公开(公告)号：TWI685903B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：TW104107899

申请日：2015-03-12

申请人： 新加坡商史達晶片有限公司 ,  STATS CHIPPAC, LTD.

发明人： 林 耀劍 ,  LIN, YAOJIAN ,  崔源璟 ,  CHOI, WON KYOUNG ,  陳 康 ,  CHEN, KANG ,  米卡勒夫 伊芳 ,  MICALLEF, IVAN

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/538

公开(公告)号：TWI608578B

公开(公告)日：2017-12-11

申请号：TW103126865

申请日：2014-08-06

申请人： 史達晶片有限公司 ,  STATS CHIPPAC, LTD.

发明人： 林 耀劍 ,  LIN, YAOJIAN ,  陳 康 ,  CHEN, KANG ,  高 英華 ,  GOH, HIN HWA ,  沈一權 ,  SHIM, IL KWON

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/488 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24155 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/82

公开(公告)号：TWI641060B

公开(公告)日：2018-11-11

申请号：TW103124660

申请日：2014-07-18

申请人： 史達晶片有限公司 ,  STATS CHIPPAC, LTD.

发明人： 王 建銘 ,  HENG, KIAN MENG ,  高 英華 ,  GOH, HIN HWA ,  卡普拉斯 瓊斯 阿爾文 ,  CAPARAS, JOSE ALVIN ,  陳 康 ,  CHEN, KANG ,  鄒 勝源 ,  CHOW, SENG GUAN ,  林 耀劍 ,  LIN, YAOJIAN

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/34

公开(公告)号：TW201539590A

公开(公告)日：2015-10-16

申请号：TW104107899

申请日：2015-03-12

申请人： 史達晶片有限公司 ,  STATS CHIPPAC, LTD.

发明人： 林 耀劍 ,  LIN, YAOJIAN ,  崔源璟 ,  CHOI, WON KYOUNG ,  陳 康 ,  CHEN, KANG ,  米卡勒夫 伊芳 ,  MICALLEF, IVAN

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/538

CPC分类号： B81B7/007 ,  B81C1/0023 ,  B81C1/00301 ,  B81C1/00904 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/81 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： 一種半導體裝置具有第一半導體晶粒和鄰近於所述第一半導體晶粒的模組式互連結構。膠封劑沉積在作為重構面板的所述第一半導體晶粒和模組式互連結構之上。互連結構被形成在所述第一半導體晶粒和模組式互連結構之上。所述第一半導體晶粒的主動區域仍然缺乏所述互連結構。第二半導體晶粒被安裝在所述第一半導體晶粒之上而以所述第二半導體的作用表面朝向所述第一半導體晶粒的作用表面定位。所述重構面板在安裝所述第二半導體晶粒之前或之後被單一化。所述第一或第二半導體晶粒包括微機電系統(MEMS)。所述第二半導體晶粒包括膠封劑和形成在所述第二半導體晶粒之上的互連結構。或者，所述第二半導體晶粒被安裝到設置在所述互連結構之上的中介層。

简体摘要： 一种半导体设备具有第一半导体晶粒和邻近于所述第一半导体晶粒的模块式互链接构。胶封剂沉积在作为重构皮肤的所述第一半导体晶粒和模块式互链接构之上。互链接构被形成在所述第一半导体晶粒和模块式互链接构之上。所述第一半导体晶粒的主动区域仍然缺乏所述互链接构。第二半导体晶粒被安装在所述第一半导体晶粒之上而以所述第二半导体的作用表面朝向所述第一半导体晶粒的作用表面定位。所述重构皮肤在安装所述第二半导体晶粒之前或之后被单一化。所述第一或第二半导体晶粒包括微机电系统(MEMS)。所述第二半导体晶粒包括胶封剂和形成在所述第二半导体晶粒之上的互链接构。或者，所述第二半导体晶粒被安装到设置在所述互链接构之上的中介层。

公开(公告)号：TW201517218A

公开(公告)日：2015-05-01

申请号：TW103126865

申请日：2014-08-06

申请人： 史達晶片有限公司 ,  STATS CHIPPAC, LTD.

