公开(公告)号：TWI647295B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：TW102135956

申请日：2013-10-04

申请人： 日商琳得科股份有限公司 ,  LINTEC CORPORATION

发明人： 高山佳 ,  TAKAYAMA, KEI ,  篠田智則 ,  SHINODA, TOMONORI ,  佐伯尙哉 ,  SAEKI, NAOYA ,  高野健 ,  TAKANO, KEN

IPC分类号： C09J7/20 ,  H01L21/304

公开(公告)号：TWI577563B

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：TW102118182

申请日：2013-05-23

申请人： 琳得科股份有限公司 ,  LINTEC CORPORATION

发明人： 佐伯尙哉 ,  SAIKI, NAOYA ,  山本大輔 ,  YAMAMOTO, DAISUKE ,  高野健 ,  TAKANO, KEN

IPC分类号： B32B7/06 ,  C09J7/02

CPC分类号： H01L23/295 ,  C09J7/243 ,  C09J7/385 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/544 ,  H01L24/27 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2924/3025

公开(公告)号：TWI542659B

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：TW103111371

申请日：2014-03-27

申请人： 琳得科股份有限公司 ,  LINTEC CORPORATION

发明人： 米山裕之 ,  YONEYAMA, HIROYUKI ,  佐伯尙哉 ,  SAIKI, NAOYA

IPC分类号： C09J7/02 ,  B32B27/06 ,  B32B7/02 ,  B32B7/04 ,  H01L21/301 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L23/00

CPC分类号： C09J7/243 ,  C09J7/0275 ,  C09J7/20 ,  C09J7/38 ,  C09J7/40 ,  C09J2201/606 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L23/552 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201621994A

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：TW104125936

申请日：2015-08-10

申请人： 琳得科股份有限公司 ,  LINTEC CORPORATION

发明人： 吾妻祐一郎 ,  AZUMA, YUICHIRO ,  佐伯尙哉 ,  SAIKI, NAOYA

IPC分类号： H01L21/301 ,  H01L21/683 ,  C09J7/02 ,  C08J3/20

CPC分类号： H01L21/52 ,  C09J7/20 ,  C09J11/06 ,  C09J201/00

摘要： 一種切割晶粒接合片，係於基材上具備含有染料之接著劑層，前述接著劑層的前述染料之含有量為8.3質量%以下，前述基材與前述接著劑層之間的L*a*b*色彩系統中的色差為30~53。

简体摘要： 一种切割晶粒接合片，系于基材上具备含有染料之接着剂层，前述接着剂层的前述染料之含有量为8.3质量%以下，前述基材与前述接着剂层之间的L*a*b*色彩系统中的色差为30~53。

公开(公告)号：TWI516530B

公开(公告)日：2016-01-11

申请号：TW103110834

申请日：2014-03-24

申请人： 琳得科股份有限公司 ,  LINTEC CORPORATION

发明人： 佐伯尙哉 ,  SAIKI, NAOYA ,  山本大輔 ,  YAMAMOTO, DAISUKE ,  高野健 ,  TAKANO, KEN

IPC分类号： C08J5/18 ,  H01L23/29 ,  C08L63/00 ,  H01L21/301

CPC分类号： C08J5/18 ,  B32B27/06 ,  B32B2457/14 ,  C08J2333/08 ,  C08J2463/02 ,  C08J2463/04 ,  C08J2463/10 ,  C08L63/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/295 ,  H01L23/31 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201542742A

公开(公告)日：2015-11-16

申请号：TW104108416

申请日：2015-03-17

申请人： 琳得科股份有限公司 ,  LINTEC CORPORATION

发明人： 吾妻祐一郎 ,  AZUMA, YUICHIRO ,  鈴木英明 ,  SUZUKI, HIDEAKI ,  佐伯尙哉 ,  SAIKI, NAOYA ,  佐川雄太 ,  SAGAWA, YUTA

IPC分类号： C09J201/00 ,  C09J7/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/301 ,  H01L21/52

CPC分类号： H01L24/29 ,  C09J7/38 ,  C09J133/06 ,  C09J133/12 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/114 ,  C09J2433/00 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/45099

摘要： 本發明提供一種黏晶(diebond)層形成用薄膜、附著有黏晶層形成薄膜之加工物及半導體裝置。本發明的黏晶層形成薄膜(1)，其包括用於將加工工件而得到之加工物固著於被黏物之接著劑層，其中，當測定接著劑層的儲存彈性模量的溫度依賴性時，在80℃至150℃的範圍內具有儲存彈性模量的極小值，經由黏晶層形成薄膜(1)在175℃下加熱1小時載置有加工物之剝離強度檢查基板上的黏晶層形成薄膜(1)之後，還在250℃的環境下保持30秒鐘之後所測定之、接著劑層相對於剝離強度檢查基板之剪切強度為20N/2mm□以上50N/2mm□以下。依該種黏晶層形成薄膜(1)，即使承受熱履歷，氣泡亦即孔隙亦難以在接著劑層與被黏物的邊界上成長，並且，包括打線接合適合性優異之接著劑層。

