公开(公告)号：TWI593129B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：TW105112917

申请日：2016-04-26

Applicant: 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

Inventor： 艾利斯 蒙納翰 約翰J ,  ELLIS-MONAGHAN, JOHN J. ,  霍爾 約翰C S ,  HALL, JOHN C. S. ,  卡特 瑪萬H ,  KHATER, MARWAN H. ,  奇洛 艾德華W ,  KIEWRA, EDWARD W. ,  宣克 史蒂芬M ,  SHANK, STEVEN M.

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1808 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14629 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/028 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1872

公开(公告)号：TW201717373A

公开(公告)日：2017-05-16

申请号：TW105123489

申请日：2016-07-25

Applicant: 光澄科技股份有限公司 ,  ARTILUX INC.

Inventor： 鄭斯璘 ,  CHENG, SZU-LIN ,  劉漢鼎 ,  LIU, HAN-DIN ,  陳書履 ,  CHEN, SHU-LU ,  那允中 ,  NA, YUN-CHUNG ,  陳慧文 ,  CHEN, HUI-WEN

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/1812 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0549 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 本發明介紹的結構和技術能使用典型的半導體裝置製造技術以設計和製造光偵測器和/或其他電子電路，並減少對光偵測器性能的不利影響。本發明介紹的各種結構和技術的範例包括但不限於前置光偵測器同質晶圓接合技術、前置光偵測器異質晶圓接合技術、包括反射鏡之光偵測器結構、後置光偵測器晶圓接合技術及其組合。本發明以前述結構和技術，可使用典型的直接成長材料磊晶技術來實現光偵測器，同時減少由晶格差配而在材料介面處產生的缺陷層所產生的不利影響。

Abstract in simplified Chinese: 本发明介绍的结构和技术能使用典型的半导体设备制造技术以设计和制造光侦测器和/或其他电子电路，并减少对光侦测器性能的不利影响。本发明介绍的各种结构和技术的范例包括但不限于前置光侦测器同质晶圆接合技术、前置光侦测器异质晶圆接合技术、包括反射镜之光侦测器结构、后置光侦测器晶圆接合技术及其组合。本发明以前述结构和技术，可使用典型的直接成长材料磊晶技术来实现光侦测器，同时减少由晶格差配而在材料界面处产生的缺陷层所产生的不利影响。

公开(公告)号：TW201631626A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW104138944

申请日：2015-11-24

Applicant: 光澄科技股份有限公司 ,  ARTILUX, INC.

Inventor： 鄭斯璘 ,  CHENG, SZU LIN ,  陳書履 ,  CHEN, SHU LU

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L29/78 ,  H01L23/535 ,  H01L27/14 ,  H01L21/8234 ,  H01L31/18 ,  H01L31/028 ,  H01L31/105

CPC classification number: H01L31/02019 ,  H01L21/70 ,  H01L21/77 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53271 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/78 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/1876

Abstract: 本文中所介紹的各項技術的範例包含，但是並不受限於在淺溝槽隔離構形期間的突丘高度調整方式、電晶體通道優先方式、以及多吸收層方式。如下面的進一步說明，本文中所介紹的技術包含能夠獨自及/或共同解決或減輕和在相同基板上製造PD以及電晶體有關的一或更多項傳統限制(例如，本文中所討論的可靠度問題、效能問題、以及製程溫度問題)的各式各樣觀點。

Abstract in simplified Chinese: 本文中所介绍的各项技术的范例包含，但是并不受限于在浅沟槽隔离构形期间的突丘高度调整方式、晶体管信道优先方式、以及多吸收层方式。如下面的进一步说明，本文中所介绍的技术包含能够独自及/或共同解决或减轻和在相同基板上制造PD以及晶体管有关的一或更多项传统限制(例如，本文中所讨论的可靠度问题、性能问题、以及制程温度问题)的各式各样观点。

公开(公告)号：TWI495120B

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW100104200

申请日：2011-02-09

Applicant: 中美矽晶製品股份有限公司 ,  SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC. ,  陳敏璋 ,  CHEN, MIIN JANG

Inventor： 陳敏璋 ,  CHEN, MIIN JANG ,  陳欣銳 ,  CHEN, XIN RUI ,  徐文慶 ,  HSU, WEN CHING

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02161 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：TW201448252A

