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公开(公告)号:TWI505442B
公开(公告)日:2015-10-21
申请号:TW102110426
申请日:2008-12-19
发明人: 馬可 可利奇克 , MARKO, KORICIC , 湯米斯拉夫 蘇黎高吉 , TOMISLAV, SULIGOJ , 望月秀則 , MOCHIZUKI, HIDENORI , 森田宗一 , MORITA, SOICHI
IPC分类号: H01L27/02 , H01L21/8249
CPC分类号: H01L27/0623 , H01L21/2257 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/26586 , H01L21/8249 , H01L29/0808 , H01L29/1008 , H01L29/1045 , H01L29/6625 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/735
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2.半導體裝置及半導體裝置之製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题: 半导体设备及半导体设备之制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF公开(公告)号:TW200945550A
公开(公告)日:2009-11-01
申请号:TW097149884
申请日:2008-12-19
申请人: 旭化成電子材料元件股份有限公司
发明人: 馬可 可利奇克 , 湯米斯拉夫 蘇黎高吉 , 望月秀則 , 森田宗一
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01L27/0623 , H01L21/2257 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/26586 , H01L21/8249 , H01L29/0808 , H01L29/1008 , H01L29/1045 , H01L29/6625 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/735
摘要: 本發明係提供一種適於高性能橫向電晶體(HCBT)與CMOS電晶體之混載(BiCMOS)的橫向電晶體之構成及其製造方法。本發明之半導體裝置混載有HCBT100與CMOS電晶體200,HCBT100包含:開放區域21,其係藉由蝕刻包圍n-hill層11之元件分離氧化膜6而開口;多晶矽膜之射極電極31A、集極電極31B,其等係形成於開放區域21內,且具有使藉由元件分離氧化膜之蝕刻而露出之n-hill層11露出之厚度;及極薄氧化膜24,其係覆蓋n-hill層11之至少一部分。極薄氧化膜24產生作為保護膜之功能,該保護膜係於多晶矽膜被蝕刻成為射極電極31A、集極電極31B時,防止n-hill層11受到蝕刻。
简体摘要: 本发明系提供一种适于高性能横向晶体管(HCBT)与CMOS晶体管之混载(BiCMOS)的横向晶体管之构成及其制造方法。本发明之半导体设备混载有HCBT100与CMOS晶体管200,HCBT100包含:开放区域21,其系借由蚀刻包围n-hill层11之组件分离氧化膜6而开口;多晶硅膜之射极电极31A、集极电极31B,其等系形成于开放区域21内,且具有使借由组件分离氧化膜之蚀刻而露出之n-hill层11露出之厚度;及极薄氧化膜24,其系覆盖n-hill层11之至少一部分。极薄氧化膜24产生作为保护膜之功能,该保护膜系于多晶硅膜被蚀刻成为射极电极31A、集极电极31B时,防止n-hill层11受到蚀刻。
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公开(公告)号:TWI435435B
公开(公告)日:2014-04-21
申请号:TW097149884
申请日:2008-12-19
发明人: 馬可 可利奇克 , KORICIC, MARKO , 湯米斯拉夫 蘇黎高吉 , SULIGOJ, TOMISLAV , 望月秀則 , MOCHIZUKI, HIDENORI , 森田宗一 , MORITA, SOICHI
IPC分类号: H01L27/02 , H01L21/8249
CPC分类号: H01L27/0623 , H01L21/2257 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/26586 , H01L21/8249 , H01L29/0808 , H01L29/1008 , H01L29/1045 , H01L29/6625 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/735
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公开(公告)号:TW201330225A
公开(公告)日:2013-07-16
申请号:TW102110426
申请日:2008-12-19
发明人: 馬可 可利奇克 , MARKO, KORICIC , 湯米斯拉夫 蘇黎高吉 , TOMISLAV, SULIGOJ , 望月秀則 , MOCHIZUKI, HIDENORI , 森田宗一 , MORITA, SOICHI
IPC分类号: H01L27/02 , H01L21/8249
CPC分类号: H01L27/0623 , H01L21/2257 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/26586 , H01L21/8249 , H01L29/0808 , H01L29/1008 , H01L29/1045 , H01L29/6625 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/735
摘要: 本發明係提供一種適於高性能橫向電晶體(HCBT)與CMOS電晶體之混載(BiCMOS)的橫向電晶體之構成及其製造方法。本發明之半導體裝置混載有HCBT100與CMOS電晶體200,HCBT100包含:開放區域21,其係藉由蝕刻包圍n-hill層11之元件分離氧化膜6而開口;多晶矽膜之射極電極31A、集極電極31B,其等係形成於開放區域21內,且具有使藉由元件分離氧化膜之蝕刻而露出之n-hill層11露出之厚度;及極薄氧化膜24,其係覆蓋n-hill層11之至少一部分。極薄氧化膜24產生作為保護膜之功能,該保護膜係於多晶矽膜被蝕刻成為射極電極31A、集極電極31B時,防止n-hill層11受到蝕刻。
简体摘要: 本发明系提供一种适于高性能横向晶体管(HCBT)与CMOS晶体管之混载(BiCMOS)的横向晶体管之构成及其制造方法。本发明之半导体设备混载有HCBT100与CMOS晶体管200,HCBT100包含:开放区域21,其系借由蚀刻包围n-hill层11之组件分离氧化膜6而开口;多晶硅膜之射极电极31A、集极电极31B,其等系形成于开放区域21内,且具有使借由组件分离氧化膜之蚀刻而露出之n-hill层11露出之厚度;及极薄氧化膜24,其系覆盖n-hill层11之至少一部分。极薄氧化膜24产生作为保护膜之功能,该保护膜系于多晶硅膜被蚀刻成为射极电极31A、集极电极31B时,防止n-hill层11受到蚀刻。
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