公开(公告)号：TWI590329B

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW104106451

申请日：2015-03-02

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 泰伯利 坎達巴拉N ,  TAPILY, KANDABARA N. ,  克拉克 羅伯特D ,  CLARK, ROBERT D.

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/02315 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

公开(公告)号：TW201714216A

公开(公告)日：2017-04-16

申请号：TW105127886

申请日：2012-11-02

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 布萊恩 露絲A ,  BRAIN, RUTH A.

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L29/92

CPC分类号： H01L28/60 ,  G06F1/184 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10885 ,  H01L28/40 ,  H01L28/90 ,  H01L28/91 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 用於積體電路(IC)裝置的電容器結構被提供。電容器包括鄰近的緻密或高度緻密的蝕刻終止層。舉例來說，該緻密或高度緻密的蝕刻終止層是一種高介電常數(high-k)的材料。舉例來說，電容器是金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器，並且其於動態隨機存取記憶體(DRAM)和嵌入式動態隨機存取記憶體(eDRAM)的結構是有用的。

简体摘要： 用于集成电路(IC)设备的电容器结构被提供。电容器包括邻近的致密或高度致密的蚀刻终止层。举例来说，该致密或高度致密的蚀刻终止层是一种高介电常数(high-k)的材料。举例来说，电容器是金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，并且其于动态随机存取内存(DRAM)和嵌入式动态随机存取内存(eDRAM)的结构是有用的。

公开(公告)号：TWI541983B

公开(公告)日：2016-07-11

申请号：TW103139342

申请日：2014-11-13

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 木拉爾 喬漢尼斯 ,  MUELLER, JOHANNES ,  崔尤索 迪那H ,  TRIYOSO, DINA H. ,  彼德爾 羅伯特 ,  BINDER, ROBERT ,  莫特爾 喬齊 ,  METZGER, JOACHIM ,  波拉寇史基 派崔克 ,  POLAKOWSKI, PATRICK

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L29/516 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/3105 ,  H01L27/11507 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391

公开(公告)号：TW201539525A

公开(公告)日：2015-10-16

申请号：TW103141656

申请日：2014-12-01

申请人： 艾思強公司 ,  AIXTRON SE

发明人： 宋 康 ,  SONG, KANG ,  李明航 ,  LI, MINGHANG ,  呂 光泉 ,  LU, BRIAN

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/28194 ,  C23C16/402 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： 本發明提供一種複合介電結構，其具有與一或多個層壓介電層(LDL)、合金介電層(ADL)或共沈積介電層(CDL)交錯之一或多個洩漏阻擋層(LBL)。每一LDL、ADL及CDL包括併入於各別基底介電層(BDL)中之摻雜劑；其中LDL係藉由使用層壓方法將摻雜層併入至BDL中而形成，ADL係藉由使用合金化方法將摻雜劑併入至BDL中而形成；且CDL係藉由使用共沈積方法使BDL基底材料及摻雜劑一起脈衝輸送而形成。

简体摘要： 本发明提供一种复合介电结构，其具有与一或多个层压介电层(LDL)、合金介电层(ADL)或共沉积介电层(CDL)交错之一或多个泄漏阻挡层(LBL)。每一LDL、ADL及CDL包括并入于各别基底介电层(BDL)中之掺杂剂；其中LDL系借由使用层压方法将掺杂层并入至BDL中而形成，ADL系借由使用合金化方法将掺杂剂并入至BDL中而形成；且CDL系借由使用共沉积方法使BDL基底材料及掺杂剂一起脉冲输送而形成。

公开(公告)号：TW201521202A

公开(公告)日：2015-06-01

申请号：TW103127921

申请日：2014-08-14

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 史肯克 理查 ,  SCHENKER, RICHARD E. ,  譚 伊利耶特 ,  TAN, ELLIOT N.

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一種裝置，包含：電路基板；在基板上於第一平面中的第一互連層及在基板上於不同的第二平面中的第二互連層；以及硬遮罩層分離第一互連層及第二互連層，其中，硬遮罩層包含交替導引部分，各交替導引部分包含不同的硬遮罩材料，以及通孔導引。一種方法，包含：形成介電層在積體電路結構上；形成具有互連線的第一互連層於介電層中；形成硬遮罩層在介電層的表面上，硬遮罩層包含交替硬遮罩材料，其形成導引部分在互連線上；形成通孔導引於導引部分之一中；以及形成第二互連層在硬遮罩導引層上，其經由通孔導引電連接至互連線的之一。

简体摘要： 一种设备，包含：电路基板；在基板上于第一平面中的第一互连层及在基板上于不同的第二平面中的第二互连层；以及硬遮罩层分离第一互连层及第二互连层，其中，硬遮罩层包含交替导引部分，各交替导引部分包含不同的硬遮罩材料，以及通孔导引。一种方法，包含：形成介电层在集成电路结构上；形成具有互连接的第一互连层于介电层中；形成硬遮罩层在介电层的表面上，硬遮罩层包含交替硬遮罩材料，其形成导引部分在互连接上；形成通孔导引于导引部分之一中；以及形成第二互连层在硬遮罩导引层上，其经由通孔导引电连接至互连接的之一。

公开(公告)号：TWI458017B

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：TW100112381

申请日：2011-04-11

申请人： 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI-KOKUSAI ELECTRIC INC.

