公开(公告)号：TW202018938A

公开(公告)日：2020-05-16

申请号：TW106139021

申请日：2013-11-04

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 佐藤貴洋 ,  SATO, TAKAHIRO ,  中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA ,  長隆之 ,  CHO, TAKAYUKI ,  越岡俊介 ,  KOSHIOKA, SHUNSUKE ,  徳永肇 ,  TOKUNAGA, HAJIME ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1362

Abstract: 本發明係關於一種半導體裝置及其製造方法，賦予使用氧化物半導體膜的電晶體穩定的電氣特性。另外，賦予使用氧化物半導體膜的電晶體具有優良的電氣特性。另外，本發明提供一種具有該電晶體的高可靠性的半導體裝置。關於具有層疊有氧化物半導體膜及氧化物膜的多層膜、閘極電極以及閘極絕緣膜的電晶體，多層膜經由閘極絕緣膜而重疊於所述閘極電極地設置，多層膜是具有由氧化物半導體膜的下表面與氧化物半導體膜的側面所呈的第一角度、以及由氧化物膜的下表面與氧化物膜的側面所呈的第二角度的形狀，並且，第一角度小於第二角度且被設為銳角。另外，藉由使用該電晶體來製造半導體裝置。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种半导体设备及其制造方法，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管稳定的电气特性。另外，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管具有优良的电气特性。另外，本发明提供一种具有该晶体管的高可靠性的半导体设备。关于具有层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜的多层膜、闸极电极以及闸极绝缘膜的晶体管，多层膜经由闸极绝缘膜而重叠于所述闸极电极地设置，多层膜是具有由氧化物半导体膜的下表面与氧化物半导体膜的侧面所呈的第一角度、以及由氧化物膜的下表面与氧化物膜的侧面所呈的第二角度的形状，并且，第一角度小于第二角度且被设为锐角。另外，借由使用该晶体管来制造半导体设备。

公开(公告)号：TWI613813B

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW106112788

申请日：2013-11-04

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 佐藤貴洋 ,  SATO, TAKAHIRO ,  中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA ,  長隆之 ,  CHO, TAKAYUKI ,  越岡俊介 ,  KOSHIOKA, SHUNSUKE ,  徳永肇 ,  TOKUNAGA, HAJIME ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/465 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201724181A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105133130

申请日：2016-10-12

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  佐藤貴洋 ,  SATO, TAKAHIRO ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/383 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L29/40 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/383 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/24 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 在包括氧化物半導體的半導體裝置中抑制電特性變動，並提高可靠性。在本發明的一個實施方式中，在基板上形成氧化物半導體，在氧化物半導體上形成絕緣體，在絕緣體上形成金屬氧化物，在金屬氧化物上形成導電體，藉由去除氧化物半導體上的導電體、金屬氧化物、絕緣體來使氧化物半導體的一部分露出，對被露出的氧化物半導體的表面進行電漿處理，在被露出的氧化物半導體及導電體上形成氮化物絕緣體，電漿處理在氬氣體和氮氣體的混合氛圍下進行。

Abstract in simplified Chinese: 在包括氧化物半导体的半导体设备中抑制电特性变动，并提高可靠性。在本发明的一个实施方式中，在基板上形成氧化物半导体，在氧化物半导体上形成绝缘体，在绝缘体上形成金属氧化物，在金属氧化物上形成导电体，借由去除氧化物半导体上的导电体、金属氧化物、绝缘体来使氧化物半导体的一部分露出，对被露出的氧化物半导体的表面进行等离子处理，在被露出的氧化物半导体及导电体上形成氮化物绝缘体，等离子处理在氩气体和氮气体的混合氛围下进行。

公开(公告)号：TW201427014A

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：TW102139950

申请日：2013-11-04

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 佐藤貴洋 ,  SATO, TAKAHIRO ,  中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA ,  長隆之 ,  CHO, TAKAYUKI ,  越岡俊介 ,  KOSHIOKA, SHUNSUKE ,  徳永肇 ,  TOKUNAGA, HAJIME ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/465 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明係關於一種半導體裝置及其製造方法，賦予使用氧化物半導體膜的電晶體穩定的電氣特性。另外，賦予使用氧化物半導體膜的電晶體具有優良的電氣特性。另外，本發明提供一種具有該電晶體的高可靠性的半導體裝置。關於具有層疊有氧化物半導體膜及氧化物膜的多層膜、閘極電極以及閘極絕緣膜的電晶體，多層膜經由閘極絕緣膜而重疊於所述閘極電極地設置，多層膜是具有由氧化物半導體膜的下表面與氧化物半導體膜的側面所呈的第一角度、以及由氧化物膜的下表面與氧化物膜的側面所呈的第二角度的形狀，並且，第一角度小於第二角度且被設為銳角。另外，藉由使用該電晶體來製造半導體裝置。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种半导体设备及其制造方法，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管稳定的电气特性。另外，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管具有优良的电气特性。另外，本发明提供一种具有该晶体管的高可靠性的半导体设备。关于具有层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜的多层膜、闸极电极以及闸极绝缘膜的晶体管，多层膜经由闸极绝缘膜而重叠于所述闸极电极地设置，多层膜是具有由氧化物半导体膜的下表面与氧化物半导体膜的侧面所呈的第一角度、以及由氧化物膜的下表面与氧化物膜的侧面所呈的第二角度的形状，并且，第一角度小于第二角度且被设为锐角。另外，借由使用该晶体管来制造半导体设备。

