公开(公告)号：TW201306130A

公开(公告)日：2013-02-01

申请号：TW101120287

申请日：2012-06-06

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 甘古利沙謝德利 ,  GANGULI, SESHADRI ,  呂新亮 ,  LU, XINLIANG ,  諾里阿提夫 ,  NOORI, ATIF ,  瑪哈賈尼梅翠伊 ,  MAHAJANI, MAITREYEE ,  陳世忠 ,  CHEN, SHIH CHUNG ,  張鎂 ,  CHANG, MEI

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/28088

摘要： 所提供的是用於在基板上沉積N型金屬的方法。部分方法包含以下步驟：提供TaM或TiM層之起始層於基板上，其中M係選自鋁、碳、貴金屬、鎵、矽、鍺，及上述物質之組合；以及使具有該TaM或TiM層之基板暴露於處理程序，該處理程序包含以還原劑浸泡該基板的該表面，以提供經處理起始層。

简体摘要： 所提供的是用于在基板上沉积N型金属的方法。部分方法包含以下步骤：提供TaM或TiM层之起始层于基板上，其中M系选自铝、碳、贵金属、镓、硅、锗，及上述物质之组合；以及使具有该TaM或TiM层之基板暴露于处理进程，该处理进程包含以还原剂浸泡该基板的该表面，以提供经处理起始层。

公开(公告)号：TWI519667B

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：TW101141325

申请日：2012-11-07

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 呂新亮 ,  LU, XINLIANG ,  湯普森大衛 ,  THOMPSON, DAVID ,  安瑟斯傑佛瑞W ,  ANTHIS, JEFFREY W. ,  張鎂 ,  CHANG, MEI ,  甘古利沙謝德利 ,  GANGULI, SESHADRI ,  唐衛 ,  TANG, WEI ,  干德可塔史林尼維斯 ,  GANDIKOTA, SRINIVAS ,  諾里阿提夫 ,  NOORI, ATIF

IPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/08 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/06 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76841

公开(公告)号：TWI508176B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：TW101120287

申请日：2012-06-06

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 甘古利沙謝德利 ,  GANGULI, SESHADRI ,  呂新亮 ,  LU, XINLIANG ,  諾里阿提夫 ,  NOORI, ATIF ,  瑪哈賈尼梅翠伊 ,  MAHAJANI, MAITREYEE ,  陳世忠 ,  CHEN, SHIH CHUNG ,  張鎂 ,  CHANG, MEI

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/28088

公开(公告)号：TWI598938B

公开(公告)日：2017-09-11

申请号：TW102101667

申请日：2013-01-16

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 阿門德哈雷德Z ,  AHMED, KHALED Z. ,  古柏羅吉帕布 ,  GOPALRAJA, PRABU ,  諾里阿提夫 ,  NOORI, ATIF ,  張鎂 ,  CHANG, MEI

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L29/772

公开(公告)号：TWI545628B

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：TW101121353

申请日：2012-06-14

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 甘古利沙謝德利 ,  GANGULI, SESHADRI ,  呂新亮 ,  LU, XINLIANG ,  諾里阿提夫 ,  NOORI, ATIF ,  瑪哈賈尼梅翠伊 ,  MAHAJANI, MAITREYEE ,  陳世忠 ,  CHEN, SHIH CHUNG ,  張鎂 ,  CHANG, MEI

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/02697 ,  H01L29/4966

公开(公告)号：TWI515803B

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW101141564

申请日：2012-11-08

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 呂新亮 ,  LU, XINLIANG ,  甘古利沙謝德利 ,  GANGULI, SESHADRI ,  陳世忠 ,  CHEN, SHIH CHUNG ,  諾里阿提夫 ,  NOORI, ATIF ,  瑪哈賈尼梅翠伊 ,  MAHAJANI, MAITREYEE ,  張鎂 ,  CHANG, MEI

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L29/4966

公开(公告)号：TW201403718A

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：TW102114223

申请日：2013-04-22

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 呂新亮 ,  LU, XINLIANG ,  甘古利沙謝德利 ,  GANGULI, SESHADRI ,  諾里阿提夫 ,  NOORI, ATIF ,  瑪哈賈尼梅翠伊 ,  MAHAJANI, MAITREYEE ,  陳世忠 ,  CHEN, SHIH CHUNG ,  雷雨 ,  LEI, YU ,  傅新宇 ,  FU, XINYU ,  唐薇 ,  TANG, WEI ,  干德可塔史林尼維斯 ,  GANDIKOTA, SRINIVAS

