IPC: H01G4/30 ,  H01G4/08

    CPC classification number: H01G4/1227 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/30

    Abstract: 本發明係提供一種達成用以滿足小型化、大容量化之要求之高介電常數化與薄層化，且絕緣可靠性亦優異之積層陶瓷電容器。本發明之積層陶瓷電容器係包含由介電層與內部電極層交替地積層而成之積層體、及作為上述積層體之積層方向上下之最外層而形成之防護層，且上述介電層包括包含鈦酸鋇及矽化合物之燒結體，於上述介電層中，存在平均粒徑為1 μm以下之矽鈦鋇石相。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种达成用以满足小型化、大容量化之要求之高介电常数化与薄层化，且绝缘可靠性亦优异之积层陶瓷电容器。本发明之积层陶瓷电容器系包含由介电层与内部电极层交替地积层而成之积层体、及作为上述积层体之积层方向上下之最外层而形成之防护层，且上述介电层包括包含钛酸钡及硅化合物之烧结体，于上述介电层中，存在平均粒径为1 μm以下之硅钛钡石相。

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