专利检索 cpc:"H01L2225/06558" 第 1 页

1.

发明专利
半導體安裝設備、半導體安裝設備頭、及用於製造層疊式晶片之方法审中-公开
简体标题：半导体安装设备、半导体安装设备头、及用于制造层叠式芯片之方法

公开(公告)号：TW201735194A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105139519

申请日：2016-11-30

申请人： 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED

发明人： 吉良秀彥 , KIRA, HIDEHIKO , 增山卓己 , MASUYAMA, TAKUMI

IPC分类号： H01L21/52 , H01L21/60 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18

CPC分类号： H01L24/75 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/75301 , H01L2224/75745 , H01L2224/81203 , H01L2225/06513 , H01L2225/06558

摘要： 一種半導體安裝設備包括：一儲存單元，其儲存一液體或一氣體；一接觸單元，其在以該液體或該氣體填充該儲存單元時接觸一半導體晶片；及一吸引單元，其吸住該半導體晶片以使該半導體晶片緊密地接觸該接觸單元。

简体摘要： 一种半导体安装设备包括：一存储单元，其存储一液体或一气体；一接触单元，其在以该液体或该气体填充该存储单元时接触一半导体芯片；及一吸引单元，其吸住该半导体芯片以使该半导体芯片紧密地接触该接触单元。

2.

发明专利
半導體封裝及其製作方法有权
简体标题：半导体封装及其制作方法

公开(公告)号：TWI599012B

公开(公告)日：2017-09-11

申请号：TW105116593

申请日：2016-05-27

申请人： 美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 施信益 , SHIH, SHING-YIH , 吳鐵將 , WU, TIEH-CHIANG

IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/535 , H01L27/04

CPC分类号： H01L25/0652 , H01L2224/16145 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06544 , H01L2225/06558 , H01L2225/06586

3.

发明专利
扇出型背對背晶片堆疊封裝構造及其製造方法审中-公开
简体标题：扇出型背对背芯片堆栈封装构造及其制造方法

公开(公告)号：TW201729360A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105104146

申请日：2016-02-05

申请人： 力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC.

发明人： 洪菁蔚 , HUNG, CHING WEI , 范文正 , FAN, WEN JENG

IPC分类号： H01L23/28 , H01L21/56

CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/49811 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/02 , H01L24/04 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/73 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/50 , H01L2021/60015 , H01L2021/60225 , H01L2224/02166 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/10126 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/13027 , H01L2224/19 , H01L2224/2101 , H01L2224/221 , H01L2224/32145 , H01L2224/73267 , H01L2224/83005 , H01L2224/92244 , H01L2225/06524 , H01L2225/06527 , H01L2225/06548 , H01L2225/06558 , H01L2225/06565 , H01L2924/3511

摘要： 揭示一種扇出型背對背晶片堆疊封裝構造，包含背對背堆疊之一第一晶片與一第二晶片、一封膠層、複數個形成於封膠層中之模封導通孔、一第一重配置線路層以及一第二重配置線路層。封膠層同時包覆第一晶片之側面與第二晶片之側面，並具有不大於晶片堆疊高度之厚度，以顯露第一晶片之第一主動面與第二晶片之第二主動面，封膠層具有由第一主動面擴張之第一周邊表面與由第二主動面擴張之第二周邊表面。第一重配置線路層形成在第一主動面上並延伸至第一周邊表面，以電性連接第一晶片與模封導通孔。第二重配置線路層形成在第二主動面上並延伸至第二周邊表面，以電性連接第二晶片與模封導通孔。因此，提供了多晶片背對背堆疊且降低封裝翹曲的薄型封裝型態。

简体摘要： 揭示一种扇出型背对背芯片堆栈封装构造，包含背对背堆栈之一第一芯片与一第二芯片、一封胶层、复数个形成于封胶层中之模封导通孔、一第一重配置线路层以及一第二重配置线路层。封胶层同时包覆第一芯片之侧面与第二芯片之侧面，并具有不大于芯片堆栈高度之厚度，以显露第一芯片之第一主动面与第二芯片之第二主动面，封胶层具有由第一主动面扩张之第一周边表面与由第二主动面扩张之第二周边表面。第一重配置线路层形成在第一主动面上并延伸至第一周边表面，以电性连接第一芯片与模封导通孔。第二重配置线路层形成在第二主动面上并延伸至第二周边表面，以电性连接第二芯片与模封导通孔。因此，提供了多芯片背对背堆栈且降低封装翘曲的薄型封装型态。

4.

