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    半導體裝置
    1.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW202004309A

    公开(公告)日：2020-01-16

    申请号：TW108136274

    申请日：2014-12-22

    Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA

    IPC: G02F1/1362 ,  H01L29/786

    Abstract: 本發明的一個方式提供包括使用氧化物半導體並通態電流大的電晶體的半導體裝置。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括：設置在驅動電路部中的第一電晶體；以及設置在像素部中的第二電晶體，其中，第一電晶體的結構和第二電晶體的結構互不相同。此外，第一電晶體及第二電晶體為頂閘極結構的電晶體，閘極電極不與被用作源極電極及汲極電極的導電膜重疊。此外，在氧化物半導體膜中，在不與閘極電極、源極電極及汲極電極重疊的區域中具有雜質元素。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式提供包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体设备。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶闸极结构的晶体管，闸极电极不与被用作源极电极及汲极电极的导电膜重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与闸极电极、源极电极及汲极电极重叠的区域中具有杂质元素。

    半導體裝置、顯示裝置以及半導體裝置的製造方法
    2.
    发明专利
    半導體裝置、顯示裝置以及半導體裝置的製造方法 审中-公开
    半导体设备、显示设备以及半导体设备的制造方法

    公开(公告)号：TW201903967A

    公开(公告)日：2019-01-16

    申请号：TW107116241

    申请日：2018-05-14

    Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA ,  生內俊光 ,  OBONAI, TOSHIMITSU

    IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  G02F1/136 ,  G09F9/00

    Abstract: 本發明提供一種電特性良好的半導體裝置。此外，提供一種電特性穩定的半導體裝置。此外，提供一種可靠性高的半導體裝置或顯示裝置。在第一金屬氧化物層的第一區域上形成第一絕緣層及第一導電層的疊層，以與第一金屬氧化物層的不重疊於第一絕緣層的第二區域以及第二金屬氧化物層接觸的方式形成第一層，進行加熱處理以使第二區域及第二金屬氧化物層低電阻化，形成第二絕緣層，在第二絕緣層上形成與第二區域電連接的第二導電層。此時，以使其包含鋁、鈦、鉭和鎢中的至少一種的方式形成第一層。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种电特性良好的半导体设备。此外，提供一种电特性稳定的半导体设备。此外，提供一种可靠性高的半导体设备或显示设备。在第一金属氧化物层的第一区域上形成第一绝缘层及第一导电层的叠层，以与第一金属氧化物层的不重叠于第一绝缘层的第二区域以及第二金属氧化物层接触的方式形成第一层，进行加热处理以使第二区域及第二金属氧化物层低电阻化，形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成与第二区域电连接的第二导电层。此时，以使其包含铝、钛、钽和钨中的至少一种的方式形成第一层。

    半導體裝置
    3.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW202018938A

    公开(公告)日：2020-05-16

    申请号：TW106139021

    申请日：2013-11-04

    Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 佐藤貴洋 ,  SATO, TAKAHIRO ,  中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA ,  長隆之 ,  CHO, TAKAYUKI ,  越岡俊介 ,  KOSHIOKA, SHUNSUKE ,  徳永肇 ,  TOKUNAGA, HAJIME ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI

    IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1362

    Abstract: 本發明係關於一種半導體裝置及其製造方法，賦予使用氧化物半導體膜的電晶體穩定的電氣特性。另外，賦予使用氧化物半導體膜的電晶體具有優良的電氣特性。另外，本發明提供一種具有該電晶體的高可靠性的半導體裝置。關於具有層疊有氧化物半導體膜及氧化物膜的多層膜、閘極電極以及閘極絕緣膜的電晶體，多層膜經由閘極絕緣膜而重疊於所述閘極電極地設置，多層膜是具有由氧化物半導體膜的下表面與氧化物半導體膜的側面所呈的第一角度、以及由氧化物膜的下表面與氧化物膜的側面所呈的第二角度的形狀，並且，第一角度小於第二角度且被設為銳角。另外，藉由使用該電晶體來製造半導體裝置。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种半导体设备及其制造方法，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管稳定的电气特性。另外，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管具有优良的电气特性。另外，本发明提供一种具有该晶体管的高可靠性的半导体设备。关于具有层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜的多层膜、闸极电极以及闸极绝缘膜的晶体管，多层膜经由闸极绝缘膜而重叠于所述闸极电极地设置，多层膜是具有由氧化物半导体膜的下表面与氧化物半导体膜的侧面所呈的第一角度、以及由氧化物膜的下表面与氧化物膜的侧面所呈的第二角度的形状，并且，第一角度小于第二角度且被设为锐角。另外，借由使用该晶体管来制造半导体设备。

    半導體裝置
    4.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW202004310A

    公开(公告)日：2020-01-16

    申请号：TW108136275

    申请日：2014-12-22

    Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA

    IPC: G02F1/1362 ,  H01L29/786

    Abstract: 本發明的一個方式提供包括使用氧化物半導體並通態電流大的電晶體的半導體裝置。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括：設置在驅動電路部中的第一電晶體；以及設置在像素部中的第二電晶體，其中，第一電晶體的結構和第二電晶體的結構互不相同。此外，第一電晶體及第二電晶體為頂閘極結構的電晶體，閘極電極不與被用作源極電極及汲極電極的導電膜重疊。此外，在氧化物半導體膜中，在不與閘極電極、源極電極及汲極電極重疊的區域中具有雜質元素。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式提供包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体设备。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶闸极结构的晶体管，闸极电极不与被用作源极电极及汲极电极的导电膜重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与闸极电极、源极电极及汲极电极重叠的区域中具有杂质元素。

