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公开(公告)号：TWI639238B
公开(公告)日：2018-10-21
申请号：TW106122545
申请日：2010-09-15
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 坂倉真之 , SAKAKURA, MASAYUKI , 渡邊了介 , WATANABE, RYOSUKE , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 宮永昭治 , MIYANAGA, AKIHARU , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/76 , G02F1/1368
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公开(公告)号：TW201810689A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106141662
申请日：2010-03-05
发明人： 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/42356 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/78693 , H01L29/78696
摘要： 本發明的目的之一在於提供一種具有穩定電特性的薄膜電晶體的高可靠性的半導體裝置。在包括作為半導體層採用氧化物半導體層的反堆疊型薄膜電晶體的半導體裝置中，在氧化物半導體層之上具有緩衝層。緩衝層接觸於半導體層的通道形成區與源極電極層及汲極電極層。緩衝層在其膜中具有電阻分佈。在緩衝層中，設置在半導體層的通道形成區上的區域的導電率低於半導體層的通道形成區的導電率，並且與源極電極層及汲極電極層接觸的區域的導電率高於半導體層的通道形成區的導電率。
简体摘要： 本发明的目的之一在于提供一种具有稳定电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体设备。在包括作为半导体层采用氧化物半导体层的反堆栈型薄膜晶体管的半导体设备中，在氧化物半导体层之上具有缓冲层。缓冲层接触于半导体层的信道形成区与源极电极层及汲极电极层。缓冲层在其膜中具有电阻分布。在缓冲层中，设置在半导体层的信道形成区上的区域的导电率低于半导体层的信道形成区的导电率，并且与源极电极层及汲极电极层接触的区域的导电率高于半导体层的信道形成区的导电率。
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公开(公告)号：TWI699896B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW107125830
申请日：2010-09-15
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI,SHUNPEI , 坂倉真之 , SAKAKURA,MASAYUKI , 渡邊了介 , WATANABE,RYOSUKE , 坂田淳一郎 , SAKATA,JUNICHIRO , 秋元健吾 , AKIMOTO,KENGO , 宮永昭治 , MIYANAGA,AKIHARU , 廣橋拓也 , HIROHASHI,TAKUYA , 岸田英幸 , KISHIDA,HIDEYUKI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/76 , G02F1/1368
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公开(公告)号：TWI685115B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW106141662
申请日：2010-03-05
发明人： 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/40
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公开(公告)号：TWI651838B
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW106118305
申请日：2010-09-13
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 坂倉真之 , SAKAKURA, MASAYUKI , 渡邊了介 , WATANABE, RYOSUKE , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 宮永昭治 , MIYANAGA, AKIHARU , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/04
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公开(公告)号：TW201832291A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW107104366
申请日：2009-11-11
发明人： 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI , 宮永昭治 , MIYANAGA, AKIHARU
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/283 , H01L21/336
摘要： 本發明係有關半導體裝置及其製造方法，其目的在於提供一種適用於半導體裝置的氧化物半導體。或者，本發明的另一個目的在於提供一種使用該氧化物半導體的半導體裝置。揭示的半導體裝置在電晶體的通道形成區域中包括以In-Ga-Zn-O為基的氧化物半導體層。在所述半導體裝置中，以In-Ga-Zn-O為基的氧化物半導體層具有如下結構：在由InGaO3(ZnO)m(m>0)所表示的非晶形結構中包含由InGaO3(ZnO)m(m=1)所表示的晶粒。
简体摘要： 本发明系有关半导体设备及其制造方法，其目的在于提供一种适用于半导体设备的氧化物半导体。或者，本发明的另一个目的在于提供一种使用该氧化物半导体的半导体设备。揭示的半导体设备在晶体管的信道形成区域中包括以In-Ga-Zn-O为基的氧化物半导体层。在所述半导体设备中，以In-Ga-Zn-O为基的氧化物半导体层具有如下结构：在由InGaO3(ZnO)m(m>0)所表示的非晶形结构中包含由InGaO3(ZnO)m(m=1)所表示的晶粒。
