公开(公告)号：TWI419300B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：TW096148667

申请日：2007-12-19

申请人： 新光電氣工業股份有限公司 ,  SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD.

发明人： 井上明宣 ,  AKINOBU INOUE ,  反町東夫 ,  HARUO SORIMACHI

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L25/10

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/50 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48992 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49176 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85011 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H05K1/185 ,  H05K3/4614 ,  Y10T29/49124 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0401

公开(公告)号：TW541634B

公开(公告)日：2003-07-11

申请号：TW091108884

申请日：2002-04-29

申请人： 新光電氣工業股份有限公司

发明人： 反町東夫 ,  米田吉弘

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81395 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/0401

摘要： 一種裝設基材，一半導體元件藉由倒裝連接被裝設在其上，該半導體元件具有一表面其上複數個電極端子被安排成一線，每個電極端子具有一形成在其上的突出電極，其中其上被裝設該半導體元件之裝設基材之表面係設有一具有一對應該等突出電極被設置之該半導體元件的一區域的開口之保護薄膜，複數個連接電極被安排於該開口，該等連接電極係設有一用以連結它至該等突出電極的焊錫、並被安排相同於該等突出電極之間隔，並且每個連接電極被連接至該裝設基材的一接線圖案，並且其中該連接電極從該開口的中心至它的末端之部份的長度是150μm或更大。一種具有被裝設在該基材上之半導體元件的結構同樣地被揭露。

简体摘要： 一种装设基材，一半导体组件借由倒装连接被装设在其上，该半导体组件具有一表面其上复数个电极端子被安排成一线，每个电极端子具有一形成在其上的突出电极，其中其上被装设该半导体组件之装设基材之表面系设有一具有一对应该等突出电极被设置之该半导体组件的一区域的开口之保护薄膜，复数个连接电极被安排于该开口，该等连接电极系设有一用以链接它至该等突出电极的焊锡、并被安排相同于该等突出电极之间隔，并且每个连接电极被连接至该装设基材的一接线图案，并且其中该连接电极从该开口的中心至它的末端之部份的长度是150μm或更大。一种具有被装设在该基材上之半导体组件的结构同样地被揭露。