公开(公告)号：TWI520216B

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：TW102123037

申请日：2008-01-10

Applicant: 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 阿卡法尼瑞薩 ,  ARGHAVANI, REZA ,  高建德 ,  KAO, CHIEN-TEH ,  呂新亮 ,  LU, XINLIANG

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76224 ,  H01L22/20 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201435138A

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：TW102146681

申请日：2013-12-17

Applicant: 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 高建德 ,  KAO, CHIEN-TEH ,  張鎂 ,  CHANG, MEI ,  林偉雄 ,  LAM, HYMAN ,  休斯頓約耳M ,  HUSTON, JOEL M. ,  袁小雄 ,  YUAN, XIAOXIONG ,  古法西歐肯 ,  CUVALCI, OLKAN

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/54

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/50

Abstract: 茲提供利用氣相沉積及電漿加強氣相沉積技術來沉積材料的設備和方法，更特別係氣體分配組件和用於沉積材料的氣相沉積腔室。氣體分配組件包含複數個區段，各區段含有流道，流道具有通道從流道延伸到處理腔室的處理區。

Abstract in simplified Chinese: 兹提供利用气相沉积及等离子加强气相沉积技术来沉积材料的设备和方法，更特别系气体分配组件和用于沉积材料的气相沉积腔室。气体分配组件包含复数个区段，各区段含有流道，流道具有信道从流道延伸到处理腔室的处理区。

公开(公告)号：TW201326632A

公开(公告)日：2013-07-01

申请号：TW101138731

申请日：2012-10-19

Applicant: 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 尤都史凱約瑟夫 ,  YUDOVSKY, JOSEPH ,  張鎂 ,  CHANG, MEI ,  甘戈法如克 ,  GUNGOR, FARUK ,  馬伯方 ,  MA, PAUL F. ,  朱聿達 ,  CHU, DAVID ,  高建德 ,  KAO, CHIEN-TEH ,  林偉雄 ,  LAM, HYMAN ,  吳典曄 ,  WU, DIEN YEH

IPC: F17D1/04 ,  C23C16/455

CPC classification number: F17D3/00 ,  Y10T137/7833

Abstract: 提供了一種具有輸送通道的氣體分配設備，其中輸送通道具有一入口端、一出口端與沿著長度而分隔之複數個縫隙。入口端係可連接至一惰性氣體源，且出口端係可連接於一真空源。同時提供了一種具有螺旋輸送通道、互相纏繞之螺旋輸送通道、分流之輸送通道、匯合之輸送通道、以及成形之輸送通道的氣體分配設備，其中入口端與出口端係配置以使氣體在輸送通道內快速交換。

Abstract in simplified Chinese: 提供了一种具有输送信道的气体分配设备，其中输送信道具有一入口端、一出口端与沿着长度而分隔之复数个缝隙。入口端系可连接至一惰性气体源，且出口端系可连接于一真空源。同时提供了一种具有螺旋输送信道、互相缠绕之螺旋输送信道、分流之输送信道、汇合之输送信道、以及成形之输送信道的气体分配设备，其中入口端与出口端系配置以使气体在输送信道内快速交换。

公开(公告)号：TW201428205A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：TW102141904

申请日：2013-11-18

Applicant: 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 高建德 ,  KAO, CHIEN-TEH ,  張鎂 ,  CHANG, MEI ,  林偉雄 ,  LAM, HYMAN W. H. ,  張鈾 ,  CHANG, YU ,  休斯頓約耳M ,  HUSTON, JOEL M. ,  古法西歐肯 ,  CUVALCI, OLKAN

IPC: F17C13/02 ,  F17C13/04 ,  B01J4/00 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/67017 ,  Y10T137/8593

Abstract: 在一些實施例中，一種模組化化學傳遞系統可包括複數個氣體傳遞單元，該等複數個氣體傳遞單元直接地且可移除地耦接至彼此，其中每一氣體傳遞單元包括：一主體，該主體具有第一體積；安置於該第一體積中之複數個氣體棒，其中該等複數個氣體棒之每一者經設置以經由主體中之一或更多入口耦接至至少一個氣體供應器；安置於該第一體積中之複數個閥門，每一閥門分別對齊該至少一個氣體供應器之相應的一者安置；至少一個出口導管，該出口導管將至少一種處理氣體傳遞至處理腔室中一或更多氣體傳遞區；及電控制器，該安置於該第一體積且經設置以控制該等複數個氣體棒及該等複數個閥門。

