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公开(公告)号：TW201544629A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104103528
申请日：2015-02-03
Applicant: 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
Inventor： 尤凱鴻 , YU, KAI HUNG , 長谷川敏夫 , HASEGAWA, TOSHIO , 石坂忠大 , ISHIZAKA, TADAHIRO , 大家學 , OIE, MANABU , 天野文貴 , AMANO, FUMITAKA , 康席格理歐 史帝芬 , CONSIGLIO, STEVEN , 瓦伊達 科瑞 , WAJDA, CORY , 前川薰 , MAEKAWA, KAORU , 盧森克 赫特J , LEUSINK, GERT J.
CPC classification number: H01L21/76846 , C23C16/045 , C23C16/34 , H01L21/28562 , H01L21/76877 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在數個實施例中揭露用以將阻障層之原子層沉積法(ALD)與Ru襯墊之化學氣相沉積法(CVD)整合於半導體元件之窄凹陷特徵部之Cu填充的方法。依據一實施例，該方法包含:提供一含有凹陷特徵部之基板；藉由原子層沉積法(ALD)，在該凹陷特徵部中沉積一保形之阻障層，其中該阻障層含有TaN或TaAlN；藉由化學氣相沉積法(CVD)，在該阻障層上沉積一保形的Ru襯墊；以及以Cu金屬填充該凹陷特徵部。
Abstract in simplified Chinese: 在数个实施例中揭露用以将阻障层之原子层沉积法(ALD)与Ru衬垫之化学气相沉积法(CVD)集成于半导体组件之窄凹陷特征部之Cu填充的方法。依据一实施例，该方法包含:提供一含有凹陷特征部之基板；借由原子层沉积法(ALD)，在该凹陷特征部中沉积一保形之阻障层，其中该阻障层含有TaN或TaAlN；借由化学气相沉积法(CVD)，在该阻障层上沉积一保形的Ru衬垫；以及以Cu金属填充该凹陷特征部。
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公开(公告)号：TWI588874B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW099130527
申请日：2010-09-09
Applicant: 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
Inventor： 維爵 柯瑞 , WAJDA, CORY
IPC: H01L21/205 , C23C16/24 , C23C16/06 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/02148 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/31645
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公开(公告)号：TWI621218B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW105130107
申请日：2016-09-19
Applicant: 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
Inventor： 泰伯利 坎達巴拉 N , TAPILY, KANDABARA N. , 克拉克 羅伯特 D , CLARK, ROBERT D. , 康席格理歐 史帝芬 P , CONSIGLIO, STEVEN P. , 瓦伊達 科瑞 , WAJDA, CORY , 盧森克 赫里特 J , LEUSINK, GERRIT J.
IPC: H01L21/8256 , H01L21/283
CPC classification number: H01L21/28255 , H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/02323 , H01L21/0234 , H01L29/161 , H01L29/4966 , H01L29/517
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公开(公告)号：TWI621161B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW105117505
申请日：2016-06-03
Applicant: 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
Inventor： 尤凱鴻 , YU, KAI-HUNG , 盧森克 赫里特 J , LEUSINK, GERRIT J. , 瓦伊達 科瑞 , WAJDA, CORY , 石坂忠大 , ISHIZAKA, TADAHIRO , 袴田隆宏 , HAKAMATA, TAKAHIRO
IPC: H01L21/28 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , C23C16/16 , C23C16/455 , C23C16/46
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76876 , H01L21/76879 , H01L21/76882 , H01L23/53242
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公开(公告)号：TWI619831B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106105401
申请日：2017-02-18
Applicant: 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
Inventor： 尤凱鴻 , YU, KAI-HUNG , 盧森克 赫里特 J , LEUSINK, GERRIT J. , 瓦伊達 科瑞 , WAJDA, CORY , 石坂忠大 , ISHIZAKA, TADAHIRO , 袴田隆宏 , HAKAMATA, TAKAHIRO
IPC: C23C16/16 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/16 , C23C16/4408 , C23C16/4481 , C23C16/45523 , C23C16/45557
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201715657A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105130107
申请日：2016-09-19
Applicant: 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
Inventor： 泰伯利 坎達巴拉 N , TAPILY, KANDABARA N. , 克拉克 羅伯特 D , CLARK, ROBERT D. , 康席格理歐 史帝芬 P , CONSIGLIO, STEVEN P. , 瓦伊達 科瑞 , WAJDA, CORY , 盧森克 赫里特 J , LEUSINK, GERRIT J.
