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公开(公告)号:TWI600634B
公开(公告)日:2017-10-01
申请号:TW103108320
申请日:2014-03-11
申请人: 日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人: 神藤明日美 , JINDO, ASUMI , 井上勝弘 , INOUE, KATSUHIRO , 勝田祐司 , KATSUDA, YUJI
IPC分类号: C04B35/565 , C04B35/645
CPC分类号: H01L21/67109 , B21D53/02 , B32B9/005 , B32B37/10 , B32B38/0012 , B32B2311/00 , B32B2311/24 , B32B2315/02 , C04B35/5615 , C04B35/575 , C04B35/62635 , C04B37/006 , C04B2235/3826 , C04B2235/3843 , C04B2235/3891 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/708 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68757 , Y10T29/4935
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公开(公告)号:TWI594969B
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:TW102111261
申请日:2013-03-28
申请人: 馬克專利公司 , MERCK PATENT GMBH
发明人: 溫克勒 豪格 , WINKLER, HOLGER , 約舒泰 湯瑪斯 , JUESTEL, THOMAS , 布落娃 朱麗安 , PLEWA, JULIAN
IPC分类号: C04B35/00 , C04B35/495 , C04B35/44 , C09K11/80 , H01L33/50
CPC分类号: C09K11/7776 , C04B35/195 , C04B35/44 , C04B35/62675 , C04B35/62807 , C04B35/62813 , C04B35/62886 , C04B2235/3217 , C04B2235/322 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/326 , C04B2235/443 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/661 , C04B2235/764 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , C09K11/7774 , H01L33/502 , Y02B20/181
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公开(公告)号:TW201708132A
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:TW105105502
申请日:2016-02-24
申请人: 康寧公司 , CORNING INCORPORATED
发明人: 貝克豪斯利可特莫尼卡 , BACKHAUS-RICOULT, MONIKA , 鮑頓丹尼爾羅伯特 , BOUGHTON, DANIEL ROBERT , 海列珍妮佛艾內拉 , HEINE, JENNIFER ANELLA
IPC分类号: C03B19/10 , C03C10/00 , C04B35/653 , C04B35/626 , C04B38/00
CPC分类号: C03B19/10 , B01D46/2418 , C01F7/025 , C01F7/027 , C01G23/003 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/30 , C01P2004/50 , C01P2004/51 , C01P2004/61 , C03C10/00 , C03C10/0009 , C03C12/00 , C04B35/185 , C04B35/195 , C04B35/443 , C04B35/478 , C04B35/62655 , C04B35/62665 , C04B35/62675 , C04B35/6316 , C04B2235/3206 , C04B2235/3229 , C04B2235/3418 , C04B2235/528 , C04B2235/5436 , C04B2235/80 , C04B2235/9607
摘要: 本揭示案係關於用於製造陶瓷或玻璃陶瓷之方法,該等方法包括對包括批料之混合物進行噴霧乾燥以形成聚結粒子;使聚結粒子接觸電漿達足以形成熔融粒子之滯留時間;及在足以形成陶瓷或玻璃陶瓷粒子之溫度及時間下對熔融粒子進行退火。本案中亦揭示藉由該等方法製造而成的熔融玻璃粒子、陶瓷或玻璃陶瓷粒子,及諸如陶瓷蜂巢之陶瓷或玻璃陶瓷製品。
简体摘要: 本揭示案系关于用于制造陶瓷或玻璃陶瓷之方法,该等方法包括对包括批料之混合物进行喷雾干燥以形成聚结粒子;使聚结粒子接触等离子达足以形成熔融粒子之滞留时间;及在足以形成陶瓷或玻璃陶瓷粒子之温度及时间下对熔融粒子进行退火。本案中亦揭示借由该等方法制造而成的熔融玻璃粒子、陶瓷或玻璃陶瓷粒子,及诸如陶瓷蜂巢之陶瓷或玻璃陶瓷制品。