Abstract in simplified Chinese: 在一些实施例中，一种模块化化学传递系统可包括复数个气体传递单元，该等复数个气体传递单元直接地且可移除地耦接至彼此，其中每一气体传递单元包括：一主体，该主体具有第一体积；安置于该第一体积中之复数个气体棒，其中该等复数个气体棒之每一者经设置以经由主体中之一或更多入口耦接至至少一个气体供应器；安置于该第一体积中之复数个阀门，每一阀门分别对齐该至少一个气体供应器之相应的一者安置；至少一个出口导管，该出口导管将至少一种处理气体传递至处理腔室中一或更多气体传递区；及电控制器，该安置于该第一体积且经设置以控制该等复数个气体棒及该等复数个阀门。

公开(公告)号：TW201423829A

公开(公告)日：2014-06-16

申请号：TW102143113

申请日：2013-11-26

Applicant: 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 高建德 ,  KAO, CHIEN-TEH ,  林偉雄 ,  LAM, HYMAN W. H. ,  丹尼尼可拉斯R ,  DENNY, NICHOLAS R. ,  柯傳偉 ,  OR, DAVID T. ,  張鎂 ,  CHANG, MEI ,  那拉辛哈慕拉里K ,  NARASIMHAN, MURALI K.

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32532

Abstract: 茲供用於提供電漿至處理腔室之裝置的實施例。在一些實施例中，一裝置可包含：一第一接地板材；一電極，該電極設置於該第一接地板材下方且與該第一接地板材間隔第一電性絕緣體以定義出介於該第一接地板材與該電極之間之一第一間隙；一第二接地板材，該第二接地板材設置於該電極下方且與該電極間隔第二電性絕緣體以定義出介於該電極與該第二接地板材之間之一第二間隙；一第一氣體進氣口，該第一氣體進氣口提供一處理氣體至該第一間隙；複數個通孔，該等通孔設置成通過該電極且將該第一間隙耦接至該第二間隙；以及複數個第一氣體出氣口孔洞，該等第一氣體出氣口孔洞設置成通過該第二接地板材而將該第二間隙流體性地耦接至該第二板材下方的一區域。

Abstract in simplified Chinese: 兹供用于提供等离子至处理腔室之设备的实施例。在一些实施例中，一设备可包含：一第一接地板材；一电极，该电极设置于该第一接地板材下方且与该第一接地板材间隔第一电性绝缘体以定义出介于该第一接地板材与该电极之间之一第一间隙；一第二接地板材，该第二接地板材设置于该电极下方且与该电极间隔第二电性绝缘体以定义出介于该电极与该第二接地板材之间之一第二间隙；一第一气体进气口，该第一气体进气口提供一处理气体至该第一间隙；复数个通孔，该等通孔设置成通过该电极且将该第一间隙耦接至该第二间隙；以及复数个第一气体出气口孔洞，该等第一气体出气口孔洞设置成通过该第二接地板材而将该第二间隙流体性地耦接至该第二板材下方的一区域。

公开(公告)号：TW201422842A

公开(公告)日：2014-06-16

申请号：TW102145158

申请日：2013-12-09

Applicant: 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 高建德 ,  KAO, CHIEN-TEH ,  林偉雄 ,  LAM, HYMAN W. H.

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 用於提供電漿至處理腔室之裝置可包含：一電極；一第一接地板材，該第一接地板材設置於該電極下方且定義出介於該電極與該第一接地板材之間之一空腔；一電性絕緣體，該電性絕緣體設置於該電極與該第一接地板材之間以避免該電極直接接觸於該第一接地板材；一第二接地板材，該第二接地板材設置於該第一接地板材下方且定義出一第一通道；複數個第一通孔，該等通孔設置成通過該第一接地板材以流體性地耦接該通道與該空腔；一第一氣體進氣口，該第一氣體進氣口耦接至該第一通道；一第三接地板材，該第三接地板材設置於該第二接地板材下方且定義出一第二通道；複數個導管，該等導管設置成通過該等接地板材以將該空腔流體性地耦接至位於該第三接地板材下方之一區域；複數個氣體出氣口孔洞，該等氣體出氣口孔洞通過該第三接地板材以將該第二通道流體性地耦接至該第三接地板材下方的該區域；以及一第二氣體進氣口，該第二氣體進氣口耦接至該第二通道。

Abstract in simplified Chinese: 用于提供等离子至处理腔室之设备可包含：一电极；一第一接地板材，该第一接地板材设置于该电极下方且定义出介于该电极与该第一接地板材之间之一空腔；一电性绝缘体，该电性绝缘体设置于该电极与该第一接地板材之间以避免该电极直接接触于该第一接地板材；一第二接地板材，该第二接地板材设置于该第一接地板材下方且定义出一第一信道；复数个第一通孔，该等通孔设置成通过该第一接地板材以流体性地耦接该信道与该空腔；一第一气体进气口，该第一气体进气口耦接至该第一信道；一第三接地板材，该第三接地板材设置于该第二接地板材下方且定义出一第二信道；复数个导管，该等导管设置成通过该等接地板材以将该空腔流体性地耦接至位于该第三接地板材下方之一区域；复数个气体出气口孔洞，该等气体出气口孔洞通过该第三接地板材以将该第二信道流体性地耦接至该第三接地板材下方的该区域；以及一第二气体进气口，该第二气体进气口耦接至该第二信道。

