公开(公告)号：TW200640826A

公开(公告)日：2006-12-01

申请号：TW095110231

申请日：2006-03-24

申请人： 日本子股份有限公司 NGK INSULATORS, LTD.

发明人： 小林義政 YOSHIMASA KOBAYASHI ,  早瀨徹 TORU HAYASE ,  山田直仁 NAOHITO YAMADA

IPC分类号： C04B ,  H01L

CPC分类号： C04B35/581 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/645 ,  C04B37/021 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/77 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/403 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6831

摘要： 〔課題〕提供具有優異均熱性之陶瓷元件。〔解決手段〕陶瓷元件10係具備陶瓷燒結體11、與陶瓷燒結體11連接而形成之包含金屬元素的金屬元件12。陶瓷燒結體11中金屬元件12周邊之變質層11a之厚度t被抑制在300μm以下。

简体摘要： 〔课题〕提供具有优异均热性之陶瓷组件。〔解决手段〕陶瓷组件10系具备陶瓷烧结体11、与陶瓷烧结体11连接而形成之包含金属元素的金属组件12。陶瓷烧结体11中金属组件12周边之变质层11a之厚度t被抑制在300μm以下。

公开(公告)号：TWI262534B

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：TW093103609

申请日：2004-02-16

申请人： 日本子股份有限公司 NGK INSULATORS, LTD.

发明人： 寺谷直美 NAOMI TERATANI ,  吉川潤 JUN YOSHIKAWA ,  山田直仁 NAOHITO YAMADA ,  早瀨徹 TORU HAYASE ,  小林義政 YOSHIMASA KOBAYASHI

IPC分类号： H01L ,  G04B

CPC分类号： C04B35/645 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62625 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607

摘要： 〔課題〕 提出一種以氮化鋁為基本成分，並於室溫中具有低體積電阻率之新氮化鋁質材料。〔解決手段〕 一種氮化鋁質材料，係以氮化鋁為主要成分，銪含量以氧化物換算為0.03mol以上，包含氮化鋁相與銪－鋁氧化物相。再者，本發明又提出一種氮化鋁質材料，係以氮化鋁為主要成分，銪與釤總含量以氧化物換算為0.09mol%以上，包括氮化鋁相、及至少含有銪與鋁之複合氧化物相。

简体摘要： 〔课题〕 提出一种以氮化铝为基本成分，并于室温中具有低体积电阻率之新氮化铝质材料。〔解决手段〕 一种氮化铝质材料，系以氮化铝为主要成分，铕含量以氧化物换算为0.03mol以上，包含氮化铝相与铕－铝氧化物相。再者，本发明又提出一种氮化铝质材料，系以氮化铝为主要成分，铕与钐总含量以氧化物换算为0.09mol%以上，包括氮化铝相、及至少含有铕与铝之复合氧化物相。

公开(公告)号：TW200421427A

公开(公告)日：2004-10-16

申请号：TW093103609

申请日：2004-02-16

申请人： 日本子股份有限公司 NGK INSULATORS, LTD.

发明人： 寺谷直美 NAOMI TERATANI ,  吉川潤 JUN YOSHIKAWA ,  山田直仁 NAOHITO YAMADA ,  早瀨徹 TORU HAYASE ,  小林義政 YOSHIMASA KOBAYASHI

IPC分类号： H01L ,  G04B

CPC分类号： C04B35/645 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62625 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607

摘要： 〔課題〕提出一種以氮化鋁為基本成分，並於室溫中具有低體積電阻率之新氮化鋁質材料。〔解決手段〕一種氮化鋁質材料，係以氮化鋁為主要成分，銪含量以氧化物換算為0.03mol％以上，包含氮化鋁相與銪–鋁氧化物相。再者，本發明又提出一種氮化鋁質材料，係以氮化鋁為主要成分，銪與釤總含量以氧化物換算為0.09mol％以上，包括氮化鋁相、及至少含有銪與鋁之複合氧化物相。

简体摘要： 〔课题〕提出一种以氮化铝为基本成分，并于室温中具有低体积电阻率之新氮化铝质材料。〔解决手段〕一种氮化铝质材料，系以氮化铝为主要成分，铕含量以氧化物换算为0.03mol％以上，包含氮化铝相与铕–铝氧化物相。再者，本发明又提出一种氮化铝质材料，系以氮化铝为主要成分，铕与钐总含量以氧化物换算为0.09mol％以上，包括氮化铝相、及至少含有铕与铝之复合氧化物相。