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公开(公告)号:TW201622998A
公开(公告)日:2016-07-01
申请号:TW104126954
申请日:2015-08-19
申请人: 日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
CPC分类号: H01L21/6833 , B32B15/04 , B32B18/00 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B2311/00 , B32B2315/02 , B32B2457/00 , C04B35/10 , C04B35/111 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/6261 , C04B37/001 , C04B37/006 , C04B37/02 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/445 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/658 , C04B2235/72 , C04B2235/9607 , C04B2237/12 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/40 , C04B2237/68 , H01L21/67103 , H01L21/6831 , H01L21/68757
摘要: 本發明的陶瓷構造體10係在圓盤狀陶瓷基體12的內部內建有電極14。陶瓷基體12係主成分為氧化鋁或稀土族金屬氧化物的燒結體,熱膨脹係數在40~1200℃下為7.5~9.5ppm/K。電極14的主成分係金屬釕。電極14係可形成片狀,亦可依擴展於面全體的方式依照一筆畫要領形成圖案。
简体摘要: 本发明的陶瓷构造体10系在圆盘状陶瓷基体12的内部内置有电极14。陶瓷基体12系主成分为氧化铝或稀土族金属氧化物的烧结体,热膨胀系数在40~1200℃下为7.5~9.5ppm/K。电极14的主成分系金属钌。电极14系可形成片状,亦可依扩展于面全体的方式依照一笔画要领形成图案。
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公开(公告)号:TW201615597A
公开(公告)日:2016-05-01
申请号:TW104133651
申请日:2015-10-14
发明人: 吳禹函 , WU, YU HAN , 邱國創 , CHIU, KUO CHUANG
IPC分类号: C04B35/106 , C04B35/64
CPC分类号: C04B35/62655 , C04B35/117 , C04B35/488 , C04B35/62807 , C04B35/62892 , C04B35/63416 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3246 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/665 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/963
摘要: 本揭露提供陶瓷粉體的形成方法,包括:將第一陶瓷粒子、黏結劑、與水混合後之漿料噴霧乾燥,形成第一陶瓷之核心,並熱處理定型第一陶瓷之核心。第一陶瓷之抗折強度介於350MPa至700MPa之間,且第一陶瓷之熱膨脹係數介於7.0×10-6/℃至11.0×10-6/℃之間。混合該第一陶瓷之核心、第二陶瓷之多個粒子、黏結劑、與水後形成漿料;噴霧乾燥漿料,使第二陶瓷之粒子形成第二陶瓷之殼層包覆第一陶瓷之核心,其中第二陶瓷之抗折強度介於50MPa至350MPa之間,且該第二陶瓷之熱膨脹係數介於-1.0×10-6/℃至3.0×10-6/℃之間;以及熱定型處理該第一陶瓷之核心與該第二陶瓷之殼層,以形成陶瓷粉體。上述陶瓷粉體可用於雷射燒結成型方法。
简体摘要: 本揭露提供陶瓷粉体的形成方法,包括:将第一陶瓷粒子、黏结剂、与水混合后之浆料喷雾干燥,形成第一陶瓷之内核,并热处理定型第一陶瓷之内核。第一陶瓷之抗折强度介于350MPa至700MPa之间,且第一陶瓷之热膨胀系数介于7.0×10-6/℃至11.0×10-6/℃之间。混合该第一陶瓷之内核、第二陶瓷之多个粒子、黏结剂、与水后形成浆料;喷雾干燥浆料,使第二陶瓷之粒子形成第二陶瓷之壳层包覆第一陶瓷之内核,其中第二陶瓷之抗折强度介于50MPa至350MPa之间,且该第二陶瓷之热膨胀系数介于-1.0×10-6/℃至3.0×10-6/℃之间;以及热定型处理该第一陶瓷之内核与该第二陶瓷之壳层,以形成陶瓷粉体。上述陶瓷粉体可用于激光烧结成型方法。
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公开(公告)号:TW201542997A
公开(公告)日:2015-11-16
申请号:TW103138763
申请日:2014-11-07
申请人: 加川清二 , KAGAWA, SEIJI
发明人: 加川清二 , KAGAWA, SEIJI
