公开(公告)号：TW201843693A

公开(公告)日：2018-12-16

申请号：TW106139262

申请日：2017-11-14

Applicant: 日商日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  大橋史 ,  OHASHI, NAOFUMI

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H01L21/30

Abstract: 本發明的課題是在於使膜的特性變化的處理後的基板的特性提升。 　　其解決手段係具有： 　　處理容器，其係收容有基板； 　　基板支撐部，其係於處理容器內支撐基板，具有支撐電極； 　　上部電極，其係與基板支撐部對向； 　　第1阻抗控制部，其係一端被連接至上部電極； 　　第2阻抗控制部，其係一端被連接至支撐電極； 　　處理氣體供給部，其係對基板供給處理氣體； 　　活化部，其係處理容器的外側，經由絕緣部來連接至電力供給部，使處理氣體活化；及 　　第3阻抗控制部，其係一端被連接至絕緣部與活化部之間。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题是在于使膜的特性变化的处理后的基板的特性提升。 　　其解决手段系具有： 　　处理容器，其系收容有基板； 　　基板支撑部，其系于处理容器内支撑基板，具有支撑电极； 　　上部电极，其系与基板支撑部对向； 　　第1阻抗控制部，其系一端被连接至上部电极； 　　第2阻抗控制部，其系一端被连接至支撑电极； 　　处理气体供给部，其系对基板供给处理气体； 　　活化部，其系处理容器的外侧，经由绝缘部来连接至电力供给部，使处理气体活化；及 　　第3阻抗控制部，其系一端被连接至绝缘部与活化部之间。

公开(公告)号：TWI570828B

公开(公告)日：2017-02-11

申请号：TW104130282

申请日：2015-09-14

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 大橋直史 ,  OHASHI, NAOFUMI ,  中山雅則 ,  NAKAYAMA, MASANORI ,  須田敦彥 ,  SUDA, ATSUHIKO ,  豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  松井俊 ,  MATSUI, SHUN

IPC: H01L21/67 ,  G05B19/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

公开(公告)号：TW201703170A

公开(公告)日：2017-01-16

申请号：TW104130282

申请日：2015-09-14

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 大橋直史 ,  OHASHI, NAOFUMI ,  中山雅則 ,  NAKAYAMA, MASANORI ,  須田敦彥 ,  SUDA, ATSUHIKO ,  豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  松井俊 ,  MATSUI, SHUN

IPC: H01L21/67 ,  G05B19/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本發明之課題在於抑制半導體裝置特性之偏差。 本發明具有：對在具有複數條配線用溝之第一絕緣膜上形成有作為金屬配線之金屬膜的基板進行研磨的研磨步驟；於研磨步驟後，於基板形成第二絕緣膜的步驟；對第二絕緣膜進行研磨的步驟；於研磨步驟後，接收第二絕緣膜之基板面內之膜厚分佈資料的步驟；根據膜厚分佈資料演算出處理資料的步驟，該處理資料係藉由調整在研磨後之第二絕緣膜上所形成第三絕緣膜的膜厚分佈，而修正由上述研磨後之第二絕緣膜與上述第三絕緣膜所形成積層絕緣膜的膜厚分佈；及根據處理資料，以使基板之中心側所生成處理氣體之活性種的濃度與基板之外周側所生成處理氣體之活性種的濃度相異之方式，使處理氣體活性化而形成第三絕緣膜，從而修正積層絕緣膜之膜厚分佈的步驟。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题在于抑制半导体设备特性之偏差。 本发明具有：对在具有复数条配线用沟之第一绝缘膜上形成有作为金属配线之金属膜的基板进行研磨的研磨步骤；于研磨步骤后，于基板形成第二绝缘膜的步骤；对第二绝缘膜进行研磨的步骤；于研磨步骤后，接收第二绝缘膜之基板面内之膜厚分布数据的步骤；根据膜厚分布数据演算出处理数据的步骤，该处理数据系借由调整在研磨后之第二绝缘膜上所形成第三绝缘膜的膜厚分布，而修正由上述研磨后之第二绝缘膜与上述第三绝缘膜所形成积层绝缘膜的膜厚分布；及根据处理数据，以使基板之中心侧所生成处理气体之活性种的浓度与基板之外周侧所生成处理气体之活性种的浓度相异之方式，使处理气体活性化而形成第三绝缘膜，从而修正积层绝缘膜之膜厚分布的步骤。

