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公开(公告)号：TWI701311B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW105131681
申请日：2016-09-30
发明人： 鎌倉菜穗 , KAMAKURA, NAO , 菅生悠樹 , SUGO, YUKI
IPC分类号： C09J7/00
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公开(公告)号：TWI696546B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW106102503
申请日：2017-01-23
发明人： 鎌倉菜穗 , KAMAKURA, NAO , 菅生悠樹 , SUGO, YUKI , 本田哲士 , HONDA, SATOSHI
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公开(公告)号：TWI680289B
公开(公告)日：2019-12-21
申请号：TW104143019
申请日：2015-12-21
发明人： 菅生悠樹 , SUGO, YUKI , 鎌倉菜穗 , KAMAKURA, NAO , 石坂剛 , ISHIZAKA, TSUYOSHI , 襖田光昭 , FUSUMADA, MITSUAKI
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公开(公告)号：TW201728427A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105131680
申请日：2016-09-30
发明人： 菅生悠樹 , SUGO, YUKI , 鎌倉菜穗 , KAMAKURA, NAO
CPC分类号： C09J1/00 , C09J7/00 , C09J201/00 , H01L21/52 , H01L24/27 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： 本發明係提供一種可抑制貼附時之突出或對於貼附對象物表面之纏繞，並且，燒結後可得到強固之燒結層之加熱接合用片材。本發明之加熱接合用片材，所具有之層，係在10MPa之加壓下，以升溫速度1．5℃/秒從80℃至300℃升溫後，在300℃保持2．5分鐘後之斷面中的氣孔部分之平均面積，在0．005μm2~0．5μm2之範圍內之層。
简体摘要： 本发明系提供一种可抑制贴附时之突出或对于贴附对象物表面之缠绕，并且，烧结后可得到强固之烧结层之加热接合用片材。本发明之加热接合用片材，所具有之层，系在10MPa之加压下，以升温速度1．5℃/秒从80℃至300℃升温后，在300℃保持2．5分钟后之断面中的气孔部分之平均面积，在0．005μm2~0．5μm2之范围内之层。
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公开(公告)号：TW201720896A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105131678
申请日：2016-09-30
发明人： 菅生悠樹 , SUGO, YUKI , 鎌倉菜穗 , KAMAKURA, NAO
IPC分类号： C09J11/04 , C09J201/00 , C09J7/02 , C09J9/02 , H01L21/301
CPC分类号： H01L21/52 , C09J7/20 , C09J9/02 , C09J11/04 , C09J201/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
摘要： 本發明係提供一種可抑制貼附時之溢出或覆蓋到貼附對象物表面，並且，燒結後可得到強固之燒結層之加熱接合用片材。在10MPa之加壓下，以升溫速度1．5℃/秒從80℃至300℃升溫後，在300℃保持2．5分鐘後之硬度，使用奈米壓痕儀計測，係在1．5GPa~10GPa之範圍內之層。
简体摘要： 本发明系提供一种可抑制贴附时之溢出或覆盖到贴附对象物表面，并且，烧结后可得到强固之烧结层之加热接合用片材。在10MPa之加压下，以升温速度1．5℃/秒从80℃至300℃升温后，在300℃保持2．5分钟后之硬度，使用奈米压痕仪计测，系在1．5GPa~10GPa之范围内之层。
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公开(公告)号：TW201717291A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105131684
申请日：2016-09-30
发明人： 菅生悠樹 , SUGO, YUKI , 鎌倉菜穗 , KAMAKURA, NAO
IPC分类号： H01L21/52 , B23K35/12 , B23K35/28 , B23K35/36 , H01L21/301 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/52 , C09J7/20 , C09J9/02 , C09J11/04 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 本發明提供一種加熱接合用片材，其可抑制貼附時之溢出或覆蓋到貼附對象物表面，且燒結後可得到強固的燒結層。一種加熱接合用片材，其具有藉由加熱所形成燒結層之層；前述層係大氣環境下，以昇溫速度10℃/分之條件，從23℃至500℃藉由差動型示差熱天秤進行分析時，在500℃之重量減少量(%)減去在300℃之重量減少量(%)之值，在-1%~0%之範圍內。
简体摘要： 本发明提供一种加热接合用片材，其可抑制贴附时之溢出或覆盖到贴附对象物表面，且烧结后可得到强固的烧结层。一种加热接合用片材，其具有借由加热所形成烧结层之层；前述层系大气环境下，以升温速度10℃/分之条件，从23℃至500℃借由差动型示差热天秤进行分析时，在500℃之重量减少量(%)减去在300℃之重量减少量(%)之值，在-1%~0%之范围内。
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公开(公告)号：TW201535632A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103145273
申请日：2014-12-24
发明人： 木村雄大 , KIMURA, YUTA , 三隅貞仁 , MISUMI, SADAHITO , 大西謙司 , ONISHI, KENJI , 菅生悠樹 , SUGO, YUKI , 宍戶雄一郎 , SHISHIDO, YUICHIRO