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公开(公告)号：TWI600167B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW105116650
申请日：2010-09-15
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 坂倉真之 , SAKAKURA, MASAYUKI , 渡邊了介 , WATANABE, RYOSUKE , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 宮永昭治 , MIYANAGA, AKIHARU , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/76 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L21/2636 , H01L27/1225 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/12 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/7869
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公开(公告)号：TWI557805B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW100107165
申请日：2011-03-03
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/477 , G02F1/133345 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/1368 , G02F1/137 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G09G3/3648 , G09G2310/08 , G09G2330/021 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02614 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L21/3228 , H01L27/1052 , H01L27/11521 , H01L27/1156 , H01L27/1203 , H01L27/1225 , H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
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公开(公告)号：TW201631762A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW105102038
申请日：2010-11-19
发明人： 宮永昭治 , MIYANAGA, AKIHARU , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 坂倉真之 , SAKAKURA, MASAYUKI , 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/36 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/10 , H01L29/41733
摘要： 本發明的目的是提供一種電特性良好的使用氧化物半導體的薄膜電晶體。該薄膜電晶體包括：設置在基板上方的閘極電極、設置在該閘極電極上方的閘極絕緣膜、設置在該閘極電極上方及該閘極絕緣膜上的氧化物半導體膜、設置在該氧化物半導體膜上的金屬氧化物膜、設置在該金屬氧化物膜上的金屬膜，其中氧化物半導體膜與金屬氧化物膜接觸，並且氧化物半導體膜具有金屬濃度比氧化物半導體膜的其他區域高的區域(金屬高濃度區域)。在該金屬高濃度區域中，包含在氧化物半導體膜中的金屬可以作為晶粒或微晶而存在。
简体摘要： 本发明的目的是提供一种电特性良好的使用氧化物半导体的薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括：设置在基板上方的闸极电极、设置在该闸极电极上方的闸极绝缘膜、设置在该闸极电极上方及该闸极绝缘膜上的氧化物半导体膜、设置在该氧化物半导体膜上的金属氧化物膜、设置在该金属氧化物膜上的金属膜，其中氧化物半导体膜与金属氧化物膜接触，并且氧化物半导体膜具有金属浓度比氧化物半导体膜的其他区域高的区域(金属高浓度区域)。在该金属高浓度区域中，包含在氧化物半导体膜中的金属可以作为晶粒或微晶而存在。
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公开(公告)号：TW201631661A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW105106316
申请日：2009-11-11
发明人： 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI , 宮永昭治 , MIYANAGA, AKIHARU
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/283 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02565 , H01L21/28079 , H01L21/28158 , H01L29/04 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78693
摘要： 本發明係有關半導體裝置及其製造方法，其目的在於提供一種適用於半導體裝置的氧化物半導體。或者，本發明的另一個目的在於提供一種使用該氧化物半導體的半導體裝置。揭示的半導體裝置在電晶體的通道形成區域中包括以In-Ga-Zn-O為基的氧化物半導體層。在所述半導體裝置中，以In-Ga-Zn-O為基的氧化物半導體層具有如下結構：在由InGaO3(ZnO)m(m>0)所表示的非晶形結構中包含由InGaO3(ZnO)m(m=1)所表示的晶粒。
简体摘要： 本发明系有关半导体设备及其制造方法，其目的在于提供一种适用于半导体设备的氧化物半导体。或者，本发明的另一个目的在于提供一种使用该氧化物半导体的半导体设备。揭示的半导体设备在晶体管的信道形成区域中包括以In-Ga-Zn-O为基的氧化物半导体层。在所述半导体设备中，以In-Ga-Zn-O为基的氧化物半导体层具有如下结构：在由InGaO3(ZnO)m(m>0)所表示的非晶形结构中包含由InGaO3(ZnO)m(m=1)所表示的晶粒。
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