利索-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

26 records (took 0.022 seconds)

    半導體加工裝置用陶瓷覆蓋構件
    1.
    发明专利
    半導體加工裝置用陶瓷覆蓋構件 有权
    半导体加工设备用陶瓷覆盖构件

    公开(公告)号：TWI351444B

    公开(公告)日：2011-11-01

    申请号：TW096108628

    申请日：2007-03-13

    Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  都卡洛股份有限公司

    Inventor： 小林義之 ,  村上貴宏 ,  原田良夫 ,  竹內純一 ,  山崎良 ,  小林啓悟

    IPC: C23C ,  H01L

    CPC classification number: C23C28/042 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C23C4/18 ,  C23C26/00

    Abstract: 本發明之課題
    在強力腐蝕環境下，謀求進行電漿蝕刻加工之半導體加工用裝置等容器內配設構件的耐久性提高。
    本發明之解決手段
    在金屬製或非金屬製基材之表面，直接或經由底塗層，來具有由周期表IIIb族氧化物之熔噴皮膜所構成的多孔質層，而在該層之上，藉由電子束或雷射光束等高能量照射處理形成有二次再結晶層，來構成陶瓷覆蓋構件。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题 在强力腐蚀环境下，谋求进行等离子蚀刻加工之半导体加工用设备等容器内配设构件的耐久性提高。 本发明之解决手段 在金属制或非金属制基材之表面，直接或经由底涂层，来具有由周期表IIIb族氧化物之熔喷皮膜所构成的多孔质层，而在该层之上，借由电子束或激光光束等高能量照射处理形成有二次再结晶层，来构成陶瓷覆盖构件。

    電漿熔射裝置及熔射控制方法
    2.
    发明专利
    電漿熔射裝置及熔射控制方法 审中-公开
    等离子熔射设备及熔射控制方法

    公开(公告)号：TW201822593A

    公开(公告)日：2018-06-16

    申请号：TW106137079

    申请日：2017-10-27

    Applicant: 日商東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    Inventor： 小林義之 ,  KOBAYASHI, YOSHIYUKI ,  檜森慎司 ,  HIMORI, SHINJI ,  古谷直一 ,  FURUYA, NAOKAZU

    IPC: H05H1/42 ,  H05H1/02

    Abstract: 本發明之目的在於控制熔射之指向性。 本發明提供一種電漿熔射裝置，其具有：供給部，其於供給部中將熔射材料之粉末藉由電漿生成氣體運送，並自上述供給部之前端部之開口噴射；電漿生成部，其使用所噴射之上述電漿生成氣體生成軸芯與上述供給部共通之電漿；磁場產生部，其於上述電漿之生成空間產生磁場；及控制部，其控制上述磁場產生部，而控制上述生成之電漿之偏向。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在于控制熔射之指向性。 本发明提供一种等离子熔射设备，其具有：供给部，其于供给部中将熔射材料之粉末借由等离子生成气体运送，并自上述供给部之前端部之开口喷射；等离子生成部，其使用所喷射之上述等离子生成气体生成轴芯与上述供给部共通之等离子；磁场产生部，其于上述等离子之生成空间产生磁场；及控制部，其控制上述磁场产生部，而控制上述生成之等离子之偏向。

    半導體製造裝置及處理方法
    5.
    发明专利
    半導體製造裝置及處理方法 审中-公开
    半导体制造设备及处理方法

    公开(公告)号：TW201324653A

    公开(公告)日：2013-06-16

    申请号：TW101129651

    申请日：2012-08-16

    Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    Inventor： 檜森慎司 ,  HIMORI, SHINJI ,  小林義之 ,  KOBAYASHI, YOSHIYUKI ,  加藤武宏 ,  KATO, TAKEHIRO ,  伊藤悅治 ,  ITO, ETSUJI

    IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/68742 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/67063

    Abstract: 一實施形態之半導體製造裝置係具備有平台、複數銷、以及驅動部。平台包含有載置面。載置面具有用以載置被處理基體之第1區域、以及用以載置聚焦環之第2區域。第2區域係以包圍第1區域的方式來設置。於平台形成有複數孔。複數孔係通過第1區域與第2區域之交界而在和載置面相交叉之方向上延伸著。複數銷分別設置於複數孔。複數銷個別具有第1上端面以及第2上端面。第2上端面相對於第1上端面係設置於上方，且相對於該第1上端面偏靠於第1區域側。驅動部係使得複數銷於該方向上進行上下移動。

    Abstract in simplified Chinese: 一实施形态之半导体制造设备系具备有平台、复数销、以及驱动部。平台包含有载置面。载置面具有用以载置被处理基体之第1区域、以及用以载置聚焦环之第2区域。第2区域系以包围第1区域的方式来设置。于平台形成有复数孔。复数孔系通过第1区域与第2区域之交界而在和载置面相交叉之方向上延伸着。复数销分别设置于复数孔。复数销个别具有第1上端面以及第2上端面。第2上端面相对于第1上端面系设置于上方，且相对于该第1上端面偏靠于第1区域侧。驱动部系使得复数销于该方向上进行上下移动。

    基板處理裝置及載置台
    6.
    发明专利
    基板處理裝置及載置台 审中-公开
    基板处理设备及载置台

    公开(公告)号：TW201438101A

    公开(公告)日：2014-10-01

    申请号：TW103101998

    申请日：2014-01-20

    Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    Inventor： 多賀敏 ,  TAGA, SATOSHI ,  小林義之 ,  KOBAYASHI, YOSHIYUKI