简体摘要： 本发明提供一种黏晶(diebond)层形成用薄膜、附着有黏晶层形成薄膜之加工物及半导体设备。本发明的黏晶层形成薄膜(1)，其包括用于将加工工件而得到之加工物固着于被黏物之接着剂层，其中，当测定接着剂层的存储弹性模量的温度依赖性时，在80℃至150℃的范围内具有存储弹性模量的极小值，经由黏晶层形成薄膜(1)在175℃下加热1小时载置有加工物之剥离强度检查基板上的黏晶层形成薄膜(1)之后，还在250℃的环境下保持30秒钟之后所测定之、接着剂层相对于剥离强度检查基板之剪切强度为20N/2mm□以上50N/2mm□以下。依该种黏晶层形成薄膜(1)，即使承受热履历，气泡亦即孔隙亦难以在接着剂层与被黏物的边界上成长，并且，包括打线接合适合性优异之接着剂层。

公开(公告)号：TWI672354B

公开(公告)日：2019-09-21

申请号：TW104127316

申请日：2015-08-21

申请人： 日商琳得科股份有限公司 ,  LINTEC CORPORATION

发明人： 山本大輔 ,  YAMAMOTO, DAISUKE ,  佐伯尙哉 ,  SAIKI, NAOYA ,  米山裕之 ,  YONEYAMA, HIROYUKI

IPC分类号： C09J7/20 ,  H01L21/301

公开(公告)号：TWI664667B

公开(公告)日：2019-07-01

申请号：TW104125936

申请日：2015-08-10

申请人： 日商琳得科股份有限公司 ,  LINTEC CORPORATION

发明人： 吾妻祐一郎 ,  AZUMA, YUICHIRO ,  佐伯尙哉 ,  SAIKI, NAOYA

IPC分类号： H01L21/301 ,  H01L21/683 ,  C09J7/20 ,  C08J3/20

公开(公告)号：TW201604260A

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：TW104116955

申请日：2015-05-27

申请人： 琳得科股份有限公司 ,  LINTEC CORPORATION

发明人： 佐伯尙哉 ,  SAIKI, NAOYA ,  山本大輔 ,  YAMAMOTO, DAISUKE ,  米山裕之 ,  YONEYAMA, HIROYUKI ,  稻男洋一 ,  INAO, YOUICHI

IPC分类号： C09J7/02 ,  H01L21/683

CPC分类号： C09J201/00 ,  C09J7/20

摘要： 本發明之切割片為切割片1，係包括：基材2；黏著劑層3，係積層於基材2之第1面側；以及剝離片6，係積層於黏著劑層3之與基材2相反之面側；基材2之第2面之算術平均粗度(Ra1)為0.2μm以上，將切割片1以130℃加熱2小時後，基材2之第2面之算術平均粗度(Ra2)為0.25μm以下。

简体摘要： 本发明之切割片为切割片1，系包括：基材2；黏着剂层3，系积层于基材2之第1面侧；以及剥离片6，系积层于黏着剂层3之与基材2相反之面侧；基材2之第2面之算术平均粗度(Ra1)为0.2μm以上，将切割片1以130℃加热2小时后，基材2之第2面之算术平均粗度(Ra2)为0.25μm以下。

公开(公告)号：TW201541578A

公开(公告)日：2015-11-01

申请号：TW104109179

申请日：2015-03-23

申请人： 琳得科股份有限公司 ,  LINTEC CORPORATION

发明人： 高野健 ,  TAKANO, KEN ,  佐伯尙哉 ,  SAIKI, NAOYA

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC分类号： C09D133/068 ,  C08K5/548 ,  C09D7/63 ,  C09J11/06 ,  C09J133/068 ,  H01L21/022 ,  H01L21/78 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3157 ,  C08F220/14 ,  C08F2220/1825 ,  C08F220/20 ,  C08F2220/325

摘要： 本發明之保護膜形成用膜係用以形成保護設置於半導體晶片內面之金屬膜的保護膜，且即使在經歷溫度變化時亦可抑制前述保護膜從前述金屬膜剝離；前述保護膜形成用膜係由保護膜形成用組成物而形成，前述保護膜形成用組成物係摻配具有巰基或保護巰基之偶合劑而成。

简体摘要： 本发明之保护膜形成用膜系用以形成保护设置于半导体芯片内面之金属膜的保护膜，且即使在经历温度变化时亦可抑制前述保护膜从前述金属膜剥离；前述保护膜形成用膜系由保护膜形成用组成物而形成，前述保护膜形成用组成物系掺配具有巯基或保护巯基之偶合剂而成。