发明人： 林 耀劍 ,  LIN, YAOJIAN ,  陳 康 ,  CHEN, KANG ,  高 英華 ,  GOH, HIN HWA ,  沈一權 ,  SHIM, IL KWON

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/488 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24155 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/82

摘要： 一種半導體裝置係具有一基板。一導電貫孔係穿過該基板來加以形成。複數個第一接觸墊係形成在該基板的一第一表面之上。複數個第二接觸墊係形成在該基板的一第二表面之上。一仿真圖案係形成在該基板的第二表面之上。一凹口係形成在該基板的一側壁中。一開口係穿過該基板來加以形成。一種囊封體係沉積在該開口中。一絕緣層係形成在該基板的第二表面之上。一仿真開口係形成在該絕緣層中。一半導體晶粒係相鄰該基板而被設置。一種囊封體係沉積在該半導體晶粒及基板之上。該基板的第一表面係包含一寬度是大於該基板的第二表面的一寬度。

简体摘要： 一种半导体设备系具有一基板。一导电贯孔系穿过该基板来加以形成。复数个第一接触垫系形成在该基板的一第一表面之上。复数个第二接触垫系形成在该基板的一第二表面之上。一仿真图案系形成在该基板的第二表面之上。一凹口系形成在该基板的一侧壁中。一开口系穿过该基板来加以形成。一种囊封体系沉积在该开口中。一绝缘层系形成在该基板的第二表面之上。一仿真开口系形成在该绝缘层中。一半导体晶粒系相邻该基板而被设置。一种囊封体系沉积在该半导体晶粒及基板之上。该基板的第一表面系包含一宽度是大于该基板的第二表面的一宽度。

公开(公告)号：TW201513238A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：TW103124660

申请日：2014-07-18

申请人： 史達晶片有限公司 ,  STATS CHIPPAC, LTD.

发明人： 王 建銘 ,  HENG, KIAN MENG ,  高 英華 ,  GOH, HIN HWA ,  卡普拉斯 瓊斯 阿爾文 ,  CAPARAS, JOSE ALVIN ,  陳 康 ,  CHEN, KANG ,  鄒 勝源 ,  CHOW, SENG GUAN ,  林 耀劍 ,  LIN, YAOJIAN

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/34

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/09 ,  H01L24/19 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： 一種半導體裝置具有基板，帶有設置在所述基板上方的硬化層。所述基板的形狀為圓形或矩形。複數個半導體晶粒被設置在所述基板的一部分上方，同時留下所述基板的不含所述半導體晶粒的一開放區域。所述基板的不含所述半導體晶粒的所述開放區域包括中央區域或在所述半導體晶粒之間的間隙位置。所述半導體晶粒被設置於圍繞所述基板的周圍。囊封體沉積在所述半導體晶粒和所述基板上方。將所述基板移除，並且互連結構形成在所述半導體晶粒上方。藉由留下所述基板的不含所述半導體晶粒的所述預定區域，在所述半導體晶粒的熱膨脹係數和除去所述基板後重組的晶圓上的囊封體的熱膨脹係數之間的任何不匹配的翹曲效果降低。

简体摘要： 一种半导体设备具有基板，带有设置在所述基板上方的硬化层。所述基板的形状为圆形或矩形。复数个半导体晶粒被设置在所述基板的一部分上方，同时留下所述基板的不含所述半导体晶粒的一开放区域。所述基板的不含所述半导体晶粒的所述开放区域包括中央区域或在所述半导体晶粒之间的间隙位置。所述半导体晶粒被设置于围绕所述基板的周围。囊封体沉积在所述半导体晶粒和所述基板上方。将所述基板移除，并且互链接构形成在所述半导体晶粒上方。借由留下所述基板的不含所述半导体晶粒的所述预定区域，在所述半导体晶粒的热膨胀系数和除去所述基板后重组的晶圆上的囊封体的热膨胀系数之间的任何不匹配的翘曲效果降低。