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公开(公告)号：TW201723120A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105128260
申请日：2016-09-01
申请人： 琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人： 高野健 , TAKANO, KEN , 菊池和浩 , KIKUCHI, KAZUHIRO , 杉野貴志 , SUGINO, TAKASHI
IPC分类号： C09J7/02 , C09J201/00 , C09J183/08 , C09J133/08 , H01L21/56
CPC分类号： H01L21/56 , C09J7/20 , C09J133/08 , C09J183/04 , C09J201/00
摘要： 一種黏著薄片，其為於密封黏著薄片上的半導體元件時所使用的黏著薄片(10)，其中，前述黏著薄片(10)為具備基材(11)與黏著劑層(12)，前述黏著劑層(12)於100℃之氛圍中，經進行對矽拉伸(die pull)試驗所求得之值為3.0N/Die以上。
简体摘要： 一种黏着薄片，其为于密封黏着薄片上的半导体组件时所使用的黏着薄片(10)，其中，前述黏着薄片(10)为具备基材(11)与黏着剂层(12)，前述黏着剂层(12)于100℃之氛围中，经进行对硅拉伸(die pull)试验所求得之值为3.0N/Die以上。
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公开(公告)号：TW201541578A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104109179
申请日：2015-03-23
申请人： 琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人： 高野健 , TAKANO, KEN , 佐伯尙哉 , SAIKI, NAOYA
CPC分类号： C09D133/068 , C08K5/548 , C09D7/63 , C09J11/06 , C09J133/068 , H01L21/022 , H01L21/78 , H01L23/295 , H01L23/3157 , C08F220/14 , C08F2220/1825 , C08F220/20 , C08F2220/325
摘要： 本發明之保護膜形成用膜係用以形成保護設置於半導體晶片內面之金屬膜的保護膜，且即使在經歷溫度變化時亦可抑制前述保護膜從前述金屬膜剝離；前述保護膜形成用膜係由保護膜形成用組成物而形成，前述保護膜形成用組成物係摻配具有巰基或保護巰基之偶合劑而成。
简体摘要： 本发明之保护膜形成用膜系用以形成保护设置于半导体芯片内面之金属膜的保护膜，且即使在经历温度变化时亦可抑制前述保护膜从前述金属膜剥离；前述保护膜形成用膜系由保护膜形成用组成物而形成，前述保护膜形成用组成物系掺配具有巯基或保护巯基之偶合剂而成。
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公开(公告)号：TW201539824A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104108036
申请日：2015-03-13
申请人： 琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人： 萩原佳明 , HAGIHARA, YOSHIAKI , 高野健 , TAKANO, KEN
CPC分类号： H01L51/5253 , B32B37/12 , B32B38/0004 , B32B38/10 , B32B2457/00 , C08L2203/206 , C09J7/29 , H01L31/048 , H01L31/0481 , H01L51/003 , H01L51/5246 , H01L51/56 , H01L2251/566 , H05B33/04 , H05B33/10 , Y02E10/50
摘要： 本發明提供一種電子元件封裝用積層片以及電子器件的製造方法。本發明的電子元件封裝用積層片(1A)構成為包括：長尺寸的第1剝離片(11a)；複數個封裝材料(12)，其於第1剝離片(11a)上的寬度方向中央部的長度方向上，積層於彼此不同的位置；保護材料(13)，其積層於第1剝離片(11a)上的寬度方向兩側部；及第2長尺寸的剝離片(11b)，其積層於封裝材料(12)及保護材料(13)的與第1剝離片(11a)側相反之一側。依據該電子元件封裝用積層片(1A)，能夠有效地製造可靠性高的電子器件。
简体摘要： 本发明提供一种电子组件封装用积层片以及电子器件的制造方法。本发明的电子组件封装用积层片(1A)构成为包括：长尺寸的第1剥离片(11a)；复数个封装材料(12)，其于第1剥离片(11a)上的宽度方向中央部的长度方向上，积层于彼此不同的位置；保护材料(13)，其积层于第1剥离片(11a)上的宽度方向两侧部；及第2长尺寸的剥离片(11b)，其积层于封装材料(12)及保护材料(13)的与第1剥离片(11a)侧相反之一侧。依据该电子组件封装用积层片(1A)，能够有效地制造可靠性高的电子器件。
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公开(公告)号：TW201428078A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW102144161
申请日：2013-12-03
申请人： 琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人： 高野健 , TAKANO, KEN , 篠田智則 , SHINODA, TOMONORI , 吾妻祐一郎 , AZUMA, YUICHIRO
IPC分类号： C09J7/00 , C09J133/08 , H01L21/68
CPC分类号： C08L63/00 , B32B27/308 , B32B2457/14 , C08G59/4021 , C08K3/36 , C08K5/5435 , C08L33/068 , C08L83/04 , H01L23/296 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , C08L33/06 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F2220/325 , C08F2220/1825 , C09D133/068
摘要： 關於本發明之保護膜形成用薄膜係用以形成保護半導體晶片的保護膜之保護膜形成用薄膜，該保護膜形成用薄膜含有(A)丙烯酸系聚合物、(B)環氧系硬化性成分、(C)填料、及(D1)矽烷偶合劑，構成(A)丙烯酸系聚合物之單體不含含環氧基之單體，或以佔全部單體之8質量%以下的比例含有含環氧基之單體，同時(A)丙烯酸系聚合物之玻璃轉移溫度為-3℃以上，(D1)矽烷偶合劑之分子量為300以上。
简体摘要： 关于本发明之保护膜形成用薄膜系用以形成保护半导体芯片的保护膜之保护膜形成用薄膜，该保护膜形成用薄膜含有(A)丙烯酸系聚合物、(B)环氧系硬化性成分、(C)填料、及(D1)硅烷偶合剂，构成(A)丙烯酸系聚合物之单体不含含环氧基之单体，或以占全部单体之8质量%以下的比例含有含环氧基之单体，同时(A)丙烯酸系聚合物之玻璃转移温度为-3℃以上，(D1)硅烷偶合剂之分子量为300以上。
