基板處理裝置、半導體裝置之製造方法、程式
    1.
    发明专利
    基板處理裝置、半導體裝置之製造方法、程式 审中-公开
    基板处理设备、半导体设备之制造方法、进程

    公开(公告)号:TW201642372A

    公开(公告)日:2016-12-01

    申请号:TW105105660

    申请日:2016-02-25

    IPC分类号: H01L21/67

    摘要: 提供能夠抑制微粒產生之技術。 具有:處理容器,其係用以處理基板;處理氣體供給部,其係對處理容器供給處理氣體;基板載置台,其係被設置在處理容器內;處理容器側排氣部,其係被連接於處理容器;傳動軸,其係在上端支撐上述基板載置台;傳動軸支撐部,其係用以支撐傳動軸;開口孔,其係被設置在貫通傳動軸之處理容器的底壁;波紋管,其具有被設置在開口孔和傳動軸支撐部之間的能伸縮的波紋管壁,波紋管壁之內側空間與處理容器之空間連通;及波紋管側氣體供排氣部,其係同時進行對波紋管壁之內側空間供給惰性氣體,和內側空間之氛圍的排氣。

    简体摘要: 提供能够抑制微粒产生之技术。 具有:处理容器,其系用以处理基板;处理气体供给部,其系对处理容器供给处理气体;基板载置台,其系被设置在处理容器内;处理容器侧排气部,其系被连接于处理容器;传动轴,其系在上端支撑上述基板载置台;传动轴支撑部,其系用以支撑传动轴;开口孔,其系被设置在贯通传动轴之处理容器的底壁;波纹管,其具有被设置在开口孔和传动轴支撑部之间的能伸缩的波纹管壁,波纹管壁之内侧空间与处理容器之空间连通;及波纹管侧气体供排气部,其系同时进行对波纹管壁之内侧空间供给惰性气体,和内侧空间之氛围的排气。

    基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式
    5.
    发明专利
    基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 审中-公开
    基板处理设备、半导体设备之制造方法及进程

    公开(公告)号:TW201727795A

    公开(公告)日:2017-08-01

    申请号:TW105105838

    申请日:2016-02-26

    IPC分类号: H01L21/67 G06F9/06

    摘要: 本發明係關於一種基板處理裝置,其目的在於即便將處理室維持於高溫而處理基板之情形下,亦可抑制對於周圍的構造之熱影響。 根據本發明之一態樣提供一種技術,該技術包含有一基板處理裝置,上述裝置具有:第一處理室,其具備:將第一基板加熱之第一加熱部、處理上述第一基板之第一處理空間、配置於上述第一處理空間的下方之第一搬送空間、及構成上述第一處理空間與上述第一搬送空間之壁;第二處理室,其具備:被作為上述壁的一部分之共通壁包夾而鄰接於上述第一處理室,並將第二基板加熱之第二加熱部、處理上述第二基板之第二處理空間、及配置於上述第二處理空間的下方之第二搬送空間;其他壁,其係在構成上述第一處理室與上述第二處理室之壁中,以和上述共通壁不同之壁構成;及冷卻流路,其設置於上述共通壁與上述其他壁上,並以上述共通壁的冷卻效率高於上述其他壁之方式構成。

    简体摘要: 本发明系关于一种基板处理设备,其目的在于即便将处理室维持于高温而处理基板之情形下,亦可抑制对于周围的构造之热影响。 根据本发明之一态样提供一种技术,该技术包含有一基板处理设备,上述设备具有:第一处理室,其具备:将第一基板加热之第一加热部、处理上述第一基板之第一处理空间、配置于上述第一处理空间的下方之第一搬送空间、及构成上述第一处理空间与上述第一搬送空间之壁;第二处理室,其具备:被作为上述壁的一部分之共通壁包夹而邻接于上述第一处理室,并将第二基板加热之第二加热部、处理上述第二基板之第二处理空间、及配置于上述第二处理空间的下方之第二搬送空间;其他壁,其系在构成上述第一处理室与上述第二处理室之壁中,以和上述共通壁不同之壁构成;及冷却流路,其设置于上述共通壁与上述其他壁上,并以上述共通壁的冷却效率高于上述其他壁之方式构成。

    基板處理裝置 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
    8.
    发明专利
    基板處理裝置 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS 审中-公开
    基板处理设备 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