CPC分类号： H01L23/26 , H01L23/29 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
摘要： 本發明係關於一種含有經矽烷偶合處理之無機離子捕捉劑之半導體裝置用樹脂薄膜。
简体摘要： 本发明系关于一种含有经硅烷偶合处理之无机离子捕捉剂之半导体设备用树脂薄膜。
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公开(公告)号：TW201531550A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW104100422
申请日：2015-01-07
发明人： 菅生悠樹 , SUGO, YUKI , 大西謙司 , ONISHI, KENJI
IPC分类号： C09J7/02 , C09J9/02 , C09J133/08 , C09J163/02 , C08K7/00 , H01L21/304 , H01B1/20
CPC分类号： C09J133/00 , C08K7/04 , C08K2201/001 , C08K2201/016 , C08L61/06 , C09D163/00 , C09J7/10 , C09J9/02 , C09J11/04 , C09J2201/602 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2433/00 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2224/2929 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/85203 , H01L2224/92247 , H01L2924/07811 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/0635 , H01L2924/0665 , H01L2924/066 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/00 , C08L1/00
摘要： 本發明提供一種可緩和因線膨脹之差引起之應力的膜狀接著劑、附膜狀接著劑之切晶帶、半導體裝置之製造方法。 本發明係關於一種熱硬化型之膜狀接著劑，其包含丙烯酸系樹脂、環氧樹脂及導電性粒子，導電性粒子包含縱橫比為5以上之板狀粒子，導電性粒子100重量%中之板狀粒子之含量為5重量%~100重量%，且上述膜狀接著劑於熱硬化後之於150℃下之儲存彈性模數為5MPa~100MPa。
简体摘要： 本发明提供一种可缓和因线膨胀之差引起之应力的膜状接着剂、附膜状接着剂之切晶带、半导体设备之制造方法。 本发明系关于一种热硬化型之膜状接着剂，其包含丙烯酸系树脂、环氧树脂及导电性粒子，导电性粒子包含纵横比为5以上之板状粒子，导电性粒子100重量%中之板状粒子之含量为5重量%~100重量%，且上述膜状接着剂于热硬化后之于150℃下之存储弹性模数为5MPa~100MPa。
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公开(公告)号：TW201504384A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103119213
申请日：2014-06-03
发明人： 木村雄大 , KIMURA, YUTA , 三隅貞仁 , MISUMI, SADAHITO , 大西謙司 , ONISHI, KENJI , 宍戶雄一郎 , SHISHIDO, YUICHIRO , 菅生悠樹 , SUGO, YUKI
IPC分类号： C09J7/00 , C09J11/04 , C08K7/18 , H01L21/304
摘要： 本發明提供可靠性高且凹凸填埋性優異的接著薄片、及切割‧晶粒接合薄膜。本發明關於一種接著薄片，其包含球狀氧化鋁填料和樹脂成分，所述樹脂成分包含高分子量成分(A)和低分子量成分(B)，相對於100重量份接著薄片，前述球狀氧化鋁填料的含量為78~88重量份，前述球狀氧化鋁填料的平均粒徑為2~9μm，比表面積為0.8~8.0m2/g，由前述高分子量成分(A)的重量/前述高分子量成分(A)和前述低分子量成分(B)的總重量表示的重量比為0.03~0.25。
简体摘要： 本发明提供可靠性高且凹凸填埋性优异的接着薄片、及切割‧晶粒接合薄膜。本发明关于一种接着薄片，其包含球状氧化铝填料和树脂成分，所述树脂成分包含高分子量成分(A)和低分子量成分(B)，相对于100重量份接着薄片，前述球状氧化铝填料的含量为78~88重量份，前述球状氧化铝填料的平均粒径为2~9μm，比表面积为0.8~8.0m2/g，由前述高分子量成分(A)的重量/前述高分子量成分(A)和前述低分子量成分(B)的总重量表示的重量比为0.03~0.25。
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10.发明专利半導體裝置用膠黏劑組成物、半導體裝置用膠黏薄膜、帶有切割薄膜的膠黏薄膜、半導體裝置的製造方法以及半導體裝置 审中-公开半导体设备用胶黏剂组成物、半导体设备用胶黏薄膜、带有切割薄膜的胶黏薄膜、半导体设备的制造方法以及半导体设备
公开(公告)号：TW201406908A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102124101
申请日：2013-07-05
发明人： 菅生悠樹 , SUGO, YUKI , 大西謙司 , ONISHI, KENJI
IPC分类号： C09J7/00 , C09J201/00 , H01L21/304 , H01L21/683
CPC分类号： H01L24/29 , H01L2224/45 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 本發明涉及半導體裝置用膠黏劑組成物、半導體裝置用膠黏薄膜、帶有切割薄膜的膠黏薄膜、半導體裝置的製造方法以及半導體裝置。本發明提供能夠製造空隙少、可靠性高的半導體裝置的半導體裝置用膠黏劑組成物、半導體裝置用膠黏薄膜以及帶有切割薄膜的膠黏薄膜。本發明涉及一種半導體裝置用膠黏劑組成物，該半導體裝置用膠黏劑組成物在175℃加熱1小時後的動態黏彈性測定中的175℃的損耗角正切值(tanδ)為0.2~0.6。
简体摘要： 本发明涉及半导体设备用胶黏剂组成物、半导体设备用胶黏薄膜、带有切割薄膜的胶黏薄膜、半导体设备的制造方法以及半导体设备。本发明提供能够制造空隙少、可靠性高的半导体设备的半导体设备用胶黏剂组成物、半导体设备用胶黏薄膜以及带有切割薄膜的胶黏薄膜。本发明涉及一种半导体设备用胶黏剂组成物，该半导体设备用胶黏剂组成物在175℃加热1小时后的动态黏弹性测定中的175℃的损耗角正切值(tanδ)为0.2~0.6。
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