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    晶片之製造方法及矽晶片
    5.
    发明专利
    晶片之製造方法及矽晶片 审中-公开
    芯片之制造方法及硅芯片

    公开(公告)号：TW201903863A

    公开(公告)日：2019-01-16

    申请号：TW107106506

    申请日：2018-02-27

    申请人： 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 ,  HAMAMATSU PHOTONICS K.K.

    发明人： 田口智也 ,  TAGUCHI, TOMOYA ,  坂本剛志 ,  SAKAMOTO, TAKESHI

    IPC分类号： H01L21/301 ,  B23K26/53

    摘要： 一種晶片之製造方法，係具備第1步驟~第6步驟，第1步驟，是對包含複數個功能元件之基板設定第1切斷預定線及第2切斷預定線；第2步驟，是以覆蓋前述功能元件且讓包含前述第1切斷預定線和前述第2切斷預定線的交叉點之交叉區域露出的方式在前述基板形成遮罩；第3步驟，是使用前述遮罩將前述基板蝕刻，藉此從前述基板將前述交叉區域除去而形成貫通孔；第4步驟，是沿著前述第1切斷預定線在前述基板形成改質區域；第5步驟，是沿著前述第2切斷預定線在前述基板形成改質區域；第6步驟，是沿著前述第1切斷預定線及前述第2切斷預定線將前述基板切斷而形成晶片。

    简体摘要： 一种芯片之制造方法，系具备第1步骤~第6步骤，第1步骤，是对包含复数个功能组件之基板设置第1切断预定线及第2切断预定线；第2步骤，是以覆盖前述功能组件且让包含前述第1切断预定线和前述第2切断预定线的交叉点之交叉区域露出的方式在前述基板形成遮罩；第3步骤，是使用前述遮罩将前述基板蚀刻，借此从前述基板将前述交叉区域除去而形成贯通孔；第4步骤，是沿着前述第1切断预定线在前述基板形成改质区域；第5步骤，是沿着前述第2切断预定线在前述基板形成改质区域；第6步骤，是沿着前述第1切断预定线及前述第2切断预定线将前述基板切断而形成芯片。

    加工對象物切斷方法
    6.
    发明专利
    加工對象物切斷方法 审中-公开
    加工对象物切断方法

    公开(公告)号：TW201842561A

    公开(公告)日：2018-12-01

    申请号：TW107113003

    申请日：2018-04-17

    申请人： 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 ,  HAMAMATSU PHOTONICS K.K.

    发明人： 坂本剛志 ,  SAKAMOTO, TAKESHI ,  荻原孝文 ,  OGIWARA, TAKAFUMI ,  田口智也 ,  TAGUCHI, TOMOYA

    IPC分类号： H01L21/301 ,  B23K26/38

    摘要： 加工對象物切斷方法，具備：第1步驟，其準備加工對象物，該加工對象物具有單結晶矽基板、設在第1主面側的功能元件層；第2步驟，其對加工對象物照射雷射光，藉此沿著複數條切斷預定線的各個，在單結晶矽基板的內部，形成至少1列的改質區域，並沿著複數條切斷預定線的各個，在加工對象物以遍及至少1列的改質區域與加工對象物的第2主面之間的方式來形成龜裂；以及第3步驟，其從第2主面側對加工對象物施以乾蝕刻，藉此沿著複數條切斷預定線的各個，在加工對象物形成往第2主面開口的溝。在第3步驟中，是在沿著複數條切斷預定線的各個形成有氣體通過區域的蝕刻保護層形成在第2主面的狀態下，使用二氟化氙氣，來從第2主面側施以乾蝕刻。

    简体摘要： 加工对象物切断方法，具备：第1步骤，其准备加工对象物，该加工对象物具有单结晶硅基板、设在第1主面侧的功能组件层；第2步骤，其对加工对象物照射激光光，借此沿着复数条切断预定线的各个，在单结晶硅基板的内部，形成至少1列的改质区域，并沿着复数条切断预定线的各个，在加工对象物以遍及至少1列的改质区域与加工对象物的第2主面之间的方式来形成龟裂；以及第3步骤，其从第2主面侧对加工对象物施以干蚀刻，借此沿着复数条切断预定线的各个，在加工对象物形成往第2主面开口的沟。在第3步骤中，是在沿着复数条切断预定线的各个形成有气体通过区域的蚀刻保护层形成在第2主面的状态下，使用二氟化氙气，来从第2主面侧施以干蚀刻。

    加工對象物切斷方法
    9.
    发明专利
    加工對象物切斷方法 审中-公开
    加工对象物切断方法

    公开(公告)号：TW201843729A

    公开(公告)日：2018-12-16

    申请号：TW107113001

    申请日：2018-04-17

    申请人： 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 ,  HAMAMATSU PHOTONICS K.K.

    发明人： 坂本剛志 ,  SAKAMOTO, TAKESHI ,  田口智也 ,  TAGUCHI, TOMOYA

    IPC分类号： H01L21/304 ,  B23K26/38

    摘要： 加工對象物切斷方法，係具備有：第1步驟，其係準備具有單結晶矽基板和設在第1主面側的功能元件層之加工對象物，在加工對象物的第2主面形成蝕刻保護層；第2步驟，其係藉由對加工對象物照射雷射光，分別沿著複數個切斷預定線，在單結晶矽基板的內部形成至少一列的改質區域，並分別沿著複數個切斷預定線，以跨越至少1列的蝕刻保護層與蝕刻保護層的表面之間的方式，在加工對象物形成龜裂；及第3步驟，其係藉由在蝕刻保護層已經形成於保護層的狀態下，從第2主面側對加工對象物實施乾式蝕刻，分別沿著切斷預定線，在加工對象物，形成朝第2主面開口之溝。

    简体摘要： 加工对象物切断方法，系具备有：第1步骤，其系准备具有单结晶硅基板和设在第1主面侧的功能组件层之加工对象物，在加工对象物的第2主面形成蚀刻保护层；第2步骤，其系借由对加工对象物照射激光光，分别沿着复数个切断预定线，在单结晶硅基板的内部形成至少一列的改质区域，并分别沿着复数个切断预定线，以跨越至少1列的蚀刻保护层与蚀刻保护层的表面之间的方式，在加工对象物形成龟裂；及第3步骤，其系借由在蚀刻保护层已经形成于保护层的状态下，从第2主面侧对加工对象物实施干式蚀刻，分别沿着切断预定线，在加工对象物，形成朝第2主面开口之沟。