公开(公告)号：TWI611495B

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：TW105105838

申请日：2016-02-26

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 高橋哲 ,  TAKAHASHI, AKIRA ,  豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI

IPC: H01L21/67 ,  G06F9/06

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719

公开(公告)号：TW201734254A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105120570

申请日：2016-06-29

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 八幡橘 ,  YAHATA, TAKASHI ,  高野智 ,  TAKANO, SATOSHI ,  豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  松井俊 ,  MATSUI, SHUN

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32788 ,  H01J37/32862 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228

Abstract: 本課題是隨著基板處理溫度的高溫化提高製程的再現性．安定性。其解決手段係具有：處理室，其係處理基板；第1加熱部，其係設在載置基板的基板載置台，加熱基板和處理室；移載室，其係設有將基板移載至處理室的基板載置台；間隔部，其係隔開處理室與移載室；第2加熱部，其係設在比移載室的間隔部更下方側；處理氣體供給部，其係對處理室供給處理氣體；第1洗滌氣體供給部，其係對處理室供給洗滌氣體；第2洗滌氣體供給部，其係對移載室供給洗滌氣體；及控制部，其係控制第1加熱部、第2加熱部、第1洗滌氣體供給部及第2洗滌氣體供給部。

Abstract in simplified Chinese: 本课题是随着基板处理温度的高温化提高制程的再现性．安定性。其解决手段系具有：处理室，其系处理基板；第1加热部，其系设在载置基板的基板载置台，加热基板和处理室；移载室，其系设有将基板移载至处理室的基板载置台；间隔部，其系隔开处理室与移载室；第2加热部，其系设在比移载室的间隔部更下方侧；处理气体供给部，其系对处理室供给处理气体；第1洗涤气体供给部，其系对处理室供给洗涤气体；第2洗涤气体供给部，其系对移载室供给洗涤气体；及控制部，其系控制第1加热部、第2加热部、第1洗涤气体供给部及第2洗涤气体供给部。

公开(公告)号：TW201705184A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW104137018

申请日：2015-11-10

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 山本哲夫 ,  YAMAMOTO, TETSUO ,  豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  松井俊 ,  MATSUI, SHUN

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/50 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/505 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211

Abstract: 本發明係一種基板處理裝置及半導體裝置之製造方法，其課題為提供：使用電漿而形成高品質的膜之技術。 解決手段為在具有：內包加以載置基板之基板載置台的處理室，和將供給至處理室內之氣體作為電漿狀態之電漿生成部的基板處理裝置中，電漿生成部係具有呈圍繞成為供給至處理室內之氣體的流路之電漿生成室地加以配置之電漿產生導體，而電漿產生導體係具有：沿著在電漿生成室內之氣體的主流方向而延伸之複數的主導體部，和電性連接主導體部彼此之連接導體部。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种基板处理设备及半导体设备之制造方法，其课题为提供：使用等离子而形成高品质的膜之技术。 解决手段为在具有：内包加以载置基板之基板载置台的处理室，和将供给至处理室内之气体作为等离子状态之等离子生成部的基板处理设备中，等离子生成部系具有呈围绕成为供给至处理室内之气体的流路之等离子生成室地加以配置之等离子产生导体，而等离子产生导体系具有：沿着在等离子生成室内之气体的主流方向而延伸之复数的主导体部，和电性连接主导体部彼此之连接导体部。

公开(公告)号：TW201614753A

公开(公告)日：2016-04-16

申请号：TW104126705

申请日：2015-08-17

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 西谷英輔 ,  NISHITANI, EISUKE ,  豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI

IPC: H01L21/67

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45574

Abstract: 在進行基板依序通過複數個處理區域的程序處理的情況下，可依該程序處理而容易且簡便地進行各處理區域的大小變更。 構成一種基板處理裝置，具備：載置基板的基板載置台；處理空間被區劃成複數個氣體供應空間並設有與各氣體供應空間個別連通的氣體分配管而成的氣體供應板；以及構成為具有複數個氣體導入管，同時配裝氣體供應板，各氣體導入管的各者經由往氣體供應板的配裝時對應於複數個氣體導入管的各者而在不同平面上以不同徑而形成的圓環狀的氣體排出空間而與在氣體供應板的氣體分配管連通的氣體導入軸。