公开(公告)号：TW201735355A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW106112788

申请日：2013-11-04

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 佐藤貴洋 ,  SATO, TAKAHIRO ,  中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA ,  長隆之 ,  CHO, TAKAYUKI ,  越岡俊介 ,  KOSHIOKA, SHUNSUKE ,  徳永肇 ,  TOKUNAGA, HAJIME ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/465 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明係關於一種半導體裝置及其製造方法，賦予使用氧化物半導體膜的電晶體穩定的電氣特性。另外，賦予使用氧化物半導體膜的電晶體具有優良的電氣特性。另外，本發明提供一種具有該電晶體的高可靠性的半導體裝置。關於具有層疊有氧化物半導體膜及氧化物膜的多層膜、閘極電極以及閘極絕緣膜的電晶體，多層膜經由閘極絕緣膜而重疊於所述閘極電極地設置，多層膜是具有由氧化物半導體膜的下表面與氧化物半導體膜的側面所呈的第一角度、以及由氧化物膜的下表面與氧化物膜的側面所呈的第二角度的形狀，並且，第一角度小於第二角度且被設為銳角。另外，藉由使用該電晶體來製造半導體裝置。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种半导体设备及其制造方法，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管稳定的电气特性。另外，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管具有优良的电气特性。另外，本发明提供一种具有该晶体管的高可靠性的半导体设备。关于具有层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜的多层膜、闸极电极以及闸极绝缘膜的晶体管，多层膜经由闸极绝缘膜而重叠于所述闸极电极地设置，多层膜是具有由氧化物半导体膜的下表面与氧化物半导体膜的侧面所呈的第一角度、以及由氧化物膜的下表面与氧化物膜的侧面所呈的第二角度的形状，并且，第一角度小于第二角度且被设为锐角。另外，借由使用该晶体管来制造半导体设备。

公开(公告)号：TWI600157B

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：TW102139950

申请日：2013-11-04

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 佐藤貴洋 ,  SATO, TAKAHIRO ,  中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA ,  長隆之 ,  CHO, TAKAYUKI ,  越岡俊介 ,  KOSHIOKA, SHUNSUKE ,  徳永肇 ,  TOKUNAGA, HAJIME ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/465 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201523877A

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：TW103140068

申请日：2014-11-19

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA ,  長之 ,  CHO, TAKAYUKI ,  越岡俊介 ,  KOSHIOKA, SHUNSUKE ,  佐藤貴洋 ,  SATO, TAKAHIRO ,  坂本直哉 ,  SAKAMOTO, NAOYA ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H01L29/45 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: 本發明的一個方式的目的之一是提供一種新穎半導體裝置及該半導體裝置的製造方法，其中在使用氧化物半導體膜的電晶體中使用含Cu的金屬膜。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括：電晶體，該電晶體包括：第一閘極電極層；第一閘極電極層上的第一閘極絕緣膜；第一閘極絕緣膜上的重疊於第一閘極電極層的氧化物半導體膜；電連接於氧化物半導體膜的一對電極層；氧化物半導體膜及一對電極層上的第二閘極絕緣膜；以及第二閘極絕緣膜上的重疊於氧化物半導體膜的第二閘極電極層，其中，一對電極層包括Cu-X合金膜(X表示Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖半导体设备及该半导体设备的制造方法，其中在使用氧化物半导体膜的晶体管中使用含Cu的金属膜。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括：晶体管，该晶体管包括：第一闸极电极层；第一闸极电极层上的第一闸极绝缘膜；第一闸极绝缘膜上的重叠于第一闸极电极层的氧化物半导体膜；电连接于氧化物半导体膜的一对电极层；氧化物半导体膜及一对电极层上的第二闸极绝缘膜；以及第二闸极绝缘膜上的重叠于氧化物半导体膜的第二闸极电极层，其中，一对电极层包括Cu-X合金膜(X表示Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。