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：TW103111319

申请日：2014-03-26

Applicant: 克萊譚克公司 ,  KLA-TENCOR CORPORATION

Inventor： 莊勇何 ,  CHUANG, YUNG-HO ,  布朗 大衛L ,  BROWN, DAVID L. ,  費爾登 約翰 ,  FIELDEN, JOHN

IPC: H01L31/107 ,  G01N21/47 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01J40/06 ,  H01J43/08 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/103

Abstract: 本發明揭示一種光倍增管，其包含一半導體光電陰極及一光電二極體。特別地，該光電二極體包含：一p摻雜型半導體層；一n摻雜型半導體層，其形成於該p摻雜型半導體層之一第一表面上，以形成一二極體；及一純硼層，其形成於該p摻雜型半導體層之一第二表面上。在該半導體光電陰極與該光電二極體之間之一間隙可為小於約1毫米或小於約500微米。該半導體光電陰極可包含氮化鎵，例如一或多個p摻雜型氮化鎵層。在其他實施例中，該半導體光電陰極可包含矽。此半導體光電陰極可進一步包含在至少一個表面上之一純硼塗層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种光倍增管，其包含一半导体光电阴极及一光电二极管。特别地，该光电二极管包含：一p掺杂型半导体层；一n掺杂型半导体层，其形成于该p掺杂型半导体层之一第一表面上，以形成一二极管；及一纯硼层，其形成于该p掺杂型半导体层之一第二表面上。在该半导体光电阴极与该光电二极管之间之一间隙可为小于约1毫米或小于约500微米。该半导体光电阴极可包含氮化镓，例如一或多个p掺杂型氮化镓层。在其他实施例中，该半导体光电阴极可包含硅。此半导体光电阴极可进一步包含在至少一个表面上之一纯硼涂层。

公开(公告)号：TWI429065B

公开(公告)日：2014-03-01

申请号：TW099111477

申请日：2010-04-13

Applicant: 新力股份有限公司 ,  SONY CORPORATION

Inventor： 荻野明子 ,  OGINO, AKIKO ,  狹山征博 ,  SAYAMA, YUKIHIRO ,  勝谷隆之 ,  SHOYA, TAKAYUKI ,  下地誠也 ,  SHIMOJI, MASAYA ,  田中良和 ,  TANAKA, YOSHIKAZU

IPC: H01L27/14 ,  H04N5/335 ,  G02B1/11

CPC classification number: H04N5/2254 ,  G02B1/11 ,  G02B7/02 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0236 ,  H01L33/58

公开(公告)号：TW201240105A

公开(公告)日：2012-10-01

申请号：TW100101197

申请日：2011-01-13

Applicant: 陶氏全球科技公司

Inventor： 伊洛 保羅R ,  迪葛魯 馬提W

IPC: H01L

CPC classification number: H01L31/048 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03923 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本發明提供用於經由使用一附著性促進區域來改良一阻擋區域、一透明導電區域及/或一導電柵格之間的附著性之策略。該附著性促進區域為光學透射性的,且包含一金屬層、一金屬氮化物層、一金屬碳化物層或其一組合,且較佳地包含Cr、Ti、Ta及Zr或其一組合中之至少一者。此等策略特別適用於諸如硫族化物基太陽能電池之異質接面光伏打裝置之製造。附著性在某程度上得到改良,以使得柵格材料與介電阻擋材料可合作以在裝置上提供一氣密密封件以保護裝置免受由環境條件誘發之損壞,包括歸因於水侵入之損壞。該附著性促進區域亦充當對Na、Li及鑭系元素之遷移的一阻擋層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供用于经由使用一附着性促进区域来改良一阻挡区域、一透明导电区域及/或一导电栅格之间的附着性之策略。该附着性促进区域为光学透射性的,且包含一金属层、一金属氮化物层、一金属碳化物层或其一组合,且较佳地包含Cr、Ti、Ta及Zr或其一组合中之至少一者。此等策略特别适用于诸如硫族化物基太阳能电池之异质接面光伏打设备之制造。附着性在某程度上得到改良,以使得栅格材料与介电阻挡材料可合作以在设备上提供一气密密封件以保护设备免受由环境条件诱发之损坏,包括归因于水侵入之损坏。该附着性促进区域亦充当对Na、Li及镧系元素之迁移的一阻挡层。