    半導體裝置及半導體裝置的製造方法
    7.
    发明专利
    半導體裝置及半導體裝置的製造方法 审中-公开
    半导体设备及半导体设备的制造方法

    公开(公告)号：TW201838179A

    公开(公告)日：2018-10-16

    申请号：TW106112076

    申请日：2017-04-11

    Applicant: 半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  島行德 ,  SHIMA, YUKINORI ,  中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

    IPC: H01L29/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G09F9/30

    Abstract: 本發明提供一種電特性良好的半導體裝置、可靠性高的半導體裝置、功耗低的半導體裝置。本發明是一種半導體裝置，包括：閘極電極；閘極電極上的第一絕緣層；第一絕緣層上的金屬氧化物層；金屬氧化物層上的一對電極；以及一對電極上的第二絕緣層，其中，第一絕緣層包括第一區域及第二區域，第一區域與金屬氧化物層接觸，且包括其氧含量比第二區域多的區域，第二區域包括其氮含量比第一區域多的區域，金屬氧化物層在膜厚度方向上至少具有氧的濃度梯度，並且，氧濃度在第一區域一側及第二絕緣層一側較高。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种电特性良好的半导体设备、可靠性高的半导体设备、功耗低的半导体设备。本发明是一种半导体设备，包括：闸极电极；闸极电极上的第一绝缘层；第一绝缘层上的金属氧化物层；金属氧化物层上的一对电极；以及一对电极上的第二绝缘层，其中，第一绝缘层包括第一区域及第二区域，第一区域与金属氧化物层接触，且包括其氧含量比第二区域多的区域，第二区域包括其氮含量比第一区域多的区域，金属氧化物层在膜厚度方向上至少具有氧的浓度梯度，并且，氧浓度在第一区域一侧及第二绝缘层一侧较高。

    半導體裝置或包括該半導體裝置的顯示裝置
    8.
    发明专利
    半導體裝置或包括該半導體裝置的顯示裝置 审中-公开
    半导体设备或包括该半导体设备的显示设备

    公开(公告)号：TW201836156A

    公开(公告)日：2018-10-01

    申请号：TW106116337

    申请日：2017-05-17

    Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  黑崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE ,  中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI

    IPC: H01L29/786 ,  H01L27/146 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

    Abstract: 本發明提供一種新穎的半導體裝置的製造方法。另外，本發明提供一種以較低的溫度製造可靠性高的半導體裝置的方法。本發明包括：在成膜室中形成第一氧化物半導體膜的第一製程；以及在成膜室中在第一氧化物半導體膜上形成第二氧化物半導體膜的第二製程，其中，成膜室中的氛圍的水蒸氣分壓比大氣中的水蒸氣分壓低，第一氧化物半導體膜及第二氧化物半導體膜都以具有結晶性的方式形成，並且，第二氧化物半導體膜的結晶性比第一氧化物半導體膜高。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种新颖的半导体设备的制造方法。另外，本发明提供一种以较低的温度制造可靠性高的半导体设备的方法。本发明包括：在成膜室中形成第一氧化物半导体膜的第一制程；以及在成膜室中在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜的第二制程，其中，成膜室中的氛围的水蒸气分压比大气中的水蒸气分压低，第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜都以具有结晶性的方式形成，并且，第二氧化物半导体膜的结晶性比第一氧化物半导体膜高。

    半導體裝置及其製造方法
    10.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201543673A

    公开(公告)日：2015-11-16

    申请号：TW104112447

    申请日：2015-04-17

    Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

    IPC: H01L29/49 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L2029/42388

    Abstract: 提供一種寄生電容小或頻率特性高的電晶體或一種包括該電晶體的半導體裝置。氧化物半導體膜包括：與第一導電膜接觸的第一區域；與第一絕緣膜接觸的第二區域；與第三絕緣膜接觸的第三區域；與第二絕緣膜接觸的第四區域；以及與第二導電膜接觸的第五區域，第一絕緣膜被設置在第一導電膜上及氧化物半導體膜上，第二絕緣膜被設置在第二導電膜上及氧化物半導體膜上，第三絕緣膜被設置在第一絕緣膜上、第二絕緣膜上及氧化物半導體膜上，第三導電膜與氧化物半導體膜隔著第三絕緣膜互相部分重疊。

    Abstract in simplified Chinese: 提供一种寄生电容小或频率特性高的晶体管或一种包括该晶体管的半导体设备。氧化物半导体膜包括：与第一导电膜接触的第一区域；与第一绝缘膜接触的第二区域；与第三绝缘膜接触的第三区域；与第二绝缘膜接触的第四区域；以及与第二导电膜接触的第五区域，第一绝缘膜被设置在第一导电膜上及氧化物半导体膜上，第二绝缘膜被设置在第二导电膜上及氧化物半导体膜上，第三绝缘膜被设置在第一绝缘膜上、第二绝缘膜上及氧化物半导体膜上，第三导电膜与氧化物半导体膜隔着第三绝缘膜互相部分重叠。

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