    IPC: H01L21/3065

    Abstract: 本發明提供一種基板處理裝置及載置台，提高載置台的溫度回應性。該基板處理裝置具備：腔室；載置台，設置於該腔室內，載置基板；高頻電源，施加高頻電力；以及氣體供給源，對該腔室內供給期望之氣體；其特徵為：該載置台具有：第1陶瓷基材，形成有冷媒流通之流路；第1導電層，形成於載置該第1陶瓷基材之基板的一側之主面及側面；以及靜電吸盤，堆疊於該第1導電層上，靜電吸附所載置的基板；該流路之體積，為該第1陶瓷基材之體積以上；藉由施加在該第1導電層之高頻電力而自該期望之氣體產生電漿，以該電漿將該載置之基板加以電漿處理。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种基板处理设备及载置台，提高载置台的温度回应性。该基板处理设备具备：腔室；载置台，设置于该腔室内，载置基板；高频电源，施加高频电力；以及气体供给源，对该腔室内供给期望之气体；其特征为：该载置台具有：第1陶瓷基材，形成有冷媒流通之流路；第1导电层，形成于载置该第1陶瓷基材之基板的一侧之主面及侧面；以及静电吸盘，堆栈于该第1导电层上，静电吸附所载置的基板；该流路之体积，为该第1陶瓷基材之体积以上；借由施加在该第1导电层之高频电力而自该期望之气体产生等离子，以该等离子将该载置之基板加以等离子处理。

    環狀構件及其製造方法
    8.
    发明专利
    環狀構件及其製造方法 审中-公开
    环状构件及其制造方法

    公开(公告)号：TW201034112A

    公开(公告)日：2010-09-16

    申请号：TW098137598

    申请日：2009-11-05

    Applicant: 東京威力科創股份有限公司

    Inventor： 北島次雄 ,  小林義之

    IPC: H01L

    CPC classification number: C30B35/00 ,  B23P15/00 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32642 ,  Y10T29/49826

    Abstract: 課題：提供可以抑制因電漿產生之消耗及生產性惡化之環狀構件。解決手段：為一種在對晶圓（W）施予電漿蝕刻處理之基板處理裝置（10）中被收容在在內部產生電漿之反應室（17）的聚焦環（24），由配設在圓周方向之4個單晶矽之圓弧狀構件（24a～24d）所構成，在各圓弧狀構件（24a～24d）之上面（24a1～24d1）或外側面（24a2～24d2），不出現容易消耗之單晶矽之結晶面，例如米勒指數（Miller indices）為{100}之結晶面。

    Abstract in simplified Chinese: 课题：提供可以抑制因等离子产生之消耗及生产性恶化之环状构件。解决手段：为一种在对晶圆（W）施予等离子蚀刻处理之基板处理设备（10）中被收容在在内部产生等离子之反应室（17）的聚焦环（24），由配设在圆周方向之4个单晶硅之圆弧状构件（24a～24d）所构成，在各圆弧状构件（24a～24d）之上面（24a1～24d1）或外侧面（24a2～24d2），不出现容易消耗之单晶硅之结晶面，例如米勒指数（Miller indices）为{100}之结晶面。

    電漿熔射頭、電漿熔射裝置及電漿熔射方法
    9.
    发明专利
    電漿熔射頭、電漿熔射裝置及電漿熔射方法 审中-公开
    等离子熔射头、等离子熔射设备及等离子熔射方法

    公开(公告)号：TW201904355A

    公开(公告)日：2019-01-16

    申请号：TW107118257

    申请日：2018-05-29

    Applicant: 日商東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    Inventor： 小林義之 ,  KOBAYASHI, YOSHIYUKI

    IPC: H05H1/02 ,  H05H1/26 ,  H05H1/42

    Abstract: 本發明提供一種能夠將複數個熔射槍之間隔配置為較窄之電漿熔射頭。 一實施形態之電漿熔射頭係利用電漿使熔射材料之粉末熔融，藉由已熔融之粉末於被對象物上成膜者，且具有：熔射槍，其包含噴嘴及電漿產生部，該噴嘴係利用電漿產生氣體運送上述熔射材料之粉末，並將該粉末自前端部之開口噴射，該電漿產生部係藉由直流電源輸出之電力將上述噴嘴所噴射之上述電漿產生氣體分解，產生軸芯與上述噴嘴共通之電漿；以及本體部，其將複數個上述熔射槍一體支持，且於內部包含供冷媒流經之冷媒流路。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种能够将复数个熔射枪之间隔配置为较窄之等离子熔射头。 一实施形态之等离子熔射头系利用等离子使熔射材料之粉末熔融，借由已熔融之粉末于被对象物上成膜者，且具有：熔射枪，其包含喷嘴及等离子产生部，该喷嘴系利用等离子产生气体运送上述熔射材料之粉末，并将该粉末自前端部之开口喷射，该等离子产生部系借由直流电源输出之电力将上述喷嘴所喷射之上述等离子产生气体分解，产生轴芯与上述喷嘴共通之等离子；以及本体部，其将复数个上述熔射枪一体支持，且于内部包含供冷媒流经之冷媒流路。

Patent Agency Ranking