CPC分类号: C09K5/14 , C01B32/194 , C04B35/522 , C04B35/63416 , C04B35/63424 , C04B35/63432 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/424 , C04B2235/425 , C04B2235/602 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/9607 , C08J5/18 , C08J2333/12 , H01L23/373 , H01L23/3737 , H01L2924/0002 , Y10T428/31938 , H01L2924/00
摘要: 一種散熱片,其具有2.0g/cm3或更大之一密度及580W/mK或更大之一平面內熱傳導率,該散熱片包含均勻分散於精細石墨粒子間之碳黑,精細石墨粒子與碳黑之質量比率為75/25至95/5,且由槽黑及科琴黑及/或乙炔黑構成的該碳黑係藉由以下方式製造:將精細石墨粒子、碳黑及有機黏結劑於有機溶劑中之分散體塗覆至模之表面,將該分散體乾燥;燒製該所得含樹脂複合物片材以移除該有機黏結劑;且隨後壓製精細石墨粒子及碳黑之該所得複合物片材以達緻密化。
简体摘要: 一种散热片,其具有2.0g/cm3或更大之一密度及580W/mK或更大之一平面内热传导率,该散热片包含均匀分散于精细石墨粒子间之碳黑,精细石墨粒子与碳黑之质量比率为75/25至95/5,且由槽黑及科琴黑及/或乙炔黑构成的该碳黑系借由以下方式制造:将精细石墨粒子、碳黑及有机黏结剂于有机溶剂中之分散体涂覆至模之表面,将该分散体干燥;烧制该所得含树脂复合物片材以移除该有机黏结剂;且随后压制精细石墨粒子及碳黑之该所得复合物片材以达致密化。
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公开(公告)号:TW201538776A
公开(公告)日:2015-10-16
申请号:TW104102374
申请日:2015-01-23
申请人: II VI股份有限公司 , II-VI INCORPORATED
发明人: 許文清 , XU, WEN-QING , 艾斯勒艾爾金E , EISSLER, ELGIN E. , 劉超 , LIU, CHAO , 坦尼爾查爾斯D , TANNER, CHARLES D. , 卡萊辛格查爾斯J , KRAISINGER, CHARLES J. , 阿加亞尼安麥可 , AGHAJANIAN, MICHAEL
CPC分类号: C30B25/02 , C01B32/25 , C04B35/52 , C04B35/565 , C04B35/573 , C04B35/634 , C04B41/009 , C04B41/5002 , C04B41/85 , C04B2235/3826 , C04B2235/427 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/602 , C04B2235/604 , C04B2235/6581 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C23C16/274 , C23C16/279 , C23C16/463 , C23C16/56 , C23C28/04 , C23C28/046 , Y10T428/21 , Y10T428/24355 , Y10T428/24612 , Y10T428/24893 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/30 , C04B41/4531
摘要: 一種多層基板包括CVD生長在複合層上的鑽石層。該複合層包括鑽石顆粒和碳化矽與可選的矽。該複合層中的鑽石裝載水平(依體積計)可以5%;20%;40%;或60%。該多層基板可被用來作為光學元件;用於檢測輻射顆粒或電磁波的檢測器;用於切割、鑽孔、機械加工、碾磨、研磨、拋光、塗佈、黏結、或銅焊的裝置;制動裝置;密封墊;導熱器;電磁波傳導器;在升溫或低溫條件下用於腐蝕性環境、強氧化性環境、或強還原性環境的化學惰性裝置;或用於拋光或平坦化其它元件、晶圓或膜的裝置。
简体摘要: 一种多层基板包括CVD生长在复合层上的钻石层。该复合层包括钻石颗粒和碳化硅与可选的硅。该复合层中的钻石装载水平(依体积计)可以5%;20%;40%;或60%。该多层基板可被用来作为光学组件;用于检测辐射颗粒或电磁波的检测器;用于切割、钻孔、机械加工、碾磨、研磨、抛光、涂布、黏结、或铜焊的设备;制动设备;密封垫;导热器;电磁波传导器;在升温或低温条件下用于腐蚀性环境、强氧化性环境、或强还原性环境的化学惰性设备;或用于抛光或平坦化其它组件、晶圆或膜的设备。
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8.熔融玻璃搬送設備構件、熔融玻璃搬送設備構件之製造方法、包含熔融玻璃搬送設備構件之玻璃製造裝置、及玻璃物品之製造方法 审中-公开
简体标题: 熔融玻璃搬送设备构件、熔融玻璃搬送设备构件之制造方法、包含熔融玻璃搬送设备构件之玻璃制造设备、及玻璃物品之制造方法公开(公告)号:TW201429906A
公开(公告)日:2014-08-01
申请号:TW102141133
申请日:2013-11-12
发明人: 丹羽章文 , NIWA, AKIFUMI , 五十嵐仁 , IGARASHI, HITOSHI , 堀圭司 , HORI, KEIJI
CPC分类号: C03B5/43 , C03B5/425 , C04B14/005 , C04B35/482 , C04B2111/00706 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3418 , C04B2235/5427 , C04B2235/5472 , C04B2235/9607