    公开(公告)号:TW201030886A

    公开(公告)日:2010-08-16

    申请号:TW098140305

    申请日:2009-11-26

    IPC分类号: H01L

    摘要: [課題]本發明之目的在於提供一種基板處理裝置,可實現高生產能力化與省面積(footprint)化兩相反條件的並立。[解決手段]一種基板處理裝置,係以輸送室為中心,配置有加載互鎖真空室及至少二個處理室,該輸送室具有在該加載互鎖真空室與該處理室之間輸送基板的基板輸送部;該基板輸送部具備設有第一手指及第二手指的第一臂,且各手指之前端係構成為在水平方向上朝相同方向延伸;該處理室具有第一處理部及第二處理部,該第二處理部係隔著該第一處理部而配置於遠離該輸送室處。

    简体摘要: [课题]本发明之目的在于提供一种基板处理设备,可实现高生产能力化与省面积(footprint)化两相反条件的并立。[解决手段]一种基板处理设备,系以输送室为中心,配置有加载互锁真空室及至少二个处理室,该输送室具有在该加载互锁真空室与该处理室之间输送基板的基板输送部;该基板输送部具备设有第一手指及第二手指的第一臂,且各手指之前端系构成为在水平方向上朝相同方向延伸;该处理室具有第一处理部及第二处理部,该第二处理部系隔着该第一处理部而配置于远离该输送室处。

    基板處理裝置及基板處理方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
    9.
    发明专利
    基板處理裝置及基板處理方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD 审中-公开
    基板处理设备及基板处理方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

    公开(公告)号:TW201017805A

    公开(公告)日:2010-05-01

    申请号:TW098130638

    申请日:2009-09-11

    IPC分类号: H01L B65G

    CPC分类号: H01L21/67748 H01L21/6719

    摘要: 【課題】為能兼顧高產能及節省占地面積之兩種相反條件,並可確保晶圓之光阻剝離的均勻性。【解決手段】本裝置具有:處理室,處理基板;基板載置台,內裝在該處理室;基板運送構件,在該基板載置台上可使基板暫時待機;排氣孔,依包圍該基板載置台之方式設置;以及退避空間,使該基板運送構件退避至連結該排氣孔與該基板載置台的上端部之線和該基板載置台之間。

    简体摘要: 【课题】为能兼顾高产能及节省占地面积之两种相反条件,并可确保晶圆之光阻剥离的均匀性。【解决手段】本设备具有:处理室,处理基板;基板载置台,内装在该处理室;基板运送构件,在该基板载置台上可使基板暂时待机;排气孔,依包围该基板载置台之方式设置;以及退避空间,使该基板运送构件退避至链接该排气孔与该基板载置台的上端部之线和该基板载置台之间。

    基板處理裝置及基板處理方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
    10.
    发明专利
    基板處理裝置及基板處理方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD 审中-公开
    基板处理设备及基板处理方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

    公开(公告)号:TW201023293A

    公开(公告)日:2010-06-16

    申请号:TW098130640

    申请日:2009-09-11

    IPC分类号: H01L

    CPC分类号: H01L21/6719 H01L21/67703

    摘要: 【課題】能實現兼顧高產能化及省占地面積化之相反條件。【解決手段】具有搬運室與處理基板的處理室;該搬運室具有將基板從該搬運室搬運到該處理室之第1基板搬運構件;該處理室具有:第1處理部,係與該搬運室鄰接,具有第1基板載置台;第2處理部,係鄰接於該第1處理部之內、與該搬運室不同的側,具有第2基板載置台;第2基板搬運構件,係在該第1處理部與該第2處理部之間搬運基板;及控制部,係至少控制該第2基板搬運構件。

    简体摘要: 【课题】能实现兼顾高产能化及省占地面积化之相反条件。【解决手段】具有搬运室与处理基板的处理室;该搬运室具有将基板从该搬运室搬运到该处理室之第1基板搬运构件;该处理室具有:第1处理部,系与该搬运室邻接,具有第1基板载置台;第2处理部,系邻接于该第1处理部之内、与该搬运室不同的侧,具有第2基板载置台;第2基板搬运构件,系在该第1处理部与该第2处理部之间搬运基板;及控制部,系至少控制该第2基板搬运构件。