公开(公告)号：TW201715657A

公开(公告)日：2017-05-01

申请号：TW105130107

申请日：2016-09-19

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 泰伯利 坎達巴拉 N ,  TAPILY, KANDABARA N. ,  克拉克 羅伯特 D ,  CLARK, ROBERT D. ,  康席格理歐 史帝芬 P ,  CONSIGLIO, STEVEN P. ,  瓦伊達 科瑞 ,  WAJDA, CORY ,  盧森克 赫里特 J ,  LEUSINK, GERRIT J.

IPC: H01L21/8256 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/28255 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0234 ,  H01L29/161 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 描述含鍺半導體元件及用以形成含鍺半導體元件的方法。方法包括提供含鍺基板、在含鍺基板上沉積含鋁擴散阻障層、在含鋁擴散阻障層上沉積高k層、及使高k層暴露至原子氧以減少高k層之等效氧化物厚度(equivalent oxide thickness, EOT)，而避免氧化含鍺基板。含鍺半導體元件包括含鍺基板、含鍺基板上之含鋁擴散阻障層、及含鋁擴散阻障層上之高k層，其中高k層已暴露至原子氧以減少高k層之EOT，同時避免氧化含鍺基板。

Abstract in simplified Chinese: 描述含锗半导体组件及用以形成含锗半导体组件的方法。方法包括提供含锗基板、在含锗基板上沉积含铝扩散阻障层、在含铝扩散阻障层上沉积高k层、及使高k层暴露至原子氧以减少高k层之等效氧化物厚度(equivalent oxide thickness, EOT)，而避免氧化含锗基板。含锗半导体组件包括含锗基板、含锗基板上之含铝扩散阻障层、及含铝扩散阻障层上之高k层，其中高k层已暴露至原子氧以减少高k层之EOT，同时避免氧化含锗基板。

公开(公告)号：TWI621218B

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：TW105130107

申请日：2016-09-19

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 泰伯利 坎達巴拉 N ,  TAPILY, KANDABARA N. ,  克拉克 羅伯特 D ,  CLARK, ROBERT D. ,  康席格理歐 史帝芬 P ,  CONSIGLIO, STEVEN P. ,  瓦伊達 科瑞 ,  WAJDA, CORY ,  盧森克 赫里特 J ,  LEUSINK, GERRIT J.

IPC: H01L21/8256 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/28255 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0234 ,  H01L29/161 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

公开(公告)号：TW201639008A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW105106230

申请日：2016-03-02

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 康席格理歐 史帝芬 P ,  CONSIGLIO, STEVEN P. ,  克拉克 羅伯特 D ,  CLARK, ROBERT D. ,  歐米拉 大衛 L ,  O'MEARA, DAVID L.

IPC: H01L21/225

CPC classification number: H01L21/2256 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/2254 ,  H01L29/66803

Abstract: 提供一種在半導體裝置中形成超淺硼摻雜區域的方法。該方法包含：在基板上沉積擴散過濾層，該擴散過濾層包含氮化硼層、氮氧化硼層、氮化矽層、或氮氧化矽層；以及在該擴散過濾層上沉積硼摻質層，該硼摻質層含有氧化硼、氮氧化硼、或其組合，且需以擴散過濾層及硼摻質層不包含同一材料為條件。該方法更包含對該基板進行熱處理，從而藉由硼從該硼摻質層透過該擴散過濾層並進入該基板的受控擴散在該基板中形成該超淺硼摻雜區域。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种在半导体设备中形成超浅硼掺杂区域的方法。该方法包含：在基板上沉积扩散过滤层，该扩散过滤层包含氮化硼层、氮氧化硼层、氮化硅层、或氮氧化硅层；以及在该扩散过滤层上沉积硼掺质层，该硼掺质层含有氧化硼、氮氧化硼、或其组合，且需以扩散过滤层及硼掺质层不包含同一材料为条件。该方法更包含对该基板进行热处理，从而借由硼从该硼掺质层透过该扩散过滤层并进入该基板的受控扩散在该基板中形成该超浅硼掺杂区域。