发明专利
半導體裝置結構审中-公开
简体标题：半导体设备结构

公开(公告)号：TW201725696A

公开(公告)日：2017-07-16

申请号：TW105132027

申请日：2016-10-04

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 高敏峰 , KAO, MIN FENG , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG , 林政賢 , LIN, JENG SHYAN , 黃薰瑩 , HUANG, HSUN YING

IPC分类号： H01L27/04 , H01L29/78

CPC分类号： H01L25/0655 , H01L21/26513 , H01L21/324 , H01L21/76898 , H01L25/0657 , H01L29/1083 , H01L2224/11 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06558 , H01L2225/06586

摘要： 本發明實施例提供一種半導體裝置結構。半導體裝置結構包括半導體基板，具有第一表面和第二表面。半導體基板具有主動區。半導體基板係摻雜具第一導電類型的第一摻質。主動區相鄰於第一表面，且摻雜具第二導電類型的第二摻質。半導體裝置結構包括摻雜層，位於第二表面上方，且摻雜具第一導電類型的第三摻質。摻雜層中的第三摻質的第一摻雜濃度大於半導體基板中的第一摻質的第二摻雜濃度。半導體裝置結構包括導電凸塊，位於摻雜層上方。

简体摘要： 本发明实施例提供一种半导体设备结构。半导体设备结构包括半导体基板，具有第一表面和第二表面。半导体基板具有主动区。半导体基板系掺杂具第一导电类型的第一掺质。主动区相邻于第一表面，且掺杂具第二导电类型的第二掺质。半导体设备结构包括掺杂层，位于第二表面上方，且掺杂具第一导电类型的第三掺质。掺杂层中的第三掺质的第一掺杂浓度大于半导体基板中的第一掺质的第二掺杂浓度。半导体设备结构包括导电凸块，位于掺杂层上方。

5.

发明专利
半導體裝置與其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备与其制造方法

公开(公告)号：TW201725661A

公开(公告)日：2017-07-16

申请号：TW105133468

申请日：2016-10-17

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 陳煜仁 , CHEN, YU-JEN , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN-WEI , 葉德強 , YEH, DER-CHYANG

IPC分类号： H01L21/78 , H01L25/065

CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L24/19 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2225/06527 , H01L2225/06548 , H01L2225/06558 , H01L2225/06568 , H01L2225/06586 , H01L2924/15192

摘要： 一種半導體裝置包含經垂直堆疊以具有一垂直高度之複數個半導體晶粒及環繞該等經堆疊半導體晶粒之一介電質。該半導體裝置進一步具有位於該等經堆疊半導體晶粒外部且延伸穿過該介電質之一導電柱。在該半導體裝置中，該導電柱之一高度大於該垂直高度。

简体摘要： 一种半导体设备包含经垂直堆栈以具有一垂直高度之复数个半导体晶粒及环绕该等经堆栈半导体晶粒之一介电质。该半导体设备进一步具有位于该等经堆栈半导体晶粒外部且延伸穿过该介电质之一导电柱。在该半导体设备中，该导电柱之一高度大于该垂直高度。

6.

发明专利
覆晶晶圓級封裝及其方法有权
简体标题：覆晶晶圆级封装及其方法

公开(公告)号：TWI587472B

公开(公告)日：2017-06-11

申请号：TW104135597

申请日：2013-11-14

申请人： 英特爾德國公司 , INTEL DEUTSCHLAND GMBH

发明人： 梅爾索斯登 , MEYER, THORSTEN

IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/28 , H01L21/768

CPC分类号： H01L24/96 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/24225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32135 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/83005 , H01L2224/83862 , H01L2224/92225 , H01L2224/92244 , H01L2225/06517 , H01L2225/06524 , H01L2225/06558 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/0401

7.

发明专利
半導體封裝审中-公开
简体标题：半导体封装

公开(公告)号：TW201719834A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105129743

申请日：2016-09-13

申请人： 聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.

发明人： 周哲雅 , CHOU, CHE YA , 許文松 , HSU, WEN SUNG , 陳南誠 , CHEN, NAN CHENG

IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/28

CPC分类号： H01L23/49811 , H01L21/4857 , H01L23/3128 , H01L23/3192 , H01L23/3675 , H01L23/498 , H01L23/49833 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0361 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/1132 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16013 , H01L2224/16058 , H01L2224/16112 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81191 , H01L2224/81385 , H01L2224/92125 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06558 , H01L2924/15311 , H01L2924/16251 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/00

摘要： 本發明提供了一種半導體封裝，包括：一基座；複數個第一導電結構；以及一半導體組件，通過該等第一導電結構接合至該基座；其中，該半導體組件包括：一載體基底；複數個第二導電結構；以及一第一半導體主體，通過該等第二導電結構接合在該載體基底；其中，該等第一導電結構和該等第二導電結構分別設置在該載體基底的兩相對表面上；其中，該載體基底及該基座均為該第一半導體主體的一扇出結構。

简体摘要： 本发明提供了一种半导体封装，包括：一基座；复数个第一导电结构；以及一半导体组件，通过该等第一导电结构接合至该基座；其中，该半导体组件包括：一载体基底；复数个第二导电结构；以及一第一半导体主体，通过该等第二导电结构接合在该载体基底；其中，该等第一导电结构和该等第二导电结构分别设置在该载体基底的两相对表面上；其中，该载体基底及该基座均为该第一半导体主体的一扇出结构。