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    橫向擴散金屬氧化物半導體電晶體及其製作方法
    1.
    发明专利
    橫向擴散金屬氧化物半導體電晶體及其製作方法 审中-公开
    横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法

    公开(公告)号：TW201824562A

    公开(公告)日：2018-07-01

    申请号：TW105143506

    申请日：2016-12-28

    申请人： 旺宏電子股份有限公司 ,  MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.

    发明人： 林韋志 ,  LIN, WEI-CHIH ,  徐志嘉 ,  HSU, CHIH-CHIA ,  黃胤富 ,  HUANG, YIN-FU

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

    摘要： 一種橫向擴散金屬氧化物半導體電晶體及其製作方法。橫向擴散金屬氧化物半導體電晶體包括基底、深井區、井區、隔離結構、閘極、閘介電層、第一摻雜區、第二摻雜區以及導電結構。深井區配置於基底中。隔離結構配置於基底中，以定義出第一主動區與第二主動區。井區配置於第一主動區中的深井區中。閘極配置於第一主動區中的基底上。閘介電層配置於閘極與基底之間。第一摻雜區配置於第一主動區中的井區中且位於閘極的一側。第二摻雜區配置於第二主動區中的深井區中。導電結構配置於隔離結構上、圍繞第二摻雜區，且與閘極連接。

    简体摘要： 一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法。横向扩散金属氧化物半导体晶体管包括基底、深井区、井区、隔离结构、闸极、闸介电层、第一掺杂区、第二掺杂区以及导电结构。深井区配置于基底中。隔离结构配置于基底中，以定义出第一主动区与第二主动区。井区配置于第一主动区中的深井区中。闸极配置于第一主动区中的基底上。闸介电层配置于闸极与基底之间。第一掺杂区配置于第一主动区中的井区中且位于闸极的一侧。第二掺杂区配置于第二主动区中的深井区中。导电结构配置于隔离结构上、围绕第二掺杂区，且与闸极连接。

    半導體結構及其製程
    6.
    发明专利
    半導體結構及其製程 审中-公开
    半导体结构及其制程

    公开(公告)号：TW201338160A

    公开(公告)日：2013-09-16

    申请号：TW101106644

    申请日：2012-03-01

    申请人： 旺宏電子股份有限公司 ,  MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.

    发明人： 徐志嘉 ,  HSU, CHIH CHIA ,  金宥憲 ,  CHIN, YU HSIEN ,  黃胤富 ,  HUANG, YIN FU

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

    摘要： 一種半導體結構，包括一第一導電型之基底、一第二導電型之第一井區、一第二導電型之摻雜區、一場氧化物以及一第二導電型之第二井區。第一井區形成於基底中。摻雜區形成於第一井區中，摻雜區具有一第一雜質淨濃度。場氧化物形成於第一井區的表面區域。第二井區位於場氧化物下方，且連接於摻雜區之一側，其中第二井區具有一第二雜質淨濃度，第二雜質淨濃度小於第一雜質淨濃度。

    简体摘要： 一种半导体结构，包括一第一导电型之基底、一第二导电型之第一井区、一第二导电型之掺杂区、一场氧化物以及一第二导电型之第二井区。第一井区形成于基底中。掺杂区形成于第一井区中，掺杂区具有一第一杂质净浓度。场氧化物形成于第一井区的表面区域。第二井区位于场氧化物下方，且连接于掺杂区之一侧，其中第二井区具有一第二杂质净浓度，第二杂质净浓度小于第一杂质净浓度。

    場元件及其應用之高壓半導體元件之操作方法
    10.
    发明专利
    場元件及其應用之高壓半導體元件之操作方法 审中-公开
    场组件及其应用之高压半导体组件之操作方法

    公开(公告)号：TW201405811A

    公开(公告)日：2014-02-01

    申请号：TW101127453

    申请日：2012-07-30

    申请人： 旺宏電子股份有限公司 ,  MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.

    发明人： 鄭安棣 ,  CHENG, AN LI ,  鍾淼鈞 ,  CHUNG, MIAO CHUN ,  徐志嘉 ,  HSU, CHIH CHIA ,  黃胤富 ,  HUANG, YIN FU

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/52

    摘要： 一種高壓半導體元件之場元件及其操作方法，場元件包括一第一導電型之一基板；一第一井為一第二導電型，係形成於基板內並由基板之表面向下擴展；一第二井，為第一導電型和形成於基板內並由基板之表面向下擴展，第二井鄰接第一井之一側，而基板則位於第一井之另一側；一第一摻雜區為第一導電型，係形成於第二井處並與第一井相隔一距離，其中第一摻雜區之摻雜濃度大於第二井之摻雜濃度；一導線，係電性連接第一摻雜區並跨越(across)第一井之上方；和一導電體(conductive body)，係位於導線和第一井之間，且導電體於導線下方對應地跨越(across)第一井，導電體和導線係電性隔離。當高壓半導體元件操作時，係施加一高壓於導線，且施加一固定偏壓至該導電體，或是不施加任何外部電壓於該導電體，都可有效避免場元件開啟。

    简体摘要： 一种高压半导体组件之场组件及其操作方法，场组件包括一第一导电型之一基板；一第一井为一第二导电型，系形成于基板内并由基板之表面向下扩展；一第二井，为第一导电型和形成于基板内并由基板之表面向下扩展，第二井邻接第一井之一侧，而基板则位于第一井之另一侧；一第一掺杂区为第一导电型，系形成于第二井处并与第一井相隔一距离，其中第一掺杂区之掺杂浓度大于第二井之掺杂浓度；一导线，系电性连接第一掺杂区并跨越(across)第一井之上方；和一导电体(conductive body)，系位于导线和第一井之间，且导电体于导线下方对应地跨越(across)第一井，导电体和导线系电性隔离。当高压半导体组件操作时，系施加一高压于导线，且施加一固定偏压至该导电体，或是不施加任何外部电压于该导电体，都可有效避免场组件打开。