公开(公告)号：TW201726930A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105125778

申请日：2016-08-12

申请人： 三菱綜合材料股份有限公司 ,  MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION

发明人： 森暁 ,  MORI, SATORU ,  谷雨 ,  TANI, U ,  佐藤雄次 ,  SATO, YUUJI ,  菊池文武 ,  KIKUCHI, FUMITAKE ,  荒井公 ,  ARAI, ISAO

IPC分类号： C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/10 ,  C22F1/08 ,  C23C14/34

CPC分类号： C22C9/01 ,  C22C9/06 ,  C22C9/08 ,  C22C9/10 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  C23C14/34 ,  C25C1/12 ,  C25C7/02

摘要： 本發明係提供一種高純度銅濺鍍靶材，其係排除O，H，N，C後之Cu的純度為99.99998mass%以上，Al之含量為0.005massppm以下，Si之含量為0.05massppm以下，Fe之含量為0.02massppm以下，S之含量為0.03massppm以下，Cl之含量為0.1massppm以下，O之含量為1massppm以下，H之含量為1massppm以下，N之含量為1massppm以下，C之含量為1massppm以下。

简体摘要： 本发明系提供一种高纯度铜溅镀靶材，其系排除O，H，N，C后之Cu的纯度为99.99998mass%以上，Al之含量为0.005massppm以下，Si之含量为0.05massppm以下，Fe之含量为0.02massppm以下，S之含量为0.03massppm以下，Cl之含量为0.1massppm以下，O之含量为1massppm以下，H之含量为1massppm以下，N之含量为1massppm以下，C之含量为1massppm以下。

公开(公告)号：TWI696714B

公开(公告)日：2020-06-21

申请号：TW105125778

申请日：2016-08-12

申请人： 日商三菱綜合材料股份有限公司 ,  MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION

发明人： 森暁 ,  MORI, SATORU ,  谷雨 ,  TANI, U ,  佐藤雄次 ,  SATO, YUUJI ,  菊池文武 ,  KIKUCHI, FUMITAKE ,  荒井公 ,  ARAI, ISAO

IPC分类号： C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/10 ,  C22F1/08 ,  C23C14/34

公开(公告)号：TW202026435A

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：TW108138144

申请日：2019-10-23

申请人： 日商三菱綜合材料股份有限公司 ,  MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION

发明人： 森曉 ,  MORI, SATORU ,  熊谷訓 ,  KUMAGAI, SATOSHI ,  谷雨 ,  TANI, U ,  佐藤雄次 ,  SATO, YUUJI

IPC分类号： C22C9/00 ,  B22F1/00 ,  B22F3/10 ,  C23C14/34

摘要： 一種濺鍍靶材，含有由Ag,As,Pb,Sb,Bi,Cd,Sn,Ni,Fe之中所選擇的1種或2種以上合計在5質量ppm以上50質量ppm以下的範圍，餘部為銅及不可避免的不純物所構成，以電子後方散射繞射法觀察，不含雙晶而作為面積平均所算出的平均結晶粒徑為X1(μm)，極點圖的強度最大值為X2的場合，滿足：(1)式：2500＞19×X1+290×X2，同時以電子後方散射繞射法測定的結晶方位之局部方位差(KAM)為2.0°以下，相對密度為95%以上。

简体摘要： 一种溅镀靶材，含有由Ag,As,Pb,Sb,Bi,Cd,Sn,Ni,Fe之中所选择的1种或2种以上合计在5质量ppm以上50质量ppm以下的范围，余部为铜及不可避免的不纯物所构成，以电子后方散射绕射法观察，不含双晶而作为面积平均所算出的平均结晶粒径为X1(μm)，极点图的强度最大值为X2的场合，满足：(1)式：2500＞19×X1+290×X2，同时以电子后方散射绕射法测定的结晶方位之局部方位差(KAM)为2.0°以下，相对密度为95%以上。