-
公开(公告)号：TWI691084B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW107124133
申请日：2013-10-15
Inventor： 肥純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 島行徳 , SHIMA, YUKINORI , 徳永肇 , TOKUNAGA, HAJIME , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 村山佳右 , MURAYAMA, KEISUKE , 松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE
-
公开(公告)号：TW201840000A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107124133
申请日：2013-10-15
Inventor： 肥純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 島行徳 , SHIMA, YUKINORI , 徳永肇 , TOKUNAGA, HAJIME , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 村山佳右 , MURAYAMA, KEISUKE , 松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE
Abstract: 減少包括氧化物半導體膜的半導體裝置的氧化物半導體膜中的缺陷。另外，提高包括氧化物半導體膜的半導體裝置的電特性。另外，提高包括氧化物半導體膜的半導體裝置的可靠性。在本發明的半導體裝置中，該半導體裝置包括電晶體、覆蓋該電晶體的第一氧化物絕緣膜以及該第一氧化物絕緣膜上的第二氧化物絕緣膜，上述電晶體包括形成在基板上的閘極電極、覆蓋閘極電極的閘極絕緣膜、隔著閘極絕緣膜與閘極電極重疊的多層膜、以及與多層膜相接的一對電極，多層膜包括氧化物半導體膜、以及含有In或Ga的氧化物膜，第一氧化物絕緣膜為使氧透過的氧化物絕緣膜，第二氧化物絕緣膜為包含超過化學計量組成的氧的氧化物絕緣膜。
Abstract in simplified Chinese: 减少包括氧化物半导体膜的半导体设备的氧化物半导体膜中的缺陷。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体设备的电特性。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体设备的可靠性。在本发明的半导体设备中，该半导体设备包括晶体管、覆盖该晶体管的第一氧化物绝缘膜以及该第一氧化物绝缘膜上的第二氧化物绝缘膜，上述晶体管包括形成在基板上的闸极电极、覆盖闸极电极的闸极绝缘膜、隔着闸极绝缘膜与闸极电极重叠的多层膜、以及与多层膜相接的一对电极，多层膜包括氧化物半导体膜、以及含有In或Ga的氧化物膜，第一氧化物绝缘膜为使氧透过的氧化物绝缘膜，第二氧化物绝缘膜为包含超过化学计量组成的氧的氧化物绝缘膜。
-
公开(公告)号：TWI652828B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW106116894
申请日：2013-07-25
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI , 宍戶英明 , SHISHIDO, HIDEAKI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE , 村山佳右 , MURAYAMA, KEISUKE
IPC: H01L29/786 , H01L21/28
-
公开(公告)号：TW201832366A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW107114296
申请日：2013-04-11
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE , 村山佳右 , MURAYAMA, KEISUKE
Abstract: 本發明的一個方式構成一種電晶體，該電晶體在第一閘極電極層與第二閘極電極層之間隔著絕緣層包括氧化物半導體疊層，在該氧化物半導體疊層中，通道形成區的厚度小於其他區域。另外，在上述電晶體中，閘極電極層中的一方用作用來控制臨界電壓的所謂背閘極。藉由控制施加到該背閘極的電位，可以控制電晶體的臨界電壓，由此容易將電晶體維持為常截止。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式构成一种晶体管，该晶体管在第一闸极电极层与第二闸极电极层之间隔着绝缘层包括氧化物半导体叠层，在该氧化物半导体叠层中，信道形成区的厚度小于其他区域。另外，在上述晶体管中，闸极电极层中的一方用作用来控制临界电压的所谓背闸极。借由控制施加到该背闸极的电位，可以控制晶体管的临界电压，由此容易将晶体管维持为常截止。
-
公开(公告)号：TWI594429B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW102113970
申请日：2013-04-19
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE , 村山佳右 , MURAYAMA, KEISUKE
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78696
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI573271B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW102112845
申请日：2013-04-11
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE , 村山佳右 , MURAYAMA, KEISUKE
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/7831
-
公开(公告)号：TWI629794B
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：TW105140446
申请日：2013-04-11
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE , 村山佳右 , MURAYAMA, KEISUKE