IPC: H01L21/8256 , H01L21/283
CPC classification number: H01L21/28255 , H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/02323 , H01L21/0234 , H01L29/161 , H01L29/4966 , H01L29/517
Abstract: 描述含鍺半導體元件及用以形成含鍺半導體元件的方法。方法包括提供含鍺基板、在含鍺基板上沉積含鋁擴散阻障層、在含鋁擴散阻障層上沉積高k層、及使高k層暴露至原子氧以減少高k層之等效氧化物厚度(equivalent oxide thickness, EOT)，而避免氧化含鍺基板。含鍺半導體元件包括含鍺基板、含鍺基板上之含鋁擴散阻障層、及含鋁擴散阻障層上之高k層，其中高k層已暴露至原子氧以減少高k層之EOT，同時避免氧化含鍺基板。
Abstract in simplified Chinese: 描述含锗半导体组件及用以形成含锗半导体组件的方法。方法包括提供含锗基板、在含锗基板上沉积含铝扩散阻障层、在含铝扩散阻障层上沉积高k层、及使高k层暴露至原子氧以减少高k层之等效氧化物厚度(equivalent oxide thickness, EOT)，而避免氧化含锗基板。含锗半导体组件包括含锗基板、含锗基板上之含铝扩散阻障层、及含铝扩散阻障层上之高k层，其中高k层已暴露至原子氧以减少高k层之EOT，同时避免氧化含锗基板。
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公开(公告)号：TWI611045B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW104103528
申请日：2015-02-03
Applicant: 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
Inventor： 尤凱鴻 , YU, KAI HUNG , 長谷川敏夫 , HASEGAWA, TOSHIO , 石坂忠大 , ISHIZAKA, TADAHIRO , 大家學 , OIE, MANABU , 天野文貴 , AMANO, FUMITAKA , 康席格理歐 史帝芬 , CONSIGLIO, STEVEN , 瓦伊達 科瑞 , WAJDA, CORY , 前川薰 , MAEKAWA, KAORU , 盧森克 赫特J , LEUSINK, GERT J.
CPC classification number: H01L21/76846 , C23C16/045 , C23C16/34 , H01L21/28562 , H01L21/76877 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201739946A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106105401
申请日：2017-02-18
Applicant: 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
Inventor： 尤凱鴻 , YU, KAI-HUNG , 盧森克 赫里特 J , LEUSINK, GERRIT J. , 瓦伊達 科瑞 , WAJDA, CORY , 石坂忠大 , ISHIZAKA, TADAHIRO , 袴田隆宏 , HAKAMATA, TAKAHIRO
IPC: C23C16/16 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/16 , C23C16/4408 , C23C16/4481 , C23C16/45523 , C23C16/45557
Abstract: 在數個實施方式之中描述用於材料沉積的方法。根據一實施方式，該方法包括：提供定義複數特徵部的基板，以接收材料沉積；開始將Ru羰基先驅物的流量流至基板，Ru羰基先驅物在所定義之特徵部內分解，使得Ru金屬膜沉積在所定義之特徵部的表面上，並釋放CO氣體；及停止流至基板之Ru羰基先驅物的流量。該方法更包括：在停止流至基板之Ru羰基先驅物的流量後，將額外CO氣體流至基板；及在將Ru羰基先驅物的流量流至基板的處理步驟與將額外CO氣體流至基板的處理步驟之間重複循環。在一實施方式中，Ru羰基先驅物包含Ru3(CO)12。
Abstract in simplified Chinese: 在数个实施方式之中描述用于材料沉积的方法。根据一实施方式，该方法包括：提供定义复数特征部的基板，以接收材料沉积；开始将Ru羰基先驱物的流量流至基板，Ru羰基先驱物在所定义之特征部内分解，使得Ru金属膜沉积在所定义之特征部的表面上，并释放CO气体；及停止流至基板之Ru羰基先驱物的流量。该方法更包括：在停止流至基板之Ru羰基先驱物的流量后，将额外CO气体流至基板；及在将Ru羰基先驱物的流量流至基板的处理步骤与将额外CO气体流至基板的处理步骤之间重复循环。在一实施方式中，Ru羰基先驱物包含Ru3(CO)12。
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公开(公告)号：TW201709293A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105117505
申请日：2016-06-03
Applicant: 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
Inventor： 尤凱鴻 , YU, KAI-HUNG , 盧森克 赫里特 J , LEUSINK, GERRIT J. , 瓦伊達 科瑞 , WAJDA, CORY , 石坂忠大 , ISHIZAKA, TADAHIRO , 袴田隆宏 , HAKAMATA, TAKAHIRO
IPC: H01L21/28 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , C23C16/16 , C23C16/455 , C23C16/46
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76876 , H01L21/76879 , H01L21/76882 , H01L23/53242
Abstract: 提供至少部分填補基板中之特徵部的方法。方法包含提供含有特徵部的基板；沉積釕(Ru)金屬層以至少部分填補特徵部；並且熱處理基板以使特徵部中的Ru金屬層回流。
Abstract in simplified Chinese: 提供至少部分填补基板中之特征部的方法。方法包含提供含有特征部的基板；沉积钌(Ru)金属层以至少部分填补特征部；并且热处理基板以使特征部中的Ru金属层回流。
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公开(公告)号：TWI445111B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW100108176
申请日：2011-03-10
Applicant: 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
Inventor： 康席格理歐 史帝芬P , CONSIGLIO, STEVEN P. , 維爵 柯瑞 , WAJDA, CORY , 克拉克 羅伯特D , CLARK, ROBERT D.
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/0641 , C23C14/0676 , C23C14/564 , C23C16/4405 , C23C16/4407 , C23C16/52
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