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公开(公告)号：TWI647295B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW102135956
申请日：2013-10-04
申请人： 日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人： 高山佳 , TAKAYAMA, KEI , 篠田智則 , SHINODA, TOMONORI , 佐伯尙哉 , SAEKI, NAOYA , 高野健 , TAKANO, KEN
IPC分类号： C09J7/20 , H01L21/304
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公开(公告)号：TWI621684B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW105128258
申请日：2016-09-01
申请人： 日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人： 高野健 , TAKANO, KEN , 菊池和浩 , KIKUCHI, KAZUHIRO , 杉野貴志 , SUGINO, TAKASHI
CPC分类号： B32B27/00 , B32B27/38 , C09J7/20 , C09J133/08 , C09J183/04 , H01L21/56
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公开(公告)号：TW201726852A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105128255
申请日：2016-09-01
申请人： 琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人： 高野健 , TAKANO, KEN , 菊池和浩 , KIKUCHI, KAZUHIRO , 杉野貴志 , SUGINO, TAKASHI
IPC分类号： C09J7/02 , C09J133/08 , C09J175/04 , C08J5/18 , H01L21/56
CPC分类号： H01L21/56 , C09J7/20 , C09J133/08 , C09J175/04 , C09J175/12
摘要： 一種於密封黏著薄片上的半導體元件時所使用的黏著薄片(10)，其為含有：基材(11)，與黏著劑層(12)，其中，黏著劑層(12)為含有以丙烯酸2-乙基己酯(2-Ethyl Hexyl Acrylate)為主要單體之丙烯酸系共聚物。
简体摘要： 一种于密封黏着薄片上的半导体组件时所使用的黏着薄片(10)，其为含有：基材(11)，与黏着剂层(12)，其中，黏着剂层(12)为含有以丙烯酸2-乙基己酯(2-Ethyl Hexyl Acrylate)为主要单体之丙烯酸系共聚物。
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公开(公告)号：TW201723123A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105128264
申请日：2016-09-01
申请人： 琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人： 高野健 , TAKANO, KEN , 菊池和浩 , KIKUCHI, KAZUHIRO , 杉野貴志 , SUGINO, TAKASHI , 柄澤泰紀 , KARASAWA, YASUNORI , 淵恵美 , FUCHI, EMI
IPC分类号： C09J7/02 , C09J133/08 , C09J183/07 , H01L21/56 , C09J11/08
CPC分类号： H01L21/56 , C09J7/20 , C09J133/08 , C09J183/04 , C09J201/00
摘要： 一種黏著薄片(10)，其為於密封黏著薄片上的半導體元件時所使用的黏著薄片(10)，其中，前述黏著薄片(10)為，具備基材(11)與黏著劑層(12)，前述黏著劑層(12)之表面自由能量為22mJ/m2以上、40mJ/m2以下。
简体摘要： 一种黏着薄片(10)，其为于密封黏着薄片上的半导体组件时所使用的黏着薄片(10)，其中，前述黏着薄片(10)为，具备基材(11)与黏着剂层(12)，前述黏着剂层(12)之表面自由能量为22mJ/m2以上、40mJ/m2以下。
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公开(公告)号：TW201723121A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105128262
申请日：2016-09-01
申请人： 琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人： 高野健 , TAKANO, KEN , 菊池和浩 , KIKUCHI, KAZUHIRO , 杉野貴志 , SUGINO, TAKASHI , 柄澤泰紀 , KARASAWA, YASUNORI , 淵恵美 , FUCHI, EMI
IPC分类号： C09J7/02 , C09J201/00 , H01L21/56
CPC分类号： H01L21/56 , C09J7/20 , C09J133/08 , C09J183/04 , C09J201/00
摘要： 一種黏著薄片(10)，其為於密封黏著薄片上的半導體元件時所使用的黏著薄片(10)，其特徵為，具有基材(11)，與含有黏著劑之黏著劑層(12)，又，黏著劑層(12)之100℃下之儲存彈性率設定為A(Pa)、黏著劑層(12)之厚度設定為B(m)時，由下述關係式(1)算出之數值為1.5×10-5以上。 A×B2 (1)
简体摘要： 一种黏着薄片(10)，其为于密封黏着薄片上的半导体组件时所使用的黏着薄片(10)，其特征为，具有基材(11)，与含有黏着剂之黏着剂层(12)，又，黏着剂层(12)之100℃下之存储弹性率设置为A(Pa)、黏着剂层(12)之厚度设置为B(m)时，由下述关系式(1)算出之数值为1.5×10-5以上。 A×B2 (1)
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公开(公告)号：TWI577563B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW102118182
申请日：2013-05-23
申请人： 琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人： 佐伯尙哉 , SAIKI, NAOYA , 山本大輔 , YAMAMOTO, DAISUKE , 高野健 , TAKANO, KEN
CPC分类号： H01L23/295 , C09J7/243 , C09J7/385 , C09J2203/326 , H01L21/561 , H01L21/6836 , H01L23/3171 , H01L23/544 , H01L24/27 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2224/27003 , H01L2224/27334 , H01L2924/3025
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