公开(公告)号：TW201342475A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：TW102123037

申请日：2008-01-10

Applicant: 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 阿卡法尼瑞薩 ,  ARGHAVANI, REZA ,  高建德 ,  KAO, CHIEN-TEH ,  呂新亮 ,  LU, XINLIANG

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76224 ,  H01L22/20 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78

Abstract: 本發明大致上提供選擇性去除半導體基材上之多種氧化物的設備和方法。本發明的一實施例提供一種使用蝕刻氣體混合物以所欲之去除速率來選擇性去除基材上之氧化物的方法。蝕刻氣體混合物包括第一氣體和第二氣體，且第一氣體和第二氣體的比值係由所欲之去除速率確定之。

Abstract in simplified Chinese: 本发明大致上提供选择性去除半导体基材上之多种氧化物的设备和方法。本发明的一实施例提供一种使用蚀刻气体混合物以所欲之去除速率来选择性去除基材上之氧化物的方法。蚀刻气体混合物包括第一气体和第二气体，且第一气体和第二气体的比值系由所欲之去除速率确定之。

公开(公告)号：TWI610043B

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW102141904

申请日：2013-11-18

Applicant: 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 高建德 ,  KAO, CHIEN-TEH ,  張鎂 ,  CHANG, MEI ,  林偉雄 ,  LAM, HYMAN W. H. ,  張鈾 ,  CHANG, YU ,  休斯頓約耳M ,  HUSTON, JOEL M. ,  古法西歐肯 ,  CUVALCI, OLKAN

IPC: F17C13/02 ,  F17C13/04 ,  B01J4/00 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/67017 ,  Y10T137/8593

公开(公告)号：TW201723211A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105126511

申请日：2016-08-19

Applicant: 美商.應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 呂 新亮 ,  LU, XINLIANG ,  雷平艷 ,  LEI, PINGYAN ,  高 建德 ,  KAO, CHIEN-TEH ,  巴賽諾 米海拉 ,  BALSEANU, MIHAELA ,  夏 立群 ,  XIA, LI-QUN ,  史利倫 曼德亞 ,  SRIRAM, MANDYAM

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228

Abstract: 多種用於沉積SiN膜的方法，包括：將基材表面依序暴露至矽鹵化物前驅物與含氮反應物，該基材表面對該矽鹵化物前驅物的暴露是處於大於或等於約600°C的溫度。

Abstract in simplified Chinese: 多种用于沉积SiN膜的方法，包括：将基材表面依序暴露至硅卤化物前驱物与含氮反应物，该基材表面对该硅卤化物前驱物的暴露是处于大于或等于约600°C的温度。

公开(公告)号：TW201710547A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：TW105117159

申请日：2016-06-01

Applicant: 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 高 建德 ,  KAO, CHIEN-TEH ,  史密格 班哲明 ,  SCHMIEGE, BENJAMIN ,  路雪松 ,  LU, XUESONG ,  黃 玉婷 ,  HUANG, JUNO YU-TING ,  雷雨 ,  LEI, YU ,  李雍信 ,  LEE, YUNG HSIN ,  干德可塔 史林尼維斯 ,  GANDIKOTA, SRINIVAS ,  加卡拉祖 拉傑庫馬 ,  JAKKARAJU, RAJKUMAR ,  王 其光 ,  WANG, CHIKUANG CHARLES ,  沙安理 格扎爾 ,  SAHELI, GHAZAL ,  王 成賢 ,  WANG, BENJAMIN C. ,  呂 新亮 ,  LU, XINLIANG ,  雷平艷 ,  LEI, PINGYAN

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  C23C16/40 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02186 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144

Abstract: 本發明揭示利用原子層沉積技術來沉積氧化鈦膜的方法。氧化鈦膜可包括氮化鈦帽層、富氧氮化鈦帽層或氧化物氮化物混合層。本發明亦描述包括氧化鈦間隔墊膜的自我對準雙重圖案化方法。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示利用原子层沉积技术来沉积氧化钛膜的方法。氧化钛膜可包括氮化钛帽层、富氧氮化钛帽层或氧化物氮化物混合层。本发明亦描述包括氧化钛间隔垫膜的自我对准双重图案化方法。