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公开(公告)号：TWI614847B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW104118155
申请日：2015-06-04
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 葛尼森 桑卡 , GANESAN, SANKA , 奇亞戴 巴森 , ZIADEH, BASSAM , 尼姆卡 尼特西 , NIMKAR, NITESH
IPC分类号： H01L23/28 , H01L21/768 , H01L23/50
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/293 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/03 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/02372 , H01L2224/0381 , H01L2224/08225 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/27 , H01L2224/28105 , H01L2224/29006 , H01L2224/2919 , H01L2224/32058 , H01L2224/32105 , H01L2224/32145 , H01L2224/3301 , H01L2224/33106 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/80903 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/83102 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/83855 , H01L2224/92 , H01L2224/9211 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00012 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/3512 , H01L2924/0665 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201606966A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104125674
申请日：2015-08-06
发明人： 藤井義磨郎 , FUJII, YOSHIMARO , 小栗洋 , OGURI, HIROSHI , 坂本明 , SAKAMOTO, AKIRA , 田口智也 , TAGUCHI, TOMOYA
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/492
CPC分类号： H01L24/73 , H01L23/12 , H01L23/15 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L31/02002 , H01L31/0203 , H01L31/02161 , H01L31/022408 , H01L31/103 , H01L2224/0347 , H01L2224/04026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05171 , H01L2224/05644 , H01L2224/05669 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/26145 , H01L2224/26175 , H01L2224/2747 , H01L2224/28105 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/29018 , H01L2224/29083 , H01L2224/291 , H01L2224/29144 , H01L2224/29166 , H01L2224/29169 , H01L2224/29171 , H01L2224/32225 , H01L2224/73103 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83365 , H01L2224/83385 , H01L2224/83444 , H01L2224/83469 , H01L2224/83815 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014
摘要： 本發明之電子零件1A包含基板10、複數層導電性金屬材料層21、22、23之積層體20、及包含Au-Sn合金焊料之焊料層30。積層體20配置於基材10上。焊料層30配置於積層體20上。積層體20具有包含Au之表面層，作為構成最外層之導電性金屬材料層23。表面層包含供配置焊料層30之焊料層配置區域23a、及不配置焊料層30之焊料層非配置區域23b。焊料層配置區域23a與焊料層非配置區域23h係空間性隔開。
简体摘要： 本发明之电子零件1A包含基板10、复数层导电性金属材料层21、22、23之积层体20、及包含Au-Sn合金焊料之焊料层30。积层体20配置于基材10上。焊料层30配置于积层体20上。积层体20具有包含Au之表面层，作为构成最外层之导电性金属材料层23。表面层包含供配置焊料层30之焊料层配置区域23a、及不配置焊料层30之焊料层非配置区域23b。焊料层配置区域23a与焊料层非配置区域23h系空间性隔开。
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公开(公告)号：TW201606955A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104118155
申请日：2015-06-04
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 葛尼森 桑卡 , GANESAN, SANKA , 奇亞戴 巴森 , ZIADEH, BASSAM , 尼姆卡 尼特西 , NIMKAR, NITESH
IPC分类号： H01L23/28 , H01L21/768 , H01L23/50
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/293 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/03 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/02372 , H01L2224/0381 , H01L2224/08225 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/27 , H01L2224/28105 , H01L2224/29006 , H01L2224/2919 , H01L2224/32058 , H01L2224/32105 , H01L2224/32145 , H01L2224/3301 , H01L2224/33106 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/80903 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/83102 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/83855 , H01L2224/92 , H01L2224/9211 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00012 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/3512 , H01L2924/0665 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
摘要： 本發明之實施例描述積體電路(IC)總成之可攀登之封裝體架構與相關聯技術及組態。在一個實施例中，一積體電路(IC)總成包括：一封裝體基體，其具有一第一側面及與該第一側面對置安置之一第二側面；一第一晶粒，其具有與該封裝體基體之該第一側面耦接之一作用側面及與該作用側面對置安置之一非作用側面，該第一晶粒具有經組配以在該第一晶粒與一第二晶粒之間路由電信號之一或多個矽穿孔(TSV)；以及一模複合物，其安置於該封裝體基體之該第一側面上，其中該模複合物與該第一晶粒的在該作用側面與該非作用側面之間之一側壁直接接觸且其中該第一側面與該模複合物的離該第一側面最遠之一終止邊緣之間的一距離等於或小於該第一晶粒之該非作用側面與該第一側面之間的一距離。可描述及/或主張其他實施例。
简体摘要： 本发明之实施例描述集成电路(IC)总成之可攀登之封装体架构与相关联技术及组态。在一个实施例中，一集成电路(IC)总成包括：一封装体基体，其具有一第一侧面及与该第一侧面对置安置之一第二侧面；一第一晶粒，其具有与该封装体基体之该第一侧面耦接之一作用侧面及与该作用侧面对置安置之一非作用侧面，该第一晶粒具有经组配以在该第一晶粒与一第二晶粒之间路由电信号之一或多个硅穿孔(TSV)；以及一模复合物，其安置于该封装体基体之该第一侧面上，其中该模复合物与该第一晶粒的在该作用侧面与该非作用侧面之间之一侧壁直接接触且其中该第一侧面与该模复合物的离该第一侧面最远之一终止边缘之间的一距离等于或小于该第一晶粒之该非作用侧面与该第一侧面之间的一距离。可描述及/或主张其他实施例。
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