发明人： 廣瀨義朗 ,  HIROSE, YOSHIRO ,  高澤裕真 ,  TAKASAWA, YUSHIN ,  鎌倉司 ,  KAMAKURA, TSUKASA ,  中村吉延 ,  NAKAMURA, YOSHINOBU ,  笹島亮太 ,  SASAJIMA, RYOTA

IPC分类号： H01L21/314 ,  C23C16/30

CPC分类号： H01L21/67069 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67017

公开(公告)号：TW201436040A

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：TW102149207

申请日：2013-12-31

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 杜安群 ,  TU, AN CHUN ,  黃至鴻 ,  HWANG, CHIH HONG ,  呂宜憲 ,  LU, YI HSIEN ,  陳俊衡 ,  CHEN, CHUN HENG ,  李震謙 ,  LI, CHEN CHIEN ,  吳志仁 ,  WU, CHIH JEN ,  張廖貴術 ,  CHANG LIAO, KUEI SHU ,  黃振銘 ,  HUANG, CHEN MING

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/518

摘要： 本發明提供一種形成含氮氧化物層的方法，包含：(a)將一基材暴露於一第一氣體脈衝，其中該第一氣體脈衝具有一含氧之氣體以及一含金屬之氣體其中之一者；(b)將該基材暴露於一第二氣體脈衝以形一氧化層於該基材之上，其中該第二氣體脈衝具有該含氧之氣體以及該含金屬之氣體其中另一者；以及，(c)將該氧化層暴露於一第三氣體脈衝，其中該第三氣體脈衝具有一含氮之電漿以形成一含氮之氧化物層，其中該含氮之氧化物層具有一氮原子濃度介於約0.1-3原子百分比(atom%)。

简体摘要： 本发明提供一种形成含氮氧化物层的方法，包含：(a)将一基材暴露于一第一气体脉冲，其中该第一气体脉冲具有一含氧之气体以及一含金属之气体其中之一者；(b)将该基材暴露于一第二气体脉冲以形一氧化层于该基材之上，其中该第二气体脉冲具有该含氧之气体以及该含金属之气体其中另一者；以及，(c)将该氧化层暴露于一第三气体脉冲，其中该第三气体脉冲具有一含氮之等离子以形成一含氮之氧化物层，其中该含氮之氧化物层具有一氮原子浓度介于约0.1-3原子百分比(atom%)。

公开(公告)号：TWI440091B

公开(公告)日：2014-06-01

申请号：TW099121420

申请日：2010-06-30

申请人： 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI-KOKUSAI ELECTRIC INC.

发明人： 小川有人 ,  OGAWA, ARITO ,  堀井貞義 ,  HORII, SADAYOSHI ,  佐藤武敏 ,  SATO, TAKETOSHI ,  板谷秀治 ,  ITATANI, HIDEHARU ,  三瀨信行 ,  MISE, NOBUYUKI ,  外村修 ,  TONOMURA, OSAMU

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/31616 ,  C23C16/303 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/318 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68785 ,  H01L28/40

公开(公告)号：TWI436426B

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：TW099139635

申请日：2010-11-18

申请人： 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI-KOKUSAI ELECTRIC INC.

发明人： 笹島亮太 ,  SASAJIMA, RYOTA ,  廣瀨義朗 ,  HIROSE, YOSHIRO ,  太田陽介 ,  OTA, YOSUKE ,  赤江尚德 ,  AKAE, NAONORI ,  橫澤光治郎 ,  YOKOZAWA, KOJIRO

IPC分类号： H01L21/316

CPC分类号： H01L21/0223 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/321

公开(公告)号：TW201349343A

公开(公告)日：2013-12-01

申请号：TW102112010

申请日：2013-04-03

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 秋山浩二 ,  AKIYAMA, KOJI ,  東島裕和 ,  HIGASHIJIMA, HIROKAZU ,  田村知大 ,  TAMURA, TIHIRO ,  青山真太郎 ,  AOYAMA, SHINTARO ,  和村有 ,  WAMURA, YU

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  C23C14/08

CPC分类号： H01L21/02356 ,  C23C16/06 ,  C23C16/405 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L28/40 ,  H01L29/401 ,  H01L29/517

摘要： 一種半導體元件之製造方法，包含有：於形成有源極．汲極及通道之被處理體上成膜出含有氧化鉿及氧化鋯之閘極絕緣膜的工序；將該絕緣膜以600℃以下之溫度來結晶化熱處理之工序；其中該結晶化熱處理後之該絕緣膜的比介電率為27以上。

简体摘要： 一种半导体组件之制造方法，包含有：于形成有源极．汲极及信道之被处理体上成膜出含有氧化铪及氧化锆之闸极绝缘膜的工序；将该绝缘膜以600℃以下之温度来结晶化热处理之工序；其中该结晶化热处理后之该绝缘膜的比介电率为27以上。