Abstract in simplified Chinese: 在进行基板依序通过复数个处理区域的进程处理的情况下，可依该进程处理而容易且简便地进行各处理区域的大小变更。 构成一种基板处理设备，具备：载置基板的基板载置台；处理空间被区划成复数个气体供应空间并设有与各气体供应空间个别连通的气体分配管而成的气体供应板；以及构成为具有复数个气体导入管，同时配装气体供应板，各气体导入管的各者经由往气体供应板的配装时对应于复数个气体导入管的各者而在不同平面上以不同径而形成的圆环状的气体排出空间而与在气体供应板的气体分配管连通的气体导入轴。

公开(公告)号：TW201432781A

公开(公告)日：2014-08-16

申请号：TW102132432

申请日：2013-09-09

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  笠原修 ,  KASAHARA, OSAMU ,  稲田哲明 ,  INADA, TETSUAKI ,  田邊潤一 ,  TANABE, JUNICHI ,  上田立志 ,  UEDA, TATSUSHI

IPC: H01L21/02 ,  C23C14/24

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/50 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 〔課題〕針對具有複數個處理區域的基板處理裝置，提供一種各處理區域之處理時間不同的情形下仍可對應的基板處理裝置。〔解決手段〕為了解決上述課題的基板處理裝置，其提供一種具有：設置在處理室內，可圓周狀地載置複數個基板的基板載置部、以既定的角速度使前記基板載置部旋轉的旋轉機構、自前述處理室的蓋體之中心放射狀地設置，且將前述處理室分割成複數個的分割構造體、和分別配置在相鄰的前述分割構造體之間的氣體供給區域，隔著前述氣體供給區域之一而相鄰的前述分割構造體所成的角度，是設定成前述基板載置部的一部分通過前述氣體供給區域的時間與對應前述角速度的角度的基板處理裝置。

Abstract in simplified Chinese: 〔课题〕针对具有复数个处理区域的基板处理设备，提供一种各处理区域之处理时间不同的情形下仍可对应的基板处理设备。〔解决手段〕为了解决上述课题的基板处理设备，其提供一种具有：设置在处理室内，可圆周状地载置复数个基板的基板载置部、以既定的角速度使前记基板载置部旋转的旋转机构、自前述处理室的盖体之中心放射状地设置，且将前述处理室分割成复数个的分割构造体、和分别配置在相邻的前述分割构造体之间的气体供给区域，隔着前述气体供给区域之一而相邻的前述分割构造体所成的角度，是设置成前述基板载置部的一部分通过前述气体供给区域的时间与对应前述角速度的角度的基板处理设备。

公开(公告)号：TW201843703A

公开(公告)日：2018-12-16

申请号：TW106143471

申请日：2017-12-12

Applicant: 日商日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 大橋史 ,  OHASHI, NAOFUMI ,  高野智 ,  TAKANO, SATOSHI ,  豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  松井俊 ,  MATSUI, SHUN

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67

Abstract: 提供提高元件特性之均勻性的技術。 　　將具有已被圖案化之硬質遮罩的基板搬入處理室，對上述處理室供給含金屬氣體並設為第1壓力，於上述滲透工程之後，對上述處理室供給惰性氣體並設為比上述第1壓力低的第2壓力。

Abstract in simplified Chinese: 提供提高组件特性之均匀性的技术。 　　将具有已被图案化之硬质遮罩的基板搬入处理室，对上述处理室供给含金属气体并设为第1压力，于上述渗透工程之后，对上述处理室供给惰性气体并设为比上述第1压力低的第2压力。

公开(公告)号：TWI626683B

公开(公告)日：2018-06-11

申请号：TW105124982

申请日：2016-08-05

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 中山雅則 ,  NAKAYAMA, MASANORI ,  菊池俊之 ,  KIKUCHI, TOSHIYUKI ,  須田敦彦 ,  SUDA, ATSUHIKO ,  豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  松井俊 ,  MATSUI, SHUN

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/463