专利检索 ap:("日商半導體能源研究所股份有限公司" OR "SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.") AND inv:"WATANABE,RYOSUKE" 第 1 页

1.

发明专利
氧化半導體薄膜及半導體裝置有权
简体标题：氧化半导体薄膜及半导体设备

公开(公告)号：TWI699896B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：TW107125830

申请日：2010-09-15

申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI,SHUNPEI , 坂倉真之 , SAKAKURA,MASAYUKI , 渡邊了介 , WATANABE,RYOSUKE , 坂田淳一郎 , SAKATA,JUNICHIRO , 秋元健吾 , AKIMOTO,KENGO , 宮永昭治 , MIYANAGA,AKIHARU , 廣橋拓也 , HIROHASHI,TAKUYA , 岸田英幸 , KISHIDA,HIDEYUKI

IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/76 , G02F1/1368