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    金屬氧化半導體元件及其製造方法
    1.
    发明专利
    金屬氧化半導體元件及其製造方法 审中-公开
    金属氧化半导体组件及其制造方法

    公开(公告)号：TW201316512A

    公开(公告)日：2013-04-16

    申请号：TW100136172

    申请日：2011-10-05

    申请人： 旺宏電子股份有限公司 ,  MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.

    发明人： 陳建銓 ,  CHEN, CHIEN CHUNG ,  李明東 ,  LEE, MING TUNG ,  連士進 ,  LIEN, SHIN CHIN ,  吳錫垣 ,  WU, SHYI YUAN

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

    摘要： 一種半導體元件與半導體元件的製造方法，其中半導體元件包括額外的植入區，此些植入區位於元件的源極與汲極區中，用以改進元件特定導通電阻（Ron-sp）與崩潰電壓（BVD）之特性。元件包括閘極電極，閘極電極形成於通道區之上，在元件基板中通道區係分離第一與第二植入區。第一植入區具有第一導電型，第二植入區具有第二導電型。源極擴散區形成於第一植入區中，汲極擴散區形成於第二植入區中。

    简体摘要： 一种半导体组件与半导体组件的制造方法，其中半导体组件包括额外的植入区，此些植入区位于组件的源极与汲极区中，用以改进组件特定导通电阻（Ron-sp）与崩溃电压（BVD）之特性。组件包括闸极电极，闸极电极形成于信道区之上，在组件基板中信道区系分离第一与第二植入区。第一植入区具有第一导电型，第二植入区具有第二导电型。源极扩散区形成于第一植入区中，汲极扩散区形成于第二植入区中。

    半導體結構及其製造方法
    3.
    发明专利
    半導體結構及其製造方法 审中-公开
    半导体结构及其制造方法

    公开(公告)号：TW201330226A

    公开(公告)日：2013-07-16

    申请号：TW101100409

    申请日：2012-01-05

    申请人： 旺宏電子股份有限公司 ,  MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.

    发明人： 李明東 ,  LEE, MING TUNG ,  陳建銓 ,  CHEN, CHIEN CHUNG ,  連士進 ,  LIEN, SHIN CHIN

    IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/70

    摘要： 一種半導體結構，包括一基板、 一主動元件、一第一半導體元件、一第二半導體元件及一被動元件。基板具有一第一區及與第一區相連之一第二區。主動元件具有一摻雜區，摻雜區位於第一區。第一半導體元件、第二半導體元件及被動元件係設於第二區上。第一半導體元件、第二半導體元件及被動元件皆係電性連接於主動元件。

    简体摘要： 一种半导体结构，包括一基板、 一主动组件、一第一半导体组件、一第二半导体组件及一被动组件。基板具有一第一区及与第一区相连之一第二区。主动组件具有一掺杂区，掺杂区位于第一区。第一半导体组件、第二半导体组件及被动组件系设于第二区上。第一半导体组件、第二半导体组件及被动组件皆系电性连接于主动组件。

    半導體結構及其製造方法
    6.
    发明专利
    半導體結構及其製造方法 审中-公开
    半导体结构及其制造方法

    公开(公告)号：TW201535636A

    公开(公告)日：2015-09-16

    申请号：TW103107059

    申请日：2014-03-03

    申请人： 旺宏電子股份有限公司 ,  MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.

    发明人： 李明東 ,  LEE, MING TUNG ,  林正基 ,  LIN, CHENG CHI ,  徐志嘉 ,  HSU, CHIH CHIA ,  陳建銓 ,  CHEN, CHIEN CHUNG ,  連士進 ,  LIEN, SHIH CHIN ,  吳錫垣 ,  WU, SHYI YUAN

    IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L29/78

    摘要：  一種半導體結構及其製造方法。半導體結構包括一基板、一第一井(well)、一第一重摻雜區(heavily doping region)、一場氧化層、一第一介電層以及一導電層。第一井設置於基板上，第一重摻雜區設置於第一井內。場氧化層設置於第一井上且鄰接於第一重摻雜區。第一介電層設置於場氧化層上並覆蓋(covering)場氧化層。導電層設置於第一介電層上。第一井及第一重摻雜區具有一第一摻雜型態。

    简体摘要：  一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一基板、一第一井(well)、一第一重掺杂区(heavily doping region)、一场氧化层、一第一介电层以及一导电层。第一井设置于基板上，第一重掺杂区设置于第一井内。场氧化层设置于第一井上且邻接于第一重掺杂区。第一介电层设置于场氧化层上并覆盖(covering)场氧化层。导电层设置于第一介电层上。第一井及第一重掺杂区具有一第一掺杂型态。