公开(公告)号：TW201011069A

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：TW098119058

申请日：2009-06-08

Applicant: 信越化學工業股份有限公司

Inventor： 田口雄亮 ,  澤田純一

IPC: C08K ,  C08L

CPC classification number: C08L83/04 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08K3/013 ,  C08K3/22 ,  H01L31/02161 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/48091 ,  Y10T428/1352 ,  C08L2666/44 ,  C08L2666/54 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一種可熱固化之白色聚矽氧樹脂組成物，包含(A)可熱固化之有機聚矽氧烷、(B)白色顏料、(C)無機填料、及(D)縮合觸媒，此組成物能固化成具有耐熱性、耐光性、及最小程度黃化的白色均勻產物。固化過的組成物在波長350-400nm的反射率為至少80%。此組成物可用於形成光電子零件(典型者如LED)上的外殼。

Abstract in simplified Chinese: 一种可热固化之白色聚硅氧树脂组成物，包含(A)可热固化之有机聚硅氧烷、(B)白色颜料、(C)无机填料、及(D)缩合触媒，此组成物能固化成具有耐热性、耐光性、及最小程度黄化的白色均匀产物。固化过的组成物在波长350-400nm的反射率为至少80%。此组成物可用于形成光电子零件(典型者如LED)上的外壳。

公开(公告)号：TWI234291B

公开(公告)日：2005-06-11

申请号：TW092115228

申请日：2003-06-05

Applicant: 斐尼莎公司 FINISAR CORPORATION

Inventor： 詹姆士K. 古德 JAMES K. GUENTER ,  羅夫H. 强生 RALPH H. JOHNSON

IPC: H01L

CPC classification number: H01L31/101 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/02164

Abstract: 一種波長選擇偵測器，其具有一第一吸收層，用於吸收波長低於一下頻帶截止點之光、一第二吸收層，位於該第一吸收層之後，用於吸收波長低於一上頻帶截止點之光，以及一位於該第一、第二吸收層之間的限制層。該上下頻帶截止點可以藉由控制該第一、第二吸收層之能帶隙及/或厚度來設定。本發明之波長選擇偵測器具有良好之帶外抑制、窄光譜響應及高帶內響應。另外，該波長選擇偵測器可以較為容易地利用傳統的積體電路製造技術製造。

Abstract in simplified Chinese: 一种波长选择侦测器，其具有一第一吸收层，用于吸收波长低于一下频带截止点之光、一第二吸收层，位于该第一吸收层之后，用于吸收波长低于一上频带截止点之光，以及一位于该第一、第二吸收层之间的限制层。该上下频带截止点可以借由控制该第一、第二吸收层之能带隙及/或厚度来设置。本发明之波长选择侦测器具有良好之带外抑制、窄光谱响应及高带内响应。另外，该波长选择侦测器可以较为容易地利用传统的集成电路制造技术制造。

公开(公告)号：TW200511569A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：TW093122535

申请日：2004-07-28

Applicant: 濱松赫德尼古斯股份有限公司 HAMAMATSU PHOTONICS K.K.

Inventor： 柴山勝己 SHIBAYAMA, KATSUMI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L31/0203 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/02161 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/19107

Abstract: 本發明之課題在於提供一種背面入射型光檢測元件，能夠充分地縮小封裝，並且能夠抑制被檢測光的散亂。背面入射型發光二極體1具備：N型半導體基板10、P^＋型不純物半導體區域11、凹部12、被覆層13與窗板14。於N型半導體基板10上面S1側的表層中形成P^＋型不純物半導體區域11。於面向N型半導體基板10背面S2之P^＋型不純物半導體區域11的區域上，形成作為被檢測光之入射部的凹部12。另外，於N型半導體基板10之背面S2上設置表面實質上為平坦的被覆層13。再者，於被覆層13上設置窗板。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题在于提供一种背面入射型光检测组件，能够充分地缩小封装，并且能够抑制被检测光的散乱。背面入射型发光二极管1具备：N型半导体基板10、P^＋型不纯物半导体区域11、凹部12、被覆层13与窗板14。于N型半导体基板10上面S1侧的表层中形成P^＋型不纯物半导体区域11。于面向N型半导体基板10背面S2之P^＋型不纯物半导体区域11的区域上，形成作为被检测光之入射部的凹部12。另外，于N型半导体基板10之背面S2上设置表面实质上为平坦的被覆层13。再者，于被覆层13上设置窗板。