摘要: 本發明提供一種達成防止因加熱時之熱膨脹或冷卻時之收縮而使導管產生龜裂,及防止因由熔融玻璃所施加之膨脹壓力而使導管變形,且具有即便存在以任何原因使熔融玻璃洩漏之情況亦難以腐蝕之陶瓷構造體的熔融玻璃搬送設備構件、熔融玻璃搬送設備構件之製造方法、及包含該熔融玻璃搬送設備構件之玻璃製造裝置。
简体摘要: 本发明提供一种达成防止因加热时之热膨胀或冷却时之收缩而使导管产生龟裂,及防止因由熔融玻璃所施加之膨胀压力而使导管变形,且具有即便存在以任何原因使熔融玻璃泄漏之情况亦难以腐蚀之陶瓷构造体的熔融玻璃搬送设备构件、熔融玻璃搬送设备构件之制造方法、及包含该熔融玻璃搬送设备构件之玻璃制造设备。
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公开(公告)号:TW201348175A
公开(公告)日:2013-12-01
申请号:TW102111261
申请日:2013-03-28
申请人: 馬克專利公司 , MERCK PATENT GMBH
发明人: 溫克勒 豪格 , WINKLER, HOLGER , 約舒泰 湯瑪斯 , JUESTEL, THOMAS , 布落娃 朱麗安 , PLEWA, JULIAN
IPC分类号: C04B35/00 , C04B35/495 , C04B35/44 , C09K11/80 , H01L33/50
CPC分类号: C09K11/7776 , C04B35/195 , C04B35/44 , C04B35/62675 , C04B35/62807 , C04B35/62813 , C04B35/62886 , C04B2235/3217 , C04B2235/322 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/326 , C04B2235/443 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/661 , C04B2235/764 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , C09K11/7774 , H01L33/502 , Y02B20/181
摘要: 本發明係關於一種複合陶瓷及一種製造其之方法。而且,本發明亦係關於根據本發明之複合陶瓷於作為較佳而言白色光源中之發射轉換材料的用途,及一種光源、一種發光單元及一種顯示裝置。
简体摘要: 本发明系关于一种复合陶瓷及一种制造其之方法。而且,本发明亦系关于根据本发明之复合陶瓷于作为较佳而言白色光源中之发射转换材料的用途,及一种光源、一种发光单元及一种显示设备。
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公开(公告)号:TW201344840A
公开(公告)日:2013-11-01
申请号:TW102107445
申请日:2013-03-01
申请人: 哈里斯 強納森H , HARRIS, JONATHAN H. , 泰許 羅伯特J , TESCH, ROBERT J.
发明人: 哈里斯 強納森H , HARRIS, JONATHAN H. , 泰許 羅伯特J , TESCH, ROBERT J.
IPC分类号: H01L21/683
CPC分类号: C04B37/005 , B32B18/00 , C04B35/581 , C04B35/62813 , C04B37/001 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/5436 , C04B2235/6581 , C04B2235/6582 , C04B2235/6587 , C04B2235/668 , C04B2235/77 , C04B2235/85 , C04B2235/9607 , C04B2235/9615 , C04B2237/064 , C04B2237/066 , C04B2237/08 , C04B2237/366 , C04B2237/555 , C04B2237/568 , C04B2237/60 , C04B2237/68 , C04B2237/704 , C04B2237/765 , C04B2237/80 , C04B2237/84 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/68785 , H01L21/68792 , H05K13/0023 , Y10T156/10 , Y10T403/479
摘要: 一種使用在積體電路製造期間熱性管理一半導體晶圓的晶圓吸盤主要係在最後共燒製程期間,使用一加入氮化鋁微粒的陶磁焊接膏料,將主要由氮化鋁(“AIN”)所產生的部分獨立製造的多層陶磁組件焊接在一起而成。該些組件可具有獨立的分層方位且彼此間透過形成於該些組件的結合表面區段的界面接觸墊片進行電性互連。該些組件可具有複數個內嵌金屬化加熱構件導線、電阻式熱感應器導線、電子信號及電源互連導線和接地保護導線。
简体摘要: 一种使用在集成电路制造期间热性管理一半导体晶圆的晶圆吸盘主要系在最后共烧制程期间,使用一加入氮化铝微粒的陶磁焊接膏料,将主要由氮化铝(“AIN”)所产生的部分独立制造的多层陶磁组件焊接在一起而成。该些组件可具有独立的分层方位且彼此间透过形成于该些组件的结合表面区段的界面接触垫片进行电性互连。该些组件可具有复数个内嵌金属化加热构件导线、电阻式热感应器导线、电子信号及电源互连导线和接地保护导线。
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