-
公开(公告)号：TW201733132A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106116894
申请日：2013-07-25
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI , 宍戶英明 , SHISHIDO, HIDEAKI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE , 村山佳右 , MURAYAMA, KEISUKE
IPC: H01L29/786 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/1255 , G02F1/1339 , G02F1/134363 , G02F1/13454 , G02F1/13458 , G02F1/136204 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/134372 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G02F2201/40 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3265 , H01L29/7869
Abstract: 本發明的一個方式是不降低孔徑比且具有增大了電荷容量的電容元件的半導體裝置。一種半導體裝置，包括：包括具有透光性的半導體膜的電晶體；在一對電極之間設置有介電膜的電容元件；設置在具有透光性的半導體膜上的絕緣膜；以及設置在絕緣膜上的具有透光性的導電膜，其中，在電容元件中，與電晶體的具有透光性的半導體膜形成在同一表面上的至少包含銦(In)或鋅(Zn)的金屬氧化物膜用作一個電極，具有透光性的導電膜用作另一個電極，設置在具有透光性的半導體膜上的絕緣膜用作介電膜。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式是不降低孔径比且具有增大了电荷容量的电容组件的半导体设备。一种半导体设备，包括：包括具有透光性的半导体膜的晶体管；在一对电极之间设置有介电膜的电容组件；设置在具有透光性的半导体膜上的绝缘膜；以及设置在绝缘膜上的具有透光性的导电膜，其中，在电容组件中，与晶体管的具有透光性的半导体膜形成在同一表面上的至少包含铟(In)或锌(Zn)的金属氧化物膜用作一个电极，具有透光性的导电膜用作另一个电极，设置在具有透光性的半导体膜上的绝缘膜用作介电膜。
-
公开(公告)号：TWI595667B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW102126676
申请日：2013-07-25
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI , 宍戶英明 , SHISHIDO, HIDEAKI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE , 村山佳右 , MURAYAMA, KEISUKE
IPC: H01L29/786 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/1255 , G02F1/1339 , G02F1/134363 , G02F1/13454 , G02F1/13458 , G02F1/136204 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/134372 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G02F2201/40 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3265 , H01L29/7869
-
公开(公告)号：TW201411854A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102126676
申请日：2013-07-25
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI , 宍戶英明 , SHISHIDO, HIDEAKI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE , 村山佳右 , MURAYAMA, KEISUKE
IPC: H01L29/786 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/1255 , G02F1/1339 , G02F1/134363 , G02F1/13454 , G02F1/13458 , G02F1/136204 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/134372 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G02F2201/40 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3265 , H01L29/7869
Abstract: 本發明的一個方式是不降低孔徑比且具有增大了電荷容量的電容元件的半導體裝置。一種半導體裝置，包括：包括具有透光性的半導體膜的電晶體；在一對電極之間設置有介電膜的電容元件；設置在具有透光性的半導體膜上的絕緣膜；以及設置在絕緣膜上的具有透光性的導電膜，其中，在電容元件中，與電晶體的具有透光性的半導體膜形成在同一表面上的至少包含銦(In)或鋅(Zn)的金屬氧化物膜用作一個電極，具有透光性的導電膜用作另一個電極，設置在具有透光性的半導體膜上的絕緣膜用作介電膜。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式是不降低孔径比且具有增大了电荷容量的电容组件的半导体设备。一种半导体设备，包括：包括具有透光性的半导体膜的晶体管；在一对电极之间设置有介电膜的电容组件；设置在具有透光性的半导体膜上的绝缘膜；以及设置在绝缘膜上的具有透光性的导电膜，其中，在电容组件中，与晶体管的具有透光性的半导体膜形成在同一表面上的至少包含铟(In)或锌(Zn)的金属氧化物膜用作一个电极，具有透光性的导电膜用作另一个电极，设置在具有透光性的半导体膜上的绝缘膜用作介电膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.037 seconds)
