半導體裝置及半導體裝置之製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
    2.
    发明专利
    半導體裝置及半導體裝置之製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF 审中-公开
    半导体设备及半导体设备之制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

    公开(公告)号:TW200945550A

    公开(公告)日:2009-11-01

    申请号:TW097149884

    申请日:2008-12-19

    IPC分类号: H01L

    摘要: 本發明係提供一種適於高性能橫向電晶體(HCBT)與CMOS電晶體之混載(BiCMOS)的橫向電晶體之構成及其製造方法。本發明之半導體裝置混載有HCBT100與CMOS電晶體200,HCBT100包含:開放區域21,其係藉由蝕刻包圍n-hill層11之元件分離氧化膜6而開口;多晶矽膜之射極電極31A、集極電極31B,其等係形成於開放區域21內,且具有使藉由元件分離氧化膜之蝕刻而露出之n-hill層11露出之厚度;及極薄氧化膜24,其係覆蓋n-hill層11之至少一部分。極薄氧化膜24產生作為保護膜之功能,該保護膜係於多晶矽膜被蝕刻成為射極電極31A、集極電極31B時,防止n-hill層11受到蝕刻。

    简体摘要: 本发明系提供一种适于高性能横向晶体管(HCBT)与CMOS晶体管之混载(BiCMOS)的横向晶体管之构成及其制造方法。本发明之半导体设备混载有HCBT100与CMOS晶体管200,HCBT100包含:开放区域21,其系借由蚀刻包围n-hill层11之组件分离氧化膜6而开口;多晶硅膜之射极电极31A、集极电极31B,其等系形成于开放区域21内,且具有使借由组件分离氧化膜之蚀刻而露出之n-hill层11露出之厚度;及极薄氧化膜24,其系覆盖n-hill层11之至少一部分。极薄氧化膜24产生作为保护膜之功能,该保护膜系于多晶硅膜被蚀刻成为射极电极31A、集极电极31B时,防止n-hill层11受到蚀刻。