IPC分类号： H01L21/336

摘要： 本發明提供製造適用於鰭式場效電晶體結構之金屬閘極的方法。在此所述的方法通常包含在一半導體基板上形成一高k介電材料；在該高k介電材料上方沈積一高k介電覆蓋層；沈積一PMOS功函數層，其擁有一正功函數值；沈積一NMOS功函數層；在該NMOS功函數層上方沈積一NMOS功函數覆蓋層；除去至少一部分的PMOS功函數層或至少一部分的NMOS功函數層；以及沈積一填充層。沈積一高k介電覆蓋層、沈積一PMOS功函數層或沈積一NMOS功函數覆蓋層可包含氮化鈦、氮化鈦矽、或氮化鈦鋁的原子層沈積。可先沈積PMOS或NMOS中的任一者。

简体摘要： 本发明提供制造适用于鳍式场效应管结构之金属闸极的方法。在此所述的方法通常包含在一半导体基板上形成一高k介电材料；在该高k介电材料上方沉积一高k介电复盖层；沉积一PMOS功函数层，其拥有一正功函数值；沉积一NMOS功函数层；在该NMOS功函数层上方沉积一NMOS功函数覆盖层；除去至少一部分的PMOS功函数层或至少一部分的NMOS功函数层；以及沉积一填充层。沉积一高k介电复盖层、沉积一PMOS功函数层或沉积一NMOS功函数覆盖层可包含氮化钛、氮化钛硅、或氮化钛铝的原子层沉积。可先沉积PMOS或NMOS中的任一者。

公开(公告)号：TW201344768A

公开(公告)日：2013-11-01

申请号：TW102106042

申请日：2013-02-21

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 雷雨 ,  LEI, YU ,  甘地可塔史林尼維斯 ,  GANDIKOTA, SRINIVAS ,  傅新宇 ,  FU, XINYU ,  唐衛 ,  TANG, WEI ,  諾里阿提夫 ,  NOORI, ATIF

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28008 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

摘要： 茲提供採用摻雜Si、Al、Ga、Ge、In及/或Hf的TiN及/或TaN膜的裝置和方法。此類膜可用作高k介電帽層、PMOS功函數層及/或鋁阻障層。該等TiSiN、TaSiN、TiAlN、TaAlN、TiGaN、TaGaN、TiGeN、TaGeN、TiInN、TaInN、TiHfN或TaHfN膜可用於傳統上使用TiN及/或TaN膜處，或者該等膜可結合TiN及/或TaN使用。

简体摘要： 兹提供采用掺杂Si、Al、Ga、Ge、In及/或Hf的TiN及/或TaN膜的设备和方法。此类膜可用作高k介电帽层、PMOS功函数层及/或铝阻障层。该等TiSiN、TaSiN、TiAlN、TaAlN、TiGaN、TaGaN、TiGeN、TaGeN、TiInN、TaInN、TiHfN或TaHfN膜可用于传统上使用TiN及/或TaN膜处，或者该等膜可结合TiN及/或TaN使用。

公开(公告)号：TWI628305B

公开(公告)日：2018-07-01

申请号：TW102136787

申请日：2013-10-11

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 湯普森大衛 ,  THOMPSON, DAVID ,  干德可塔史林尼維斯 ,  GANDIKOTA, SRINIVAS ,  呂新亮 ,  LU, XINLIANG ,  唐薇 ,  TANG, WEI ,  周靜 ,  ZHOU, JING ,  甘古利沙謝德利 ,  GANGULI, SESHADRI ,  安瑟斯傑佛瑞W ,  ANTHIS, JEFFREY W. ,  諾里阿提夫 ,  NOORI, ATIF ,  甘戈法如克 ,  GUNGOR, FARUK ,  吳典曄 ,  WU, DIEN YEH ,  張鎂 ,  CHANG, MEI ,  陳世忠 ,  CHEN, SHIH CHUNG

IPC分类号： C23C16/20 ,  C23C16/08

公开(公告)号：TWI597783B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW102114223

申请日：2013-04-22

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 呂新亮 ,  LU, XINLIANG ,  甘古利沙謝德利 ,  GANGULI, SESHADRI ,  諾里阿提夫 ,  NOORI, ATIF ,  瑪哈賈尼梅翠伊 ,  MAHAJANI, MAITREYEE ,  陳世忠 ,  CHEN, SHIH CHUNG ,  雷雨 ,  LEI, YU ,  傅新宇 ,  FU, XINYU ,  唐薇 ,  TANG, WEI ,  干德可塔史林尼維斯 ,  GANDIKOTA, SRINIVAS

IPC分类号： H01L21/336