公开(公告)号：TWI594429B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW102113970

申请日：2013-04-19

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  松林大介 ,  MATSUBAYASHI, DAISUKE ,  村山佳右 ,  MURAYAMA, KEISUKE

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI691084B

公开(公告)日：2020-04-11

申请号：TW107124133

申请日：2013-10-15

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  徳永肇 ,  TOKUNAGA, HAJIME ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  村山佳右 ,  MURAYAMA, KEISUKE ,  松林大介 ,  MATSUBAYASHI, DAISUKE

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

公开(公告)号：TWI573271B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW102112845

申请日：2013-04-11

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  松林大介 ,  MATSUBAYASHI, DAISUKE ,  村山佳右 ,  MURAYAMA, KEISUKE

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/7831

公开(公告)号：TWI629794B

公开(公告)日：2018-07-11

申请号：TW105140446

申请日：2013-04-11

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  松林大介 ,  MATSUBAYASHI, DAISUKE ,  村山佳右 ,  MURAYAMA, KEISUKE

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

公开(公告)号：TW201733132A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW106116894

申请日：2013-07-25

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  宍戶英明 ,  SHISHIDO, HIDEAKI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  松林大介 ,  MATSUBAYASHI, DAISUKE ,  村山佳右 ,  MURAYAMA, KEISUKE

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/7869

Abstract: 本發明的一個方式是不降低孔徑比且具有增大了電荷容量的電容元件的半導體裝置。一種半導體裝置，包括：包括具有透光性的半導體膜的電晶體；在一對電極之間設置有介電膜的電容元件；設置在具有透光性的半導體膜上的絕緣膜；以及設置在絕緣膜上的具有透光性的導電膜，其中，在電容元件中，與電晶體的具有透光性的半導體膜形成在同一表面上的至少包含銦(In)或鋅(Zn)的金屬氧化物膜用作一個電極，具有透光性的導電膜用作另一個電極，設置在具有透光性的半導體膜上的絕緣膜用作介電膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式是不降低孔径比且具有增大了电荷容量的电容组件的半导体设备。一种半导体设备，包括：包括具有透光性的半导体膜的晶体管；在一对电极之间设置有介电膜的电容组件；设置在具有透光性的半导体膜上的绝缘膜；以及设置在绝缘膜上的具有透光性的导电膜，其中，在电容组件中，与晶体管的具有透光性的半导体膜形成在同一表面上的至少包含铟(In)或锌(Zn)的金属氧化物膜用作一个电极，具有透光性的导电膜用作另一个电极，设置在具有透光性的半导体膜上的绝缘膜用作介电膜。

公开(公告)号：TWI595667B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：TW102126676

申请日：2013-07-25

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  宍戶英明 ,  SHISHIDO, HIDEAKI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  松林大介 ,  MATSUBAYASHI, DAISUKE ,  村山佳右 ,  MURAYAMA, KEISUKE

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TW201411854A

公开(公告)日：2014-03-16

申请号：TW102126676

申请日：2013-07-25

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  宍戶英明 ,  SHISHIDO, HIDEAKI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  松林大介 ,  MATSUBAYASHI, DAISUKE ,  村山佳右 ,  MURAYAMA, KEISUKE

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/7869

Abstract: 本發明的一個方式是不降低孔徑比且具有增大了電荷容量的電容元件的半導體裝置。一種半導體裝置，包括：包括具有透光性的半導體膜的電晶體；在一對電極之間設置有介電膜的電容元件；設置在具有透光性的半導體膜上的絕緣膜；以及設置在絕緣膜上的具有透光性的導電膜，其中，在電容元件中，與電晶體的具有透光性的半導體膜形成在同一表面上的至少包含銦(In)或鋅(Zn)的金屬氧化物膜用作一個電極，具有透光性的導電膜用作另一個電極，設置在具有透光性的半導體膜上的絕緣膜用作介電膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式是不降低孔径比且具有增大了电荷容量的电容组件的半导体设备。一种半导体设备，包括：包括具有透光性的半导体膜的晶体管；在一对电极之间设置有介电膜的电容组件；设置在具有透光性的半导体膜上的绝缘膜；以及设置在绝缘膜上的具有透光性的导电膜，其中，在电容组件中，与晶体管的具有透光性的半导体膜形成在同一表面上的至少包含铟(In)或锌(Zn)的金属氧化物膜用作一个电极，具有透光性的导电膜用作另一个电极，设置在具有透光性的半导体膜上的绝缘膜用作介电膜。

公开(公告)号：TWI652828B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：TW106116894

申请日：2013-07-25

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  宍戶英明 ,  SHISHIDO, HIDEAKI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  松林大介 ,  MATSUBAYASHI, DAISUKE ,  村山佳右 ,  MURAYAMA, KEISUKE

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28

公开(公告)号：TW201832366A

公开(公告)日：2018-09-01

申请号：TW107114296

申请日：2013-04-11

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  松林大介 ,  MATSUBAYASHI, DAISUKE ,  村山佳右 ,  MURAYAMA, KEISUKE

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

Abstract: 本發明的一個方式構成一種電晶體，該電晶體在第一閘極電極層與第二閘極電極層之間隔著絕緣層包括氧化物半導體疊層，在該氧化物半導體疊層中，通道形成區的厚度小於其他區域。另外，在上述電晶體中，閘極電極層中的一方用作用來控制臨界電壓的所謂背閘極。藉由控制施加到該背閘極的電位，可以控制電晶體的臨界電壓，由此容易將電晶體維持為常截止。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式构成一种晶体管，该晶体管在第一闸极电极层与第二闸极电极层之间隔着绝缘层包括氧化物半导体叠层，在该氧化物半导体叠层中，信道形成区的厚度小于其他区域。另外，在上述晶体管中，闸极电极层中的一方用作用来控制临界电压的所谓背闸极。借由控制施加到该背闸极的电位，可以控制晶体管的临界电压，由此容易将晶体管维持为常截止。

公开(公告)号：TWI535012B

公开(公告)日：2016-05-21

申请号：TW100129562

申请日：2011-08-18

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 鄉戶宏充 ,  GODO, HIROMICHI ,  村山佳右 ,  MURAYAMA, KEISUKE